【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种加热器模块，其用在加工半导体晶片的半导体制造工具中，用于能热处理和冷却晶片的半导体制造设备，并且本专利技术涉及其中安装有所述加热器模块的半导体制造设备。
技术介绍
在半导体制造过程中，经加热处理之后晶片被冷却的过程包括利用涂敷器/显影器在光刻时热固光刻胶；加热/焙烧低介电常数即低-k绝缘薄膜；在形成金属互连和介电层中沉积CVD薄膜；在蚀刻器中的处理。传统上，使用由铝或陶瓷制成的加热器执行这些工艺中的晶片热处理。具体来说，晶片放置在其中形成加热元件的加热器的外表面上，所述加热元件用于在晶片经历诸如热固光刻胶和加热/焙烧低-k薄膜、或沉积CVD薄膜和蚀刻等过程时控制加热。近来，为了提高这些过程的生产率，需要提高加热后的加热器的冷却速度。出于同样的原因，用于加快经处理物件的冷却以提高它们特性的设计已变得普遍，尤其是随着晶片直径跨距的增大，对于提高冷却速度的需求增加。迄今为止，强制液体冷却和空气冷却已被采用，以便在半导体制造设备应用中快速冷却加热器。在特定期间，冷却块安装在加热器上，通常在背侧上，作为传热介质的液体或空气循环通过所述冷却块，通过这样将...
【技术保护点】
一种用于半导体制造设备的加热器模块，其特征在于，设置有：加热器部分，用于可控地加热放置在其正面表面上的晶片；以及被设置为可相对于所述加热器部分移动的块体部分，用于通过邻接所述加热器部分的背侧或与所述加热器部分的背侧分离来与所 述加热器部分一起改变总的热容。
【技术特征摘要】
JP 2002-6-5 163747/20021.一种用于半导体制造设备的加热器模块，其特征在于，设置有加热器部分，用于可控地加热放置在其正面表面上的晶片；以及被设置为可相对于所述加热器部分移动的块体部分，用于通过邻接所述加热器部分的背侧或与所述加热器部分的背侧分离来与所述加热器部分一起改变总的热容。2.如权利要求1所述的用于半导体制造设备的加热器模块，其特征在于，所述块体部分的热容是所述加热器部分和所述块体部分总热容的20％或更多。3.如权利要求1或2所述的用于半导体制造设备的加热器模块，其特征在于，在加热期间，所述加热器部分和所述块体部分邻接，而在冷却期间，所述块体部分相对于所述加热器部分移动并与所述加热器部分分离开，以便加快所述加热器部分的冷却速度。4.如权利要求1或2所述的用于半导体制造设备的加热器模块，其特征在于，在加热期间，所述加热器部分和所述块体部分分离，而在冷却期间，所述块体部分和所述加热器部分相对移动为邻接状态以将热量传导入所述块体部分中，以便加快所述加热器部分的冷却速度。5.如权利要求1至4中任一项所述的用于半导体制造设备的加热器模块，其特征在于，当所述加热器部分和所述块体部分邻接时，通过将所述块体部分真空装卡至所述加热器部分而将所述块体部分固定至所述加热器部分。6.如权利要求1至5中任一项所述的用于半导体制造设备的加热器模块，其特征在于，邻接表面中的至少任意一个表面是镜面，其中所述加热器部分和所述块体部分沿着所述邻接表面彼此邻接。7.如权利要求1至6中任一项所述的用于半导体制造设备的加热器模块，其特征在于，所述块体部分附加于半导体制造设备的室底部，或者移动至与室底部邻接的状态。8.如权利要求7所述的用于半导体制造设备的加热...
【专利技术属性】
技术研发人员：柊平启，仲田博彦，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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