株式会社力森诺科专利技术

株式会社力森诺科共有1155项专利

  • 一种信息处理系统,具有使用伊辛模型的退火方式的计算装置、以及将逐渐接近于目标物性值的材料组成的组合优化问题转换为伊辛模型来使计算装置求解的材料组成探索装置,包括:输入接受部,接受至少一个物性的目标值的输入;转换部,将对从物性值已知的材料...
  • 本发明涉及树脂组合物、使用了该树脂组合物的树脂膜、印刷电路板和半导体封装体,所述树脂组合物含有(A)热固化性树脂;(B)25℃下为液体状、具有反应性基团、且分子量为1000以下的化合物;以及(C)无机填充材料。
  • 输入数据生成系统(10)为生成对基于已知的结构的原材料的材料的特性进行预测的机器学习用的输入数据的输入数据生成系统,其至少具备1个处理器,至少1个处理器进行以下的处理:从数据库获取表示部分结构的部分结构数据;至少接受确定原材料的结构的原...
  • 一种物性预测装置,预测化合物的物性,具有:生成部,将第1阶段的合成信息和合成结果信息作为学习数据使用,生成第1阶段的学习完毕模型;生成部,将第n阶段(n≥2)的合成信息、第n阶段的合成结果信息、第n‑1阶段的合成结果信息作为学习数据使用...
  • 本发明提供在利用使用了杂多酸催化剂的烯烃的水合反应制备醇时,能够长期稳定地使用催化剂的方法。在使用杂多酸催化剂的烯烃的水合反应中,将催化剂层内的温度差设定为特定值以下。具体来说,在使用负载了杂多酸或其盐的固体酸催化剂,向反应器中供给水和...
  • 提供可以形成即使厚度薄也具有优异的耐磨损性、且由脱落引起的膜厚减少不易发生的润滑层的含氟醚化合物。下述式所示的含氟醚化合物。R<supgt;1</supgt;‑R<supgt;2</supgt;‑O‑CH<...
  • 本发明为一种锂离子二次电池用正极合剂层,其能提供适合于制造常温及低温下的速率特性高并且低温下的内阻(DCR)低的锂离子二次电池的锂离子二次电池用正极合剂层,所述锂离子二次电池用正极合剂层的特征在于,其包含正极活性物质、粘结剂和导电助剂,...
  • 本发明的课题在于提供能够兼顾高的硅利用率和水分散时的氧化抑制的复合体粒子。本发明的复合体粒子是具有包含碳材料和硅的粒子、以及位于所述粒子的表面且包含碳和氧的涂层的复合体粒子,真密度为1.80~1.99g/cm3,在拉曼光谱中,峰存在于4...
  • 输入数据生成系统(10)为生成对基于包含已知的部分结构的多种原材料的材料的特性进行预测的机器学习用的输入数据的输入数据生成系统,其具备处理器(101),处理器(101)进行以下的处理:至少接受确定多种原材料的各自的已知的部分结构的部分结...
  • 本发明涉及一种粘合剂用组合物、粘合膜和表面保护膜。所述粘合剂用组合物含有(甲基)丙烯酸类聚合物(A)、碱金属盐(B)和由式(I)表示的化合物(C),所述(甲基)丙烯酸类聚合物(A)的重均分子量为50000以上且800000以下,式(I)...
  • 一种复合体粒子,包含碳和硅,且含有结晶性的金属氧化物粒子,所述金属氧化物粒子的末端存在于比所述复合体粒子的表面靠内侧,并且,在所述复合体粒子表面存在孔。根据本发明,能够提供一种复合体粒子,其中,使硅在具备规定的细孔的碳材料的细孔内附着,...
  • 一种固化剂,其含有吡啶鎓盐,所述吡啶鎓盐在1位具有苄基,且在2位具有吸电子基团,所述苄基具有给电子基团。一种黏合剂组合物,其含有吡啶鎓盐及阳离子聚合性化合物,所述吡啶鎓盐在1位具有苄基,且在2位具有吸电子基团,所述苄基具有给电子基团。一...
  • 提供能够不使用等离子体而与非蚀刻对象物相比选择性地且以充分的蚀刻速度蚀刻含有镧的蚀刻对象物的干式蚀刻方法。一种干式蚀刻方法,具备干式蚀刻工序,在干式蚀刻工序中,使含有亚硝酰氟的蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件(12)接...
  • 本发明提供一种树脂组合物,其含有聚合物(A),该聚合物(A)至少具有源自(甲基)丙烯酸羟基苯酯的结构单元及源自亚苯基二(甲基)丙烯酸酯的结构单元。
  • 本发明提供一种能够有效地降低半导体封装表面的光泽度的脱模膜、和使用该脱模膜的半导体封装的制造方法。本发明的脱模膜包含脱模层和基材层,所述脱模层包含两种以上的聚合物,所述脱模层的表面具有凹凸形状,满足(1)~(3)的至少一个。(1)在平面...
  • 本发明提供可以抑制暴露于高温环境下所带来的固化物强度变化的可自由基聚合的树脂组合物。本发明的可自由基聚合的树脂组合物包含可自由基聚合的树脂(A)、烯属不饱和化合物(B)、受阻酚化合物(C)和受阻胺化合物(D)。
  • 一种研磨液,其用于研磨被研磨部件,所述研磨液含有包含铈氧化物的磨粒,所述被研磨部件含有树脂及包含硅化合物的粒子。一种研磨方法,使用该研磨液,对含有树脂及包含硅化合物的粒子的被研磨部件进行研磨。一种零件的制造方法,使用通过该研磨方法研磨的...
  • 本发明提供一种脱模层的断裂得以抑制、且能够减少半导体封装表面的密封材料的流痕的脱模膜、和使用该脱模膜的半导体封装的制造方法。本发明的脱模膜包含脱模层和基材层,所述脱模层的断裂伸长率大于或等于100%,且所述脱模层的表面粗糙度Ra大于或等...
  • 一种富勒烯制造装置的运转方法,所述富勒烯制造装置具备生成包含富勒烯的煤状物的反应炉,所述运转方法具备煤状物生成工序和煤状物除去工序,在所述煤状物生成工序中,通过燃烧器向所述反应炉内供给包含烃的原料和含氧气体,在层流燃烧状态下使所述原料不...
  • 本发明提供一种配线基板的制造方法,其包括:工序(I),在支撑基板的表面上形成绝缘材料层;工序(II),在绝缘材料层的表面上通过无电解镀铜形成第一导电层;工序(III),形成贯通第一导电层及绝缘材料层的第一开口部;工序(IV),在第一导电...