一种焊接载物台，其特征在于：主体部由导热率为１００Ｗ／ｍＫ以上的构件组成，并存在该主体部的外缘至少有一部分是由导热率为５０Ｗ／ｍＫ以下的构件组成的外周部。

确定背栅特性的方法和装置用以减少制作背栅特性有缺陷的半导体电路元件。最初，得出第一Ｃ－Ｖ曲线３０表示加于晶片２０正面的电压与电容值之间的关系，其中所述晶片２０用作半导体电路元件的衬底。继而，通过将电压加于晶片２０背面得出第二Ｃ－Ｖ曲线３...

一种树脂接合用焊台，其特征在于：用氮化铬涂覆主体部的焊台表面。

一种在发光二极管光出射侧的Ｐ电极结构，所述发光二极管包括： （ａ）ｎ型半导体衬底； （ｂ）在所述ｎ型半导体衬底上形成的ｎ型覆盖层； （ｃ）在所述ｎ型覆盖层上形成的活性层； （ｄ）在所述活性层上形成的ｐ型覆盖层； ...

一种超声波接合用接合工具，是为将超声波施加到配置电极图形的基片及半导体元件上，用倒装法安装半导体元件的接合工具，其特征在于，由传送超声波振动子发生的超声波的喇叭部和与喇叭部接合的工具前端部构成，上述喇叭部由ＦｅＣｏＮｉ合金、镍铁钼导磁合...

一种ｐ型ＧａＡｓ基板ＺｎＳｅ系ｐｉｎ光电二极管，其特征在于，由ｐ型单晶ＧａＡｓ基板；在ｐ型单晶ＧａＡｓ基板上外延生长的、通过反复叠层ｐ型ＺｎＳｅ和ｐ型ＺｎＴｅ使禁带宽度阶段性变化的超晶格；直接在超晶格上或在超晶格上设置的ｐ型ＺｎＳｅ过渡...

一种横向结型场效应晶体管，包括由ｎ－型掺杂区形成的ｎ－型半导体层（３）和在ｎ－型半导体层（３）上由ｐ－型掺杂区形成的ｐ－型半导体层。另外，在ｐ－型半导体层中设置延伸到ｎ－型半导体层（３）中的ｐ↑［＋］－型栅区层（７），它含有ｐ－型杂质，...

一种接触探头，包括一个用于与待测量的表面接触的末端部、一个用于支撑和电连接的支撑部、以及一个用于将末端部连接到支撑部上的弹性部。在压接触同时进行刮擦的过程中的末端部后侧上的角部的曲率半径小于在前侧上的角部的曲率半径。在刮擦过程中，待测量...

一种用于装载半导体芯片的封装，包括：衬底，在其上表面上具有将要安装半导体芯片的安装空间；框架，设置为使其围绕所述衬底的上表面上的所述安装空间，并在其一侧具有用于输入／输出端子的接头；以及，输入／输出端子，通过装配或结合，连接至所述接头，...

一种微制造金钢石元件，其中至少有一个横断面为四边形包括金钢石的柱体形成在基片上，且　　　　其中，在柱体的横断面中，长边长度和短边的长度满足下列公式（１）和（２）表示的关系表达式：　　　　Ｃ↓［１］＝２ａ＊＊＊…（１）　　　　ｎλ≈Ｃ↓［...

一种制造半导体或液晶的装置，其在反应容器９中备有，其内部埋设有阻抗发热体３的陶瓷保持体１、一端２ａ支持陶瓷保持体１而另一端２ｂ被固定在反应容器９上的筒状支持部件２；筒状支持部件２的一端２ａ与陶瓷保持体１之间气密性结合，同时另一端２ｂ侧在...

一种制造半导体或液晶的装置中，在反应室１内加给反应气体，陶瓷托架２具有嵌入其中的电阻加热元件７。陶瓷圆柱形支承部件３的一端支承陶瓷托架２，另一端被固定在反应室１的一部分上。惰性气体供送管４和惰性气体排气管５每一个都在圆柱形支承部件３内有...

一种接触探针的制造方法。其包括：电铸工序，其使用在衬底（５２１）上配置的、具有和接触探针对应形状的图形框的抗蚀层（５２２），进行电铸而填平抗蚀层（５２２）的间隙而形成金属层（５２６）；尖端加工工序，其将上述金属层（５２６）中成为接触探针...

一种用于放置半导体芯片的封装件，包括：　　　　一基板，其上表面设置有用于安装一半导体芯片的安装空间，且其相对侧设置有是一通孔或槽的螺钉安装部，并且在该安装空间下面的所述基板的至少一部分包括　　　　一包括金刚石颗粒的金属－金刚石复合体，　...

一起使用ＥＬＯ掩膜和缺陷种子掩膜的方法生长很少有位错的ＧａＮ晶体。ＥＬＯ掩膜使得ＧａＮ晶体不能直接生长，但是能横向生长；缺陷种子掩膜使得缺陷集中的封闭缺陷聚集区域生长。材料ＳｉＮ、ＳｉＯＮ或ＳｉＯ↓［２］中任一种用于ＥＬＯ掩膜，同时Ｐｔ...

本发明涉及可以识别表里的矩形氮化物半导体基片。已有的ＧａＮ晶片表面是镜面，里面是粗糙面，用肉眼就能看到面粗糙度的不同从而区别表面和里面。当里面未加利用和保护时恐怕会附着粒子，也恐怕也会使弯曲变大，发生裂缝，发生破裂等。希望不用粗糙度的不...

本发明涉及缘经过研磨的氮化物半导体基片及其边缘加工方法。用旋转砂轮倾斜地研削边缘部分（斜削），但是成为使边缘部分的面粗糙度恶化（Ｒａ１０μｍ～６μｍ）、晶片发生破碎、破裂、裂缝等的原因。使圆形独立ＧａＮ晶片的边缘部分的面粗糙度为Ｒａ１０...

焊料膜制造方法具有用于层压多种单元层的步骤，所述每个单元层是通过层压多种层而形成的，所述层包括只有Ｚｎ、Ｂｉ或Ｓｎ的层，或由选自金属Ｚｎ、Ｂｉ和Ｓｎ中的两种构成的合金层。该制造方法优选也具有一个形成Ｓｎ层作为顶表面层的步骤。散热装置具有...

一种方便测量半导体外延晶片击穿电压的测量方法以及一种实现较高耐受电压的半导体外延晶片。在根据本发明的半导体外延晶片（１０）的耐受电压测量方法中，仅仅使用肖特基触点来测量触点（１２、１２）之间的耐受电压，而不需要使用电阻触点。由于相应地省...

一种加热器模块和使用所述加热器模块的半导体制造设备，用于相比传统加热器模块显著地提高加热后的加热器的冷却速度，并且对改善和提高生产率作出贡献，而且不会使半导体制造设备的尺寸变大、成本增加。所述加热器模块设有：加热器部分（１ａ），用于可控...