本发明提供一种可以抑制伴随着经过电池充放电循环而导致的电池效率、电容量下降的电解液、其制造方法及采用该电解液的氧化还原流动式电池。采用ＮＨ↓［４］含量２０ｐｐｍ以下的电解液，并且，Ｓｉ浓度（ｐｐｍ）×电解液量（ｍ↑［３］）／电极面积（ｍ...

本发明提供一种对框架框和双极板的密封性优良的氧化还原流动电池用电池单元框架，以及采用该电池单元框架的氧化还原流动电池。氧化还原流动电池用电池单元框架具有双极板９、安装在双极板９外周的框架框２Ａ。框架框２Ａ含有氯乙烯５０％（质量）以上。双...

提供一种氧化还原流动式电池用电池组，其不用粘接双极板和电极，可提交长期使用时的可靠性。氧化还原流动式电池组（１）把电池框（２）和电极（３）、（４）和隔膜（５）加以层合。电池框（２）具有框架（２Ａ）和设在框架（２Ａ）内侧的双极板（９）。电...

本发明提供一种多孔部件，其可以用作固体高分子型燃料电池的气体扩散电极兼隔片，价廉，长期使用的可靠性优良，并且作为电极使用时的电压损失少，燃料电池的发电性能提高，发电性能可以长期保持稳定。多孔部件１是把具有平均孔径５０μｍ～１ｍｍ、气孔率...

提供一种氧化还原流动式电池用电池框和使用该电池框的氧化还原流动式电池，其防止电解液向电池框外部泄漏并且组装氧化还原流动式电池时的操作性优良。氧化还原流动式电池用电池框（３０）具备双极板（２１）和在双极板（２１）外周安装的框架（３１），该...

本发明提供一种可进行与正常运转中的放电状态无关的高负荷运转的蓄电池及其运转方法。包括在正常运转时存储电解液的第１容器（３１）、（３２）；在非正常运转时存储电解液的第２容器（３３）、（３４）。第１容器（３１）、（３２）的电解液和第２容器（...

本发明提供了高稳定性、高安全性的锂二次电池，它具有高能量密度和极好的充电／放电循环能力，其中由金属锂负极生长树枝晶造成的短路得到了控制。通过在一种衬底上层积金属锂膜和无机固体电解质膜来形成锂二次电池负极构成材料，此锂二次电池负极构成材料...

本发明为具有其中镍膜涂覆在织造或非织造织物的塑料纤维表面上的结构的电池电极基底，其中使用镍膜平均覆盖率不小于８５％的金属多孔体。本发明还为包括具有这样的结构的金属多孔体的集电极，在该结构中，用镍膜涂覆织造或非织造织物的塑料纤维表面使得平...

一种制造电极的方法，其包括以下步骤：在电极基板中填充活性物质，所述电极基板由其纤维表面涂覆有金属的机织织物或无纺织物制成，和对电极基板加压以获得电极，其中当加压之后电极的厚度为ｔ时，使用厚度小于２．０ｔ的电极基板进行加压。这保证了电极基...

本发明提供非水电解质电池和引线，它们用无铬表面处理处理过并具有优良的耐氢氟酸性能。该引线包括（１）由镍、镀镍铜或铜制成的引线的金属部分；（２）复合涂层，其是在所述引线的金属部分的表面上所述封装体被密封粘着的部分处，通过涂布包含锆盐、钛盐...

公开了一种薄膜锂电池，通过解决由在固体电解质层中形成的针孔所导致的各种问题，所述薄膜锂电池可以实现高产率。具体而言公开了一种薄膜锂电池，其中正电极层（２０）、负电极层（５０）、设置于其间的固体电解质层（４０）、电连接到所述正电极层（２０...

本发明提供一种电池用电极基板，其具有优异的机械强度和挠性、并且能够提高正极活性物质的填充密度进而获得更高的电池容量，本发明还提供从该电池用电极基板形成的电池用电极、以及具有该电池用电极的碱性二次电池。该电池用电极基板包括织造或非织造织物...

提供一种包含乙烯离聚物树脂和有机金属粘土的离聚物树脂组合物，其中有机金属粘土的含量相对于整个离聚物树脂组合物为大于等于２％（重量）且小于等于６０％（重量）。还提供一种通过挤压离聚物树脂组合物制成的管形物品，其中管形物品具有下述性质：硬度...

本发明披露电池电极基板，其在由多个纤维交叉所构成的基体的表面上镀有作为镀层的镍，所述纤维包括由合成树脂形成的芯和由合成树脂形成的涂层，形成涂层的合成树脂的软化温度低于形成芯的合成树脂的软化温度。所述电极基板具有通过热处理在交叉点处熔融粘...

本发明提供彼此连接的第一构件（１１）和第二构件（１２）。该第一构件（１１）电连接到电极上。该第二构件（１２）接合到远离电极的第一构件（１１）的位置处，并由不同于第一构件（１１）的材料构成。重叠部分（１３）形成在第一构件（１１）和第二构件...

本发明披露厚１～１００ｎｍ的氢渗透膜（１），该氢渗透膜（１）包括包含Ｖ或Ｖ合金的氢渗透性基材（２）、包含Ｐｄ或Ｐｄ合金的氢渗透性Ｐｄ膜（３）以及中间层（４），所述中间层（４）设置在氢渗透性基材（２）与Ｐｄ膜（３）之间并包括与氢渗透性基材...

一种电气部件，其包含：导线导体，和包括金属层的密封容器，所述导线导体从密封容器的内部延伸到外部，其中所述导线导体和密封容器在密封部分通过热粘合剂层熔融粘结，且其中在厚度方向上制有贯通孔的抗软化层提供在导线导体与密封部分的金属层之间。还提...

ＧａＮ基底２８包括ＧａＮ单晶基底１４、在基底１４上外延生长的Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ中间层２４（０＜ｘ≤１）和在中间层２４上生长的ＧａＮ外延层２６。中间层２４由ＡｌＧａＮ制成，这个ＡｌＧａＮ生长在其上有污点和其中有高位错区域的基底...

本发明改善ＡｌＧａＮ单晶基材的断裂韧度，并且降低该基材的吸收系数。氮化物半导体单晶基材具有由通式Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ（０≤ｘ≤１）表示的组成，其特征在于断裂韧度为（１．２－０．７ｘ）ＭＰａ.ｍ↑［１／２］或更大以及表面积为２０...

一种超导体的制造方法，其中通过重复两次或两次以上膜淀积在基底层上形成超导层。每次淀积形成的超导膜的膜厚被设定在０．３μｍ或以下，使得即使超导层厚度大时Ｊｃ的减少较小，由此增大超导体的Ｉｃ。