所公开的是一种复合件，它通过采用了改进了纯Ｇｄ特性的Ｚｒ－Ｇｄ合金作中子吸收材料，能不在燃料棒中添加中子吸收材料或可燃的中子抑制剂而适当地抑制过剩反应性，以及采用了该复合件的燃料组件，包覆管、隔板、水棒、管状箱和控制棒。尤其是，公开了燃...

本发明的目的是提供一种塑性加工性高，且具有高耐腐蚀性的铪（Ｈｆ）合金及使用了该合金的核反应堆控制棒用中子吸收体和核反应堆用控制棒。本发明是一种核反应堆控制棒用中子吸收体，由含有Ｃｒ０．０３－１．５％，Ｓｎ０．０３－１．５％，Ｆｅ０．０３...

本发明涉及用于沸水反应堆的包括短长度燃料棒的燃料组件，短长度燃料棒包括布置在方形点阵列最外周区域中的四根第一短长度燃料棒。一个位于短长度燃料棒上端以上的燃料定位件的结构使得设置在与第一短长度燃料棒有关的点阵位置上的栅元被除去，在上述点阵...

本发明提供具有高塑性可加工性和高耐蚀性的铪合金，使用该铪合金的核反应控制棒，反应堆控制棒用中子吸收体，使用该中子吸收体的核反应控制棒，核反应堆以及核电站。反应堆控制棒用中子吸收体由特定成分的铪合金制成，并包含条形圆筒状部件。该铪合金包含...

为了提供带有导引滚子组件的沸水型核反应堆控制棒，在通过导引滚子组件保持控制棒的滑动功能的同时，该控制棒改善导引滚子组件中的间隙处的腐蚀性环境，抑制应力腐蚀破裂的产生，手柄５、下部支承板２ａ和下降限速器２中的至少一个装备导引滚子组件，且使...

本发明涉及用于沸水反应堆的包括短长度燃料棒的燃料组件，短长度燃料棒包括布置在方形点阵列最外周区域中的四根第一短长度燃料棒。一个位于短长度燃料棒上端以上的燃料定位件的结构使得设置在与第一短长度燃料棒有关的点阵位置上的栅元被除去，在上述点阵...

本发明的课题在于实现设置于核力发电厂的燃料更换机的高速化。将从与提升用电动机（２）连接的卷筒（３ｇ、３ｈ）被送出的缆绳（６ａ、６ｂ）连接在下述管状部件上，所述管状部件是指相互伸缩自如地组合的各管状部件（１ａ～１ｆ）中的、从外侧起第二个管...

一种存储卡，包括具有前面和背面的基板；安装在基板前面之上的第一闪速存储器芯片；用于安装在基板前面之上的第一闪速存储器芯片的控制器芯片；设置在基板背面上的多个外部端子；以及覆盖基板前面、第一闪速存储器芯片和控制器芯片的壳体；其中存储卡的平...

本发明提供一种半导体器件，在利用自旋注入磁化反转的存储器中，实现高速动作时的低电流重写动作，抑制每个存储器单元的离差，并抑制读出干扰。在进行重写前，提供弱脉冲，使自旋状态不稳定，降低重写电流。利用重写电流在脉冲宽度中非线性地增大的区域进...

本发明提供一种信息存储装置，在固体状的介质的不接近表面的内部，呈三维状配置存储器单元，并使存储器单元具有依存于其空间坐标的电磁波的共振特性。上述介质选择存储器单元的透射共振频率的电磁波的材料。通过观测从介质外部所照射的电磁波的吸收波谱或...

在此公开的是一个动态ＲＡＭ，其中刷新地址计数器每次完成许多步增量操作，通过利用（２＋［ｎ］＋１）分频制计数器电路最高有效位，将一个地址切换电路切换到存于地址存贮器电路中的特定刷新地址上去．借此，刷新那些数据保持时间比较短的存贮单元．

具有高速操作方式的存储器的部分写控制装置，当包括那些要求部分写在内的若干个字的部分写的请求被接收时，存储器控制信号发生器就使存储器在高速操作方式的单个读周期中相继地读出要求部分写的所有的字．一个合并电路将读出字中不需改变的那部分与要写的...

一种半导体存储装置，在其半导体芯片上通过至少１层绝缘膜而配置多根引线的内部引线，使该内部引线与上述半导体芯片电绝缘。该半导体存储装置包括：在夹在多个存储阵列中间的上述半导体芯片的大致中央部分轴对称地成２列排列至少用于数据输入输出用的焊盘...

一种半导体非易失性存储器件，其中存储单元的状态相对于器件中的每一个数据线来确定，以便自动控制编程的继续和暂停等。器件包括设置为阵列形式的非易失性半导体存储单元阵列、与多个存储单元组的控制栅共接的字线Ｗ１和Ｗ２及多个存储单元的漏极共接其上...

装在单一半导体芯片上的微计算机包含一个中央处理单元一个非易失闪电存储器，该存储器允许由该中央处理单元通过电擦除和编程操作对待处理的信息进行重新编程。该微计算机装有常规电源电压端子和编程电源电压端子并带有供电电压电平探测器件和内部电压增压...

有一种半导体存储装置，其中包括存储晶体管的存储阵列的众多数据线分成众多的块，这些存储晶体管按照所存数据被安排成矩阵形式并具有高或低的阈电压，以及其中检测放大器用于在时间上分散地放大信号。分别对应于奇数和偶数的相邻的数据线的第一和第二检测...

在一个半导体存储装置中，不受制作工艺起波的影响，实现高速的数据放大。公用数据线对的电位被差分放大器的电流负反馈设定在基准电压。以此方式降低了公用数据线对内的信号幅度。用负反馈环内的晶体管将来自存储单元的电流转变为电压。即使差分放大器的偏...

在有用主字线和字线分级的行译码器的半导体存储装置中，不增加备用主字线数，就能提高对故障的补救线数。能用最小的冗余电路面积提高芯片的合格率。该半导体存储装置对由多个存储单元构成的正常及备用存储字块进行再分块、即使故障地址扩及到多个正常主字...

涉及使用用铁电体的半导体存储器，特别是可以得到不存在由于极化反转疲劳引起速度降低并且可以进行和ＤＲＡＭ进行相同的处理的非易失性存储器。在具有多个至少由１个晶体管和１个铁电体电容器构成的存储单元的存储器中，通常，作为易失性存储器即ＤＲＡＭ...

一个半导体存储器结合一个操作电路对数据执行逻辑运算，对地址信号进行数字运算。该存储器是按功能排列的，从而使得代表这样操作的每个结果数据被写到一个存储器阵列，同时在同一个存储周期中通过外部端子被输出。