半导体存储器制造技术

涉及使用用铁电体的半导体存储器，特别是可以得到不存在由于极化反转疲劳引起速度降低并且可以进行和ＤＲＡＭ进行相同的处理的非易失性存储器。在具有多个至少由１个晶体管和１个铁电体电容器构成的存储单元的存储器中，通常，作为易失性存储器即ＤＲＡＭ进行读出和写入。另一方面，仅在电源接通时，检测铁电体电容器的极化方向，进行变换为电容器的节点电位的动作。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及采用铁电体制成的半导体存储器，该半导体存储器不会由于极化反转疲劳而使速度劣化和DRAM进行同样的处理，同时又是非易失性存储器。使用铁电体制成的存储器、铁电随机存取存储器(FERAM以后称铁电存储器)是利用铁电体的极化方向进行存储的非易失性存储器。但是，当进行读出和写入时，随着极化反转后发生极化反转疲劳，速度也会减慢。另一方面，以往有将铁电存储器与DRAM(动态随机存取存储器)共用的装置。这是在电源接通的时刻为FERAM，在中间时间为DRAM，然后，在电源切断的时刻为FERAM的存储器。在作为DRAM使用时，由于进行读出写入不进行极化反转，所以，不会发生疲劳，在使用结束后又恢复到FERAM状态，成为非易失性存储器。但是，在这种装置中，如果在作为DRAM使用的过程中电源被切断等不能恢复为FERAM就结束时，则存储信息将全部消失，这是它的一个缺点。图1是旧有的铁电体、DRAM两用存储器一个示例。例如，特开平3-283176号公报记载的FERAM/DRAM两用存储器的阵列结构，就是图1所示的结构。该阵列结构与DRAM一样，存储单元由1个晶体管和1个电容器构成。为了向所希望本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体存储器，其特征在于：在数据线与字线的交点上配置成的存储单元矩阵中至少有１个是以铁电体为绝缘膜的电容器和场效应晶体管构成的存储单元，上述存储单元具有利用铁电体膜的极化方向存储信息的铁电存储器模式和利用电容器一边的节点电位存储信息的动态随机存取存储器模式（ＤＲＡＭ），并且包括用于发生切换上述２个模式的切换信号的切换电路，该切换电路检测到向存储器开始供给电源后，将上述切换信号设定为表示铁电存储器模式的第１状态，然后，将上述切换信号设定为表示与上述第１状态不同的ＤＲＡＭ模式的第２状态。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1993-12-22 324825/931.半导体存储器，其特征在于在数据线与字线的交点上配置成的存储单元矩阵中至少有1个是以铁电体为绝缘膜的电容器和场效应晶体管构成的存储单元，上述存储单元具有利用铁电体膜的极化方向存储信息的铁电存储器模式和利用电容器一边的节点电位存储信息的动态随机存取存储器模式(DRAM)，并且包括用于发生切换上述2个模式的切换信号的切换电路，该切换电路检测到向存储器开始供给电源后，将上述切换信号设定为表示铁电存储器模式的第1状态，然后，将上述切换信号设定为表示与上述第1状态不同的DRAM模式的第2状态。2.权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于在上述铁电存储器模式中，利用内部的控制电路发生的信号，对所希望的存储单元进行检索，通过检索动作，使其由作为铁电体膜的极化方向的非易失性信息自动变换为作为电容器一边的节点电位的易失性信息。3.权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于在上述铁电存储器模式中，与从外部输入的输入信号相对应，对至少一部分存储单元进行检索，根据检索，使其由作为铁电体膜的极化方向的非易失性信息变换为作为电容器一边的节点电位的易失性信息。4.权利要求2所述的半导体存储器，其特征在于权利要求1中所述的铁电存储器模式向DRAM模式的切换，是根据从电源供给开始之时起、经过一定时间后利用内部定时器发出的信号自动进行的。5.权利要求2或3所述的半导体存储器，其特征在于权利要求1中所述的铁电存储器模式向DRAM模式的切换，是根据检测到内部的计数器已进入规定状态之后进行的。...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹内干，堀口真志，青木正和，松野胜己，阪田健，卫藤润，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]