在ＳｉＣ单晶衬底（１）上，形成电场驰豫层（１２）和ｐ－型缓冲层（２）。电场驰豫层（１２）被形成在ｐ－型缓冲层（２）和ＳｉＣ单晶衬底（１）之间，以使它与ＳｉＣ单晶衬底（１）接触。在ｐ－型缓冲层（２）上，形成ｎ型半导体层（３）。在ｎ型半导体...

提供一种制造１０↑［６］ｃｍ↑［－２］以下低错位ＧａＮ单结晶的方法，其特征是气相成长的成长表面不是平面状态，形成具有三维的小面结构，保持小面结构，通过在不埋没小面结构下进行成长，可降低错位，进行单晶体氮化镓的结晶成长。

一种结型场效应晶体管（２０），包括具有沟道区的ｎ型半导体层（１）、在沟道区上形成的缓冲层（３），以及在缓冲层（３）上形成的ｐ↑［＋］区（４ａ，４ｂ）。缓冲层（３）中的电子浓度低于半导体层（１）中的电子浓度。优选地是，使缓冲层（３）中的电...

本发明提供一种氮化物半导体器件的制作方法，在芯片分离通过晶片工艺在基板上制造的元件单元时，能够减少研磨、切断等工序，能够重复使用基板。采用预先确定形成封闭曲线的集合晶体生长速度慢的缺陷的缺陷集合区域（Ｈ）和晶体生长速度快的低缺陷区域（Ｚ...

单面平面处理的Ⅲ族氮化物晶片的质量取决于晶片在抛光板上的粘贴方向。通过以下步骤获得低表面粗糙度和高成品率，用具有等于或小于１０μｍ厚度的热塑性蜡将多个Ⅲ族氮化物生长状态的晶片粘贴在具有面向前（ｆ）、向后（ｂ）或向内（ｕ）的ＯＦ或凹口的抛...

一种制造超导薄膜材料的方法，其包括通过气相方法形成超导层（３）的气相步骤，以及通过液相方法形成超导层（４）的液相步骤，该液相步骤使得后面的超导层（４）与前面的超导层（３）相接触。优选地，该方法还包括在前面的超导层（３）和金属衬底（１）之...

本发明提供了一种半导体器件的制造设备和制造方法，允许使衬底（１）的温度分布均匀。用于半导体器件的制造设备包括：夹持衬底（１）的基座（２）；被安排在基座（２）的背侧的加热器；位于衬底（１）和基座（２）之间的包括支撑部分（１２）的支撑构件（...

本发明提供一种单晶氮化镓基板和单晶氮化镓长晶方法，单晶氮化镓基板具有表面、背面和厚度，具有晶体缺陷集合区Ｈ、低缺陷单晶区Ｚ和Ｃ面生长区Ｙ，具有ＨＺＹＺ构造；所述晶体缺陷集合区Ｈ直线状伸展，贯通表背面，有宽，在宽度方向两侧具有交界线Ｋ、Ｋ...

一种微波等离子体ＣＶＤ系统，其在可沉积大面积高品质金刚石薄膜的条件下可以令人满意地进行等离子体的位置控制。该微波等离子体ＣＶＤ系统包括：真空腔（１），其上部中心具有导入微波（２０）的开口部（２）；基材支持台（１１），用于支持真空腔内基材...

本发明提供了体Ⅲ族氮化物晶体的制造方法，由此至少表面的位错密度普遍较低。当前的Ⅲ族氮化物晶体制造方法包括：制备包含Ⅲ族氮化物籽晶的下衬底（１）的步骤，Ⅲ族氮化物籽晶具有基体（１ｓ）和反转域（１ｔ），在反转域中，＜０００１＞方向的极性相对...

本发明提供一种制作氮化镓结晶的方法，该氮化镓结晶于使用包含位错集合区域、反转区域的氮化镓基板作为晶种基板而使氮化镓结晶生长时，位错密度低并且具有良好的结晶性，此外不易因切片后的研磨而产生开裂。在掩埋位错集合区域、反转区域（１７ａ）而使氮...

本发明提供了一种Ⅲ族氮化物半导体晶体基板和半导体器件，该Ⅲ族氮化物半导体晶体基板具有至少２５ｍｍ且不大于１６０ｍｍ的直径。该Ⅲ族氮化物半导体晶体基板的电阻率为至少１×１０↑［－４］Ω.ｃｍ且不大于０．１Ω.ｃｍ。该Ⅲ族氮化物半导体晶体沿...

本发明提供了一种ＧａＮ衬底制造方法、ＧａＮ衬底和半导体器件，所述ＧａＮ衬底制造方法的特征在于，包括如下加工步骤：基于衬底表面的结晶轴取向的差别，将由ＧａＮ单晶构成的衬底表面加工成凹形球面状。在处理后的ＧａＮ衬底表面中，将ＧａＮ衬底表面处...

本发明涉及半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法。本发明公开了一种Ⅲ族氮化物半导体晶体的生长方法，其包括步骤：准备下层基板，以及通过气相生长在该下层基板上通过利用四氯化硅（ＳｉＣｌ↓［４］）气体作为掺杂气体生长用硅掺杂的第一Ⅲ族...

本发明涉及半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法。本发明公开了一种Ⅲ族氮化物半导体晶体的生长方法，其包括步骤：准备下层基板，以及通过气相生长在该下层基板上通过利用四氟化硅作为掺杂气体生长用硅掺杂的Ⅲ族氮化物半导体晶体。

本发明涉及一种半绝缘氮化物半导体衬底及其制造方法、氮化物半导体外延衬底和场效应晶体管，其中，制造半绝缘氮化物半导体衬底的方法包括以下步骤：在下衬底上形成掩模，在所述掩模中以２５０μｍ～２０００μｍ的间隔Ｄｗ来排列具有１０μｍ～１００μｍ...

本发明公开了一种能够同时获得如高Ｊ↓［Ｃ］和高Ｉ↓［Ｃ］的优良性能并降低成本的超导薄膜材料（１），所述超导薄膜材料（１）包括取向金属衬底（１０）和在该取向金属衬底（１０）上形成的氧化物超导膜（３０）。所述氧化物超导膜（３０）包括通过物理...

本发明提供了适用于发光器件中的可用的第Ⅲ族氮化物晶体衬底、包括所述衬底的发光器件和制造所述发光器件的方法。第Ⅲ族氮化物晶体衬底具有表面积不小于１０ｃｍ↑［２］的主面，在主面的除了从其外周到距离该外周５ｍｍ范围内的外周边缘区域之外的主要区...

可以得到一种ＧａＡｓ单晶衬底及使用该单晶衬底的外延晶片，可以抑制外延层生长时产生滑移位错，能够改善器件的耐压特性。ＧａＡｓ单晶衬底具有最大为２×１０↑［４］ｃｍ↑［－２］的平面平均位错密度，２．５－２０．０×１０↑［１５］ｃｍ↑［－３］...

一种生产化合物半导体的方法，包括：一个在化合物半导体的衬底或底层上除去杂质分子的步骤，它在生长外延层之前，将Ⅲ族分子束或Ｖ族分子束投射到化合物半导体的衬底或底层上，以及一个在化合物半导体的衬底或底层上生长Ⅲ族和Ｖ族原子的化合物半导体薄膜...