一种感光性膜，其含有

提供在水中的溶解性高

一种研磨液，其含有磨粒

本公开涉及SiC外延晶片及SiC器件，该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板的SiC的外延层，所述外延层包含决定导电型的杂质和导电型与所述杂质不同的硼，所述外延层的中心处的由二次离子质谱分析法测定出的所述硼的浓度为小于5.0

本发明公开了一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括如下工序：提供具备第1半导体基板及第1布线层的第1集成电路元件的工序；提供具备第2半导体基板及第2布线层的第2集成电路元件的工序；将第1集成电路元件的第1绝缘层与第2集成电...

本发明涉及层叠包装用印刷油墨组合物及印刷物的制造方法。所述层叠包装用印刷油墨组合物含有印刷油墨用粘合剂、着色剂及有机溶剂。所述印刷油墨用粘合剂含有聚氨酯树脂和其他树脂。所述聚氨酯树脂为含有(A)多元醇、(B)二羟甲基丙酸、(C)二异氰酸...

本发明涉及一种永久抗蚀剂用的感光性树脂组合物，其含有(A)酸改性含乙烯基树脂、(B)弹性体、(C)光聚合引发剂、(D)固化剂及(E)包含表面处理填料的无机填料。表面处理填料的无机填料。

半导体装置的制造方法具备：准备第1半导体基板的工序；准备第2半导体基板的工序；研磨第2半导体基板的第2绝缘膜的工序；将第2半导体基板单片化，获取分别具备与第2绝缘膜对应的绝缘膜部分和第2电极的多个半导体芯片的工序；对第1半导体基板的第1...

一种涂液的制造方法，其包括：准备工序，准备含有高分子类乳化剂、粘合剂树脂及液态介质的乳液、以及气凝胶粒子；及混合工序，将在准备工序中所准备的乳液及气凝胶粒子进行混合，使凝聚气凝胶粒子的至少一部分凝聚，从而获得含有气凝胶粒子的凝聚体、高分...

半导体装置的制造方法具备：提供具备第1半导体基板和第1绝缘膜及第1电极的第1集成电路元件的工序；提供具有第2半导体基板和第2绝缘膜及第2电极的第2集成电路元件的工序；将第1绝缘膜和第2绝缘膜相互接合的工序；及将第1电极和第2电极相互接合...

一种烧结铜柱形成用铜膏，其含有铜粒子和有机分散介质，其中，作为铜粒子，含有体积平均粒径为0.05～0.35μm的第1亚微米铜粒子、体积平均粒径为0.5～1.5μm的第2亚微米铜粒子、及体积平均粒径为2～5μm的球状微米铜粒子，以铜粒子的...

提供一种氟化氢气体去除装置，能够长时间地连续进行从含有氟化氢气体的混合气体中去除氟化氢气体的去除处理而不用将其停止。氟化氢气体去除装置能够从含有氟化氢气体和其他种类气体的混合气体中去除氟化氢气体。该氟化氢气体去除装置具备：实行通过使混合...

提供一种氟化氢气体去除装置，其在实行使用去除剂从含有氟化氢气体的混合气体中去除氟化氢气体的去除处理时，不易产生去除剂的粘连。一种氟化氢气体去除装置，能够从含有氟化氢气体和其他种类气体的混合气体中去除氟化氢气体。该氟化氢气体去除装置具备：...

提供能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻具有氮化硅的蚀刻对象物的蚀刻气体以及蚀刻方法。一种蚀刻气体，含有亚硝酰氟，并且作为杂质含有硝酰氟，硝酰氟的浓度为0.0001质量ppm以上且100质量ppm以下。一种蚀刻方法，具备蚀刻工序，在所述蚀...

一种树脂组合物，其含有弹性体、甲基丙烯酸系化合物及热聚合引发剂。一种该树脂组合物的固化物。一种层叠体，其具备基材膜、及配置在该基材膜上的透明树脂层，所述透明树脂层包含所述树脂组合物或所述固化物。一种透明天线(110)，其具备透明基材(1...

冷却结构体具备形成用于使制冷剂流通的流路的流路形成构件，在所述流路形成构件的底部内壁，与所述流路形成构件的侧部内壁分离地设有冷却翅片设置区域，所述冷却翅片设置区域设置有从所述底部内壁向所述流路内突出设置的至少一个冷却翅片，在所述流路形成...

本发明能够提供一种即使以低曝光量仍可进行显影和图案形成的、含有黑色着色剂的高灵敏度的感光性树脂组合物。一种感光性树脂组合物，其含有(A)粘合剂树脂、(B1)第1醌重氮加成物、(B2)第2醌重氮加成物以及(C)黑色着色剂，(B1)第1醌重...

半导体装置的制造方法具备：准备多个半导体元件的工序；准备支承部件的工序；以多个半导体元件的第2面朝向支承部件的方式将多个半导体元件安装于支承部件的工序；借由密封材料密封多个半导体元件的工序；从借由密封材料密封多个半导体元件的密封材料层去...

本发明涉及一种聚酰胺酰亚胺树脂，其包含下式所表示的结构单元(Ia)以及选自下式所表示的结构单元(IIa)、结构单元(IIb)和结构单元(IIc)中的至少一种。在结构单元(Ia)中，X各自独立地表示氢原子、或选自卤素原子、碳数1～9的烷基...

一种组成物，其含有由下述式(1)表示的化合物和由下述式(2)表示的化合物，在式(1)中，R