株式会社斯库林集团专利技术

株式会社斯库林集团共有1565项专利

  • 本实用新型提供一种具有狭缝状的喷出口的狭缝喷嘴及具有该狭缝喷嘴的基板处理装置,能够在喷出口的整体上高效地进行用于使喷出量均匀化的作业。本实用新型具有:第一主体部和第二主体部,分别具有隔着间隙彼此对置的平坦面,在间隙中形成流路和喷出口;以...
  • 本发明的目的在于提供一种能够在具有超过
  • 本发明的处理液流通方法包含步骤
  • 本发明提供一种处理基板的基板处理装置,能够抑制水分与保持在载置单元的基板接触。本发明的基板处理装置的载置单元(40)保持被从分度器机械手向中央机械手转移的未处理的基板以及被从中央机械手向分度器机械手转移的处理完毕的基板。载置单元(40)...
  • 本发明的细胞计数方法包括:图像堆栈获取工序,获取图像堆栈,图像堆栈包括以互不相同的焦深对细胞块进行明视场拍摄而得到的多个图像;热图制作工序,使用机器学习模型,制作与多个图像的每一个对应的多个热图;峰值检测工序,从各个热图中检测出峰值;对...
  • 本发明的课题是提供一种能够提高片剂的供给量的技术。本发明的解决方案的片剂供给装置,具备:片剂支撑部,在搬送片剂(9)的搬送路径中,支撑片剂(9)的侧面;片剂排除部,在搬送路径中,从搬送路径排除相对于片剂(9)的搬送方向处于不适当的姿势的...
  • 本发明提供一种基板处理方法及基板处理装置
  • 基板处理装置包含:载体保持部,其保持载体;第一处理单元组;第二处理单元组;第一虚拟基板收容部;第二虚拟基板收容部;基板载置部;第一搬运单元,其在第一处理单元与基板载置部之间搬运基板,并在第一处理单元与第一虚拟基板收容部之间搬运虚拟基板;...
  • 基板处理装置包含:载体保持部,其保持载体;处理单元,其处理基板且执行使用虚拟基板的处理;虚拟基板收容部;基板载置部;第一搬运单元,其在处理单元与基板载置部之间搬运基板,并在处理单元
  • 在本发明的基板处理方法中,在腔室内通过超临界状态的处理流体处理基板后的减压工序被区分成两个阶段。在第一减压工序中,一边将腔室的内部空间的温度保持在处理流体的临界温度以上,一边将内部空间减压至比临界压力低且比大气压高的压力。在第二减压工序...
  • 根据本发明的基板处理方法,其包括:基板保持工序,通过从基座的上表面向上方隔开间隔而水平地保持基板的基板夹具来保持基板;第一处理液供应工序,向被所述基板夹具保持的基板的上表面供应第一处理液;清洗液供应工序,向所述基座的上表面供应用于冲洗附...
  • 一种基板处理装置,具备:基板处理部,用溶解有臭氧的处理液来处理基板;回收槽,回收从所述基板处理部排出的所述处理液;回收配管,连接所述基板处理部与所述回收槽;加热构件,将所述回收配管内的所述处理液以及所述回收槽内的所述处理液中的至少一方加...
  • 一种基板处理方法,对基板进行处理,该基板具有包含形成凹部的凹部形成面的主面,且在上述凹部内形成了被去除层。上述基板处理方法包含:蚀刻步骤,将含有蚀刻离子的蚀刻液供给至上述基板的主面,对上述被去除层进行蚀刻;浓缩步骤,将上述基板的主面上的...
  • 本发明提供一种能够一边利用驱动机构沿主扫描方向驱动载物台或曝光头等驱动对象,一边从曝光头向载置于载物台的基板的适当位置照射光的技术。本发明的曝光方法具有以下工序:执行第一主扫描驱动的工序,在所述第一主扫描驱动中,通过利用驱动机构将载物台...
  • 一种基板处理装置包含:承载器保持部,其保持收容基板或仿真基板的承载器;第一处理单元群,其具有处理基板并执行使用仿真基板的处理的多个第一处理单元;第二处理单元群,其具有处理基板并执行使用仿真基板的处理的多个第二处理单元;第一仿真基板收容部...
  • 本发明提供一种生成能够比以往更适当且充分地表达自然语言数据中的词语的语义和句子的语义的语义表达数据的语义表达生成方法、语义表达生成装置、以及记录介质。在语义表达生成方法中,通过对由自然语言记述的文本数据进行表层的解析而生成语法数据。参照...
  • 本发明提供适当地保护微流控芯片的电极的技术。微流控芯片(1)具有基板(10)、电极(31)、绝缘膜(33)以及流体容纳部(20)。电极(31)配置在基板(10)的上表面。绝缘膜(33)覆盖电极(31)的上表面。绝缘膜(33)由使电极(3...
  • 本发明提供片剂检查方法以及片剂检查装置。片剂检查方法包括如下工序:工序(a),在该工序(a)中,拍摄片剂,并生成包括分别映现有从多个拍摄方向观察到的片剂的外观的多个图像的拍摄图像;工序(b),在该工序(b)中,对上述拍摄图像进行检测片剂...
  • 本发明的目的在于提供一种能正确计算入射到放射温度计的外乱光的强度,而高精度测定衬底的温度的温度测定方法。在将半导体晶圆搬入到腔室之前,进行端缘部放射温度计的测定。搬入半导体晶圆之后,在将半导体晶圆支撑在提升销的状态及将其载置在基座的状态...
  • 本发明的基板处理方法具备:超临界处理工序,将处理流体导入至收容了基板的腔室的内部空间,并通过超临界状态的处理流体处理基板;减压工序,排出处理流体并将内部空间减压;搬出工序,从腔室搬出基板;以及温度调整工序,将处理流体导入至搬出基板后的内...