一种非易失性存储装置，包含非易失性存储器和控制器，　　　　其中所述非易失性存储器有多个非易失性存储单元，每个非易失性存储单元都能储存ｎ位信息，并可执行输出从所述非易失性存储单元读取的ｍ位信息的第一读取操作，以及输出从所述非易失性存储单元...

本发明的目的在于提供一种信息记录装置、信息记录媒体及信息记录方法，该信息记录装置、信息记录媒体及信息记录方法以一对电极挟持多个记录层的各层并分别向各层施加电压。向各记录层照射各自不同的激光光束进行并列记录。由于最初向记录媒体照射的光斑的...

本发明的课题是提供一种在非易失性磁存储器中具有转矩磁化反转功能的超低耗电的高集成存储单元，以及使用这种存储单元的随机存取存储器，本发明的技术解决手段是，在Ｃ－ＭＯＳＦＥＴ上具有转矩磁化反转层和隧道型磁阻效应膜。按照本发明可以实现耗电极小...

半导体存储器和高速缓存器，为使多存储体的存储器的快速存取（与前存取的字线不同的读出存取）高速化，使用多存储体构成的宏存储器，并将数据保持在各存储体的读出放大器中，当存取命中该保持数据时，输出锁存的数据，从而高速化。即使各存储体有读出放大...

本发明通过高效率地存储范围被指定的ＩＰ地址，减少必要的条目数，从而提高ＴＣＡＭ的存储器容量。本发明的具有代表性的一种装置如下：使存储信息（条目）和输入信息（比较信息或检索键）成为某一个位一定是逻辑值‘１’的公共的成组编码。此外，使匹配线...

即便存储器阵列的电压低，读出放大器也能够高速地从存储单元读出弱信号而电力消耗很小。将用于过激励的驱动开关分散地配置在读出放大器区域内，并将用于恢复的驱动开关集中地配置在读出放大器阵列的一端。通过网状电源线供给过激励电位。每个过激励开关最...

本发明的直接读出放大器，在作为位线连接到栅极的差动对而动作的ＭＯＳ晶体管和ＲＬＩＯ线之间，设置由在位线方向上布线的列选择线所控制的ＭＯＳ晶体管而使其隔离，进而，把作为差动对而动作的ＭＯＳ晶体管的源极连接到在字线方向上布线的共同源极线上。...

本发明涉及一种在记录媒体中进行磁化信息的写入以及读出的方法，以及一种磁性记录再生装置。形成包含磁性金属层１／非磁性金属层２／磁性金属层３的至少３层的薄膜结构，将金属探针５与此多层膜表面接近到纳米数量级的距离。通过在金属探针５与多层膜４１...

控制数据储存设备，包括存储部，所述存储部包括多个控制数据存储块以便储存控制数据。进一步提供了控制部，用于通过从控制数据存储块中进行选择来确定所选的存储块以便储存控制数据。

课题是实现具备ＣＡＭ的半导体器件的高速化或功耗的降低。把不同相位的控制时钟分配给已分割成多个存储区ＢＫ１、ＢＫ２的存储区阵列，用不同的相位进行词条和检索关键字的处理（读出动作、检索动作）。存储区化的存储区阵列，由分割得更小的多个子阵列Ｓ...

目的在于提供一种由半导体试验装置可对高速ＤＲＡＭ叠层封装进行试验和／或挽救的ＤＲＡＭ叠层封装、ＤＩＭＭ和半导体制造方法。本发明ＤＲＡＭ叠层封装的结构为：在层叠的多个ＤＲＡＭ４与连接试验装置（１）的用于至少输入输出地址、指令和数据的外部端...

存储卡，包括安装在基板前面之上的第一闪速存储器芯片；用于安装在基板前面之上的第一闪速存储器芯片的控制器芯片；设置在基板背面上的多个外部端子；覆盖第一闪速存储器芯片和控制器芯片的密封件；以及覆盖密封件和基板之前面的壳体；其中第一安装部分可...

一种存储卡，包括：具有一前面和一背面的基板；设置在基板背面上的外部端子；设置在基板前面之上的第一闪速存储器芯片；用于设置在基板前面之上的第一闪速存储器芯片、并与外部端子电连接的控制器芯片；以及限定存储卡的尺寸的壳体，壳体覆盖基板，其中基...

一种半导体集成电路器件，包括多个匹配线对、与上述多个匹配线对交叉的多个检索线对、以及配置在上述多个匹配线对和上述多个检索线对的交点上的多个存储单元，所述半导体集成电路器件的特征在于：　　　　上述多个匹配线对，具有预充电电路，　　　　上述...

本发明提供一种半导体存储器件，该半导体存储器件抑制面积损失，并且小型化时的动作余量大。例如，对于ＤＲＡＭ等的存储阵列（ＡＲＹ），采用由６４位数据位和９位校验位构成的纠错码方式，使伴随该纠错码方式的纠错码电路（ＥＣＣ）与读出放大器串（ＳＡ...

一种多功能ＩＣ卡（ＭＦＣ），具有与多媒体卡、ＳＤ卡等等的兼容性，该兼容性在于连接端子（＃１至＃１３）在卡基板（１）上以曲折方式配置成为２行，并且实现多功能设置，表现在存储卡单元（３）和ＳＩＭ卡单元（４）分别各自连接和安装于连接端子（＃１...

本发明提供一种半导体器件，在包含ＤＲＡＭ等半导体存储器的半导体器件中，实现动作余量的增大和消耗功率的降低。例如，具有由副放大器（ＳＡＭＰ）对从读出放大器阵列（ＳＡＡ）读出到本地输入输出线（ＬＩＯ）上的信号进行放大并传送到主输入输出线（Ｍ...

存储卡包括：基板；安装在基板之上的第一闪速存储器芯片；用于安装在基板之上的第一闪速存储器芯片的控制器芯片；以及覆盖基板、第一闪速存储器芯片和控制器芯片的卡体；其中存储卡可与适配器相连；其中存储卡在不包括适配器时的平面尺寸小于３２ｍｍ×２...

一种磁性存储装置包括磁隧道结（ＭＴＪ），具有铁磁自由层，表现出第一相对较高的阻态和第二相对较低的阻态。为了写入磁性存储装置，驱动电流Ｉ↓［ＭＴＪ］（１２５）通过ＭＴＪ。对于第一持续时间，该电流等于ＤＣ阈值电流，为在第一态和第二态之间转换...

本发明提供一种存储容量大且可高速读取、写入的ＲＯＭ及存储容量大且数据保持电流少的ＲＡＭ。本发明的半导体存储装置包括：非易失性存储器，其具有第１读取时间；随机存取存储器，其具有读取时间较所述第１读取时间短１００倍以上的第２读取时间；控制电...