株式会社日立高新技术专利技术

株式会社日立高新技术共有2368项专利

  • 提供一种计算机系统,提供从图像数据提取用于测量该图像数据的图案的所期望部位的尺寸的基点的坐标信息并使用该基点的坐标信息来测量所述尺寸的功能,在该计算机系统中,具备:前处理部,即使在学习器中使用的学习数据集中混合存在记载了全部基点的坐标的...
  • 提供一种等离子处理装置。等离子处理装置具备:对试样进行等离子处理的处理室;供给用于生成等离子的高频电力的第一高频电源;载置所述试样的试样台;以及向所述试样台供给高频电力的第二高频电源,等离子处理装置还具备:直流电源,其将直流电压施加给所...
  • 为了能够迅速地确定故障模式,本公开提出信息处理装置,具备:扩展的FMEA数据库,按每个故障影响包含检查对象的信息、检查对象与故障影响的关联度的信息、和检查对象的前兆事件的信息;以及处理器,取得被确认为事件的检查对象的信息,基于该取得的检...
  • 本发明的检查方法通过向吸引方向驱动第一柱塞,从流体箱向第一气缸内吸引流体,在吸引后,向排出方向驱动第一柱塞,在预定的第一时间期间停止第一柱塞,向排出方向驱动第一柱塞,根据从第一柱塞向排出方向的驱动开始时到第一柱塞向排出方向的驱动结束时由...
  • 在为了向自动分析装置的试剂或样本投入的自动化而导入具有六自由度以上的机械臂的情况下,制成机械臂的动作程序的示教作业繁杂,需要大量的时间和劳力。本自动分析系统具备:进行样本的分析的自动分析装置(122);搬送收纳液体的容器的搬送部(101...
  • 本发明的目的在于,提供不需要复杂的气体供给系统就能确保处理的效率、抑制异物的产的半导体装置的制造方法或半导体制造装置。代表性的本发明的半导体装置的制造方法之一具备如下工序:将形成于半导体晶片的处理对象的膜的加工剩余量与阈值进行比较;在供...
  • 一种前处理装置,其进行在抽吸了收纳于检体容器的液体的检体之后向其他检体容器排出并分注的分注处理,具备:分注喷嘴;分注喷嘴尖端,其能够拆装地设置于分注喷嘴的前端;废弃箱,其从分注喷嘴拆下分注喷嘴尖端并废弃;以及切断机构,其从长度方向侧方切...
  • 本发明提供一种自动分析辅助机器人,实施自动分析生物体试样的分析模块的检查,所述自动分析辅助机器人具备:车体;照相机,其搭载于所述车体;通信装置,其与所述分析模块直接或间接地进行通信;以及计算机,其控制所述车体以及所述照相机,所述计算机控...
  • 具备:仅用于生化项目的分析的第一机构组(202);仅用于免疫项目的分析的第二机构组(203);用于生化项目和免疫项目中的任何一者的分析的共用机构组(204);以及控制部(116),其在不需要生化项目的分析时不使第一机构组(202)动作地...
  • 本发明包括:检测从光源(44a)照射并透过反应液(3)的光的吸光光度计(44);检测从光源(45a)照射并在反应液(3)内散射的光的散射光度计(45);以及控制部(53),该控制部(53)基于由吸光光度计(44)或散射光度计(45)检测...
  • 本发明的目的在于提供能够抑制晶片处理中的晶片的位置偏移的晶片处理方法。本发明的晶片处理方法在具备具有能够对晶片进行静电吸附的电极的试样台的处理装置中,包含:无晶片的除电工序,不在所述试样台载置晶片而将所述试样台所带电的电荷除去;和晶片处...
  • 在具有将细线状或者片状的沟道在与基板垂直的方向上层叠的层叠沟道的GAA型FET等的三维构造中,提供如下手法:在具有将栅极与硅基板间绝缘分离的构造的器件的制造工序中,不改变用于形成层叠沟道的硅锗牺牲层和将栅极‑基板间绝缘分离所需的硅锗牺牲...
  • 本发明提供隔板,能基于被插入毛细管等细管的狭缝的周边构造来抑制制造成本并改善成品率。本发明的隔板(1)包括:能与排列的多个容器的开口部的内侧嵌合的多个筒状部(30)和形成在筒状部(30)各自的底部的狭缝(40),构成为在筒状部(30)与...
  • 本发明改善磁路部的连接区域的电感特性。输送装置(1)具备:多个磁路部(2),其具有沿着边(X1)配置的多个电磁致动器,沿着与边(X1)对置的边(X2)配置的多个电磁致动器,沿着边(Y1)配置的多个电磁致动器,以及沿着与边(Y1)对置的边...
  • 不会使用户负担有效地使用医用装置所搭载的各种功能的高级且复杂的业务,而推荐适合于医用装置的使用状况的有益的功能。向用户推荐能够由医用装置(102)执行的功能的功能推荐系统具备:运转信息记录部(103),其存储表示医用装置(102)的使用...
  • 本发明提供核苷酸序列确定方法,在1个反应系统中进行双链DNA的分析同时抑制成本和工夫。是确定构成双链的靶多核苷酸互补对中的核苷酸序列的方法,包括:使用包含与所述靶多核苷酸互补对的一个靶多核苷酸的一部分形成互补对的靶识别部位在内的第1引物...
  • 本发明的目的在于提供一种能够提高分析处理速度的自动分析装置。一种自动分析装置,具备对试样进行分析的分析模块和控制所述分析模块的控制部,所述控制部控制所述分析模块,使得针对登记于所述分析模块的多个测定项目中的被指示了校准、精度管理测定的测...
  • 具备:容纳部,其在测定检体前,预先容纳收纳有检体的检体容器(103);检体分注部(4),其从检体容器吸引检体;输入部,其接受用于将紧急检体容纳于容纳部的指令;控制部(7),其控制在接受到所述指令的时间点由分注机构进行的第一动作结束后,不...
  • 本发明的目的在于提供一种提高了使用者的便利性的自动分析装置和自动分析系统。为此,本发明包括第一自动分析装置,该第一自动分析装置具有对用于校正或精度管理的检体进行保管的保管部;以及第二自动分析装置,所述第一自动分析装置具有使用由所述保管部...
  • 本发明提供一种能够通过控制工艺条件来实现垂直性的蚀刻的技术。本发明的等离子体处理方法之一是形成浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation)的方法,具有:第一工序,利用等离子体对硅进行蚀刻;第二工序,使含有硅元素的沉积膜...