半导体发光设备制造技术

一种从输出表面发光的ＺｎＳｅ发光设备，其具有包括自激活发光中心（ＳＡ）的ｎ型ＺｎＳｅ基板、形成在ｎ型ＺｎＳｅ基板上的激活层、和设置在输出表面相对面上并用于向输出表面反射光的Ａｌ层。发射的光可以有效利用，亮度高，并且易于调节白光发射设备的色度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光设备，更具体地说，本专利技术涉及ZnSe发光设备。
技术介绍
在ZnSe白光发射设备中，在包括pn结且形成在n型ZnSe基板上的激活层(active layer)处产生蓝光，ZnSe基板中的自激发光再结合中心(self-activated radiative recombination centers，简称SA中心)接收蓝光，从而使激活的SA中心发射出黄光。图12示意性地示出ZnSe白光发射设备，其中，n型ZnSe外延层103形成在具有SA中心的n型ZnSe基板上，至少包括一个pn结的作为发光层的激活层104形成在外延层103上。p型ZnSe外延层105形成在激活层104上。为了使激活层104发光，在设置在n型ZnSe基板101背面上的n型电极112和设置在p型ZnSe外延层105上的p型电极110之间施加电压。预定电压施加在p型电极110上，比其低的电压施加在n型电极112上，从而在pn结上施加正向电压。通过施加电压将载体注入pn结，在激活层104处发光。在ZnSe化合物半导体的情况下，激活层发射的光是波长对应于激活层内ZnSe层的蓝光。这种蓝光的带宽很本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于将光从其输出表面发射到外面的半导体发光设备，该设备包含包括自激发光再结合中心的第一导电型半导体基板、设置在所述第一导电型半导体基板上方的激活层、和设置在所述输出表面相对面上用于向所述输出表面侧反射光的Ａｌ层。

【技术特征摘要】
JP 2002-6-28 190236/20021.一种用于将光从其输出表面发射到外面的半导体发光设备，该设备包含包括自激发光再结合中心的第一导电型半导体基板、设置在所述第一导电型半导体基板上方的激活层、和设置在所述输出表面相对面上用于向所述输出表面侧反射光的Al层。2.根据权利要求1的半导体发光设备，其中，所述输出表面位于形成在所述激活层上的第二导电型半导体层一侧上，所述Al层构成与所述第一导电型半导体基板电连接的电极。3.根据权利要求2的半导体发光设备，其中，在所述第一导电型半导体基板的表面上设置高浓度的第一导电型半导体层，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村孝夫，藤原伸介，松原秀树，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]