半导体存储装置制造方法及图纸

技术编号:3087740 阅读:150 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
有一种半导体存储装置,其中包括存储晶体管的存储阵列的众多数据线分成众多的块,这些存储晶体管按照所存数据被安排成矩阵形式并具有高或低的阈电压,以及其中检测放大器用于在时间上分散地放大信号。分别对应于奇数和偶数的相邻的数据线的第一和第二检测放大器组如此安排,以便在第一组检测放大器送出输出信号时,将字线加以切换,同时另一组检测放大器完成操作,将对应于所切换的字线的存储单元中所读出的信号分别予以放大。(*该技术在2014年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体存储装置,更具体地,例如涉及到有效地用于高速读取的批量EEPROM(可电擦除和可编程只读存储器)的技术。批量EEPROM是非易失存储装置,它的功能是进行操作,用电的方法成批地擦除一个芯片上形成的所有存储单元,或擦除其中几组存储单元。这样的批量EEPROM在下列资料中都曾提到1980年IEEE国际固态电路会议论文集第152-153页;1987年IEEE国际固态电路会议论文集第76-77页;和1988年第23卷IEEE固态电路杂志第1157-1163页。图27是1987年国际电子装置会议支所报告的一个批量EEPROM单元的剖面结构图。在结构上该存储单元和任何普通存储单元都很相似;换句话说,它包括一个双层门结构中的绝缘门场效应管(以后称为MOSFET或简称为晶体管)。在图27中,参考数码8代表一个P型硅基片,11代表在硅基片8上形成的P型扩散层,10代表在硅基片8上形成的低密度N型扩散层,以及9代表分别在P型和N型扩散层11、10上形成的N型扩散层。还有,参考数码4代表通过P型硅基片8在薄氧化膜7上形成的浮动门,6代表通过氧化膜7在浮动门4上形成的控制门,3代表漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储装置,包括: 众多字线; 众多数据线; 众多存储单元;其中 每个存储单元具有一个第一扩散区和一个第二扩散区、一个浮动门和一个控制门,其中控制门连接至一条字线,同时第一扩散区连至一条数据线,所述半导体存储装置包括: 用于将通过数据线提供并存放在每个单储单元S中的数据加以放大以及将所放大数据加以输出的检测放大器,其中每个存储单元S都连至所选数据线;以及 用于顺序接收选择信号的选择切换线路,该选择信号用于将存储在所选存储单元S中的数据顺序提供给检测放大器;其中 选择切换线路根据检测放大器所收到的选择信号顺序地提供数据,同时其中检测放大器将数据线...

【技术特征摘要】
JP 1993-7-26 203570/931.一种半导体存储装置,包括众多字线;众多数据线;众多存储单元;其中每个存储单元具有一个第一扩散区和一个第二扩散区、一个浮动门和一个控制门,其中控制门连接至一条字线,同时第一扩散区连至一条数据线,所述半导体存储装置包括用于将通过数据线提供並存放在每个单储单元S中的数据加以放大以及将所放大数据加以输出的检测放大器,其中每个存储单元S都连至所选数据线;以及用于顺序接收选择信号的选择切换线路,该选择信号用于将存储在所选存储单元S中的数据顺序提供给检测放大器;其中选择切换线路根据检测放大器所收到的选择信号顺序地提供数据,同时其中检测放大器将数据线上的数据顺序加以放大並输出所放大的数据。2.根据权利要求1的半导体存储装置,其中根据众多数据线来提供检测放大器。3.根据权利要求2的半导体存储装置,还包括对地址信号作出响应而用于选择每个检测放大器的输出信号的数据选择线路。4.一种半导体存储装置,包括众多字线;众多数据线;众多存储单元;其中...

【专利技术属性】
技术研发人员:佐藤弘吉田敬一辻川哲也
申请(专利权)人:株式会社日立制作所
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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