本发明的目的在于提供一种能抑制尾电流，且防止闪光灯的寿命变短的热处理装置。从闪光灯(FL)对保持在腔室内的半导体晶圆的表面照射闪光，将所述半导体晶圆加热。在闪光灯(FL)并联连接着GCT晶闸管(196)。在从闪光灯(FL)中开始流动电流...

本发明的曝光装置以及曝光方法的目的在于，即使是没有形成对准标记的基板，也能够根据基板的形状适当地进行曝光。本发明的曝光装置具有：载物台，支撑处理对象的基板；曝光部，基于规定的曝光数据通过光束对基板的表面进行曝光并描画；移动机构，使载物台...

本发明涉及衬底处理方法、衬底处理装置及干燥前处理液。向形成有图案的衬底的表面供给干燥前处理液，所述干燥前处理液为包含不经液体即变化为气体的升华性物质和与升华性物质互溶的溶剂的溶液。然后，从衬底的表面上的干燥前处理液中蒸发溶剂，由此在衬底...

本发明涉及一种衬底处理方法及处理液。衬底处理方法包含处理液供给步骤、固化膜形成步骤及升华步骤。处理液供给步骤向衬底供给处理液。处理液包含升华性物质、溶剂及表面活性剂。固化膜形成步骤使溶剂及表面活性剂从衬底上的处理液中蒸发。固化膜形成步骤...

本发明涉及一种衬底处理装置的监控方法及衬底处理装置。本发明提供一种能够以更高的精度对监控对象物进行监控的技术。本发明的衬底处理装置的监控方法包括设置处理工序、拍摄工序及监控工序。设置处理工序包含：事先拍摄工序(S11)，对包含监控对象物...

配线形成方法具备搬入工序(S1)、蚀刻工序(S3)以及还原工序(S6)。在搬入工序(S1)中，将形成有金属配线部的基板搬入至腔室内。在蚀刻工序(S3)中，对基板供给氧化性气体，从而蚀刻金属配线部的一部分。在还原工序(S6)中，对基板供给...

本发明能够缩基板处理装置的长度。基板处理装置具有基板从由分度器装置搬入基板的区域移动到接口部为止的去程部分、以及基板从接口部移动到向分度器装置搬出基板的区域为止的返程部分。返程部分具有分别沿着第一水平方向配置的第一部分以及第二部分。第一...

在遮光单元(24)中，导入反射面(41)位于1级衍射光束的光轴(J36)上的1级衍射光束的聚焦位置附近且位于0级衍射光束开口(240)附近。导入反射面(41)将1级衍射光束向从1级衍射光束的入射方向偏离的方向且离开0级衍射光束的光轴(J...

本发明提供一种具有优异的干燥性能且能够良好地去除附着于基板表面的液体的基板处理液、基板处理方法以及基板处理装置。在本发明中，基板处理液具备升华性物质、溶解所述升华性物质的溶剂、以及助剂，所述助剂通过添加至用所述溶剂溶解所述升华性物质所得...

本发明提供一种即使在处理槽内贮存有处理液也能够以更高精度监视处理槽的内部的技术。基板处理装置(100)使多个基板(W)浸渍在处理液内来一并处理多个基板(W)。基板处理装置(100)具备处理槽(10)以及摄像头(30)。处理槽(10)贮存...

本发明能正确地测定衬底的温度。本发明涉及一种温度测定方法及热处理装置。本发明是一种测定通过光照射被加热的半导体晶圆(W)的温度的温度测定方法。本发明的温度测定方法具备以下步骤：辐射温度测定步骤，从半导体晶圆(W)的斜下方检测半导体晶圆(...

本发明提供一种曝光方法，即使在存在因不良情况等而不能曝光的曝光头的情况下，也能够补偿曝光而不降低位置精度。曝光方法包括：从第一曝光头朝向第一曝光区域以第一曝光图案照射光的工序；从第一曝光头朝向第二曝光区域以第二曝光图案照射光的工序；从第...

本发明是对基板进行规定的处理的基板处理装置，通过与规程同步地利用基于设计信息的图像，能够在运转时高精度地检测异常，其中，所述装置包含以下要素：规程存储部，存储规程；拍摄部，被设置于规定的配置位置，在运转时拍摄所述部件的实际图像；正常图像...

教师数据生成装置(4)具备：图像接受部(41)，从对对象物成像来检测缺陷的检查装置(2)接受包含缺陷的检测区域在内的规定尺寸的缺陷图像和表示缺陷图像中的检测区域的范围的缺陷信息；剪切图像生成部(42)，基于缺陷信息，从缺陷图像中裁剪包含...

提供一种用户能够容易识别异常种类的基板检测装置、基板处理装置及基板检测方法。基板检测装置(102)具备照明部(60)、摄像头(50)、报知部(70)和控制部(103)。照明部(60)向包含插入于多个保持槽中的多个基板(W)在内的拍摄区域...

本发明提供即使在使基板相对于喷嘴移动的移动控制存在限制条件的情况下也能够高效地调整移动控制参数的控制参数调整方法。控制参数调整方法包括：喷出数据准备工序(S20)，准备表示喷嘴(71)喷出的处理液的喷出量的时间变化的喷出数据；以及移动控...

本发明提供一种基板清洗装置及基板清洗方法。向基板(9)供给含有溶剂及溶质在内的处理液。通过使溶剂的至少一部分从处理液中挥发而使处理液固化或硬化，由此使处理液成为微粒保持层。向基板(9)上供给去除液并将微粒保持层从基板(9)去除。微粒保持...

本发明的课题是缩短基板处理装置的长度。本发明的解决方案的基板处理装置具有去程部分以及回程部分，基板在去程部分上移动，去程部分从基板被从索引器装置搬入的被搬入区域到朝向曝光装置搬出基板的接口部为止，从曝光装置向接口部搬入的基板在回程部分上...

本发明提供一种衬底处理条件的设定方法、衬底处理方法、衬底处理条件的设定系统、及衬底处理系统。衬底处理条件的设定方法包含：步骤(S24)，对基于学习用处理条件、及以学习用处理条件处理衬底(W)时的处理结果进行机械学习后的已学习模型(M)，...

本发明涉及基板保持装置以及基板处理系统。在基板保持部(2)中，保持销(15)具备头(31)、轴杆(33)以及头用螺纹件(43)。头(31)配置在顶罩(13A)的上表面侧。头(31)在与顶罩(13A)的上表面对置的头(31)的下表面形成有...