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涉及使用用铁电体的半导体存储器，特别是可以得到不存在由于极化反转疲劳引起速度降低并且可以进行和ＤＲＡＭ进行相同的处理的非易失性存储器。在具有多个至少由１个晶体管和１个铁电体电容器构成的存储单元的存储器中，通常，作为易失性存储器即ＤＲＡＭ进行...
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