【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂以及磁记录介质。本申请基于2021年6月29日在日本申请的特愿2021-107598号而主张优先权，将其内容援用到本文中。
技术介绍
1、为了提高磁记录再生装置的记录密度，适于高记录密度的磁记录介质的开发发展。
2、以往，作为磁记录介质，有在基板上形成记录层、在记录层上形成了碳等的保护层的物质。保护层保护被记录于记录层的信息，并且提高磁头的滑动性。然而，仅通过在记录层上设置保护层，不能充分获得磁记录介质的耐久性。因此，一般而言，在保护层的表面涂布润滑剂而形成润滑层。
3、作为在形成磁记录介质的润滑层时所使用的润滑剂，提出了例如，含有在具有包含cf2的重复结构的氟系的聚合物的末端具有羟基、氨基、氰基等极性基的化合物的物质。
4、例如，在专利文献1中，公开了在全氟聚醚链的两末端连接具有极性基的2价连接基，其至少一方结合有碳原子数1～8的有机基的1个以上氢原子被氰基取代了的末端基的含氟醚化合物。
5、此外，在专利文献2中，公开了具有在全氟聚醚的分子链的末端导入了氨基醇基的结构的聚醚化合物。
6、此外，在专利文献3中，公开了在全氟聚醚链与两末端基之间分别配置了将醚键(-o-)、亚甲基(-ch2-)、和1个氢原子被羟基取代了的亚甲基(-ch(oh)-)组合而得的连接基的含氟醚化合物。
7、现有技术文献
8、专利文献
9、专利文献1：国际公开第2019/039200号
10、专利文献2：日
11、专利文献3：国际公开第2019/054148号
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、在磁记录再生装置中，更进一步要求使磁头的上浮量小。因此，要求使磁记录介质中的润滑层的厚度更薄。然而，一般而言，如果使润滑层的厚度薄，则有磁记录介质的耐磨损性降低的倾向。
3、作为在维持充分的耐磨损性的同时使润滑层的膜厚薄的方法，可以考虑使用平均分子量小的润滑剂。然而，使用平均分子量小的润滑剂而形成了的润滑层易于发生脱落。
4、近年来，随着磁记录介质的迅速的记录密度的提高，磁记录介质的旋转速度高速化了。如果使磁记录介质以高速旋转，则有时发生通过旋转中的离心力而润滑剂飞散、或通过在旋转时产生的热而润滑剂蒸发的现象。该现象被称为脱落。
5、如果脱落发生，则润滑层的膜厚减少，因此润滑层的耐磨损性缓慢降低。其结果，在最差的情况下，引起由磁头的接触引起的磁记录介质的破损(磁头碰撞)。作为抑制脱落、维持润滑层的耐磨损性、提高磁记录介质的耐久性的方法，使用平均分子量大的润滑剂是有效的。
6、本专利技术是鉴于上述情况而提出的，其目的是提供可以形成即使厚度薄也具有优异的耐磨损性、并且不易发生由脱落引起的膜厚减少的润滑层，可以适合作为磁记录介质用润滑剂的材料而使用的含氟醚化合物。
7、此外，本专利技术的目的是提供包含本专利技术的含氟醚化合物的磁记录介质用润滑剂。
8、此外，本专利技术的目的是提供具有包含本专利技术的含氟醚化合物的润滑层的、具有优异的可靠性和耐久性的磁记录介质。
9、用于解决课题的方法
10、本专利技术人为了解决上述课题而反复进行了深入研究。
11、其结果发现，只要制成下述含氟醚化合物即可，该含氟醚化合物具有在全氟聚醚链的两端分别经由连接基而结合了末端基的结构，被配置在两端的连接基之中的至少一者具有1个以上仲胺结构(-nh-)，被配置在两端的连接基与末端基结合了的结构之中的至少一者具有1个以上氰基(-cn)，从而想到了本专利技术。
12、即，本专利技术涉及以下事项。
13、[1]一种含氟醚化合物，其特征在于，由下述式(1)表示。
14、r1-r2-o-ch2-r3-ch2-o-r4-r5 (1)
15、(在式(1)中，r3为全氟聚醚链。r1和r5各自独立地为由可以具有取代基的烷基、具有双键或三键的烃基中的任一者构成的末端基。r2和r4各自为包含1个以上杂原子的2价连接基，具有1个以上极性基，并且与r1和r5结合侧的最末端为杂原子。r2和r4中的至少一者包含1个以上仲胺结构。r1-r2-和-r4-r5中的至少一者具有1个以上氰基。)
16、[2]根据[1]所述的含氟醚化合物，上述r2和r4的极性基为选自仲胺结构、羟基和氰基中的任一者。
17、[3]根据[1]所述的含氟醚化合物，在上述式(1)中，-r2-o-由下述式(2)表示，-o-r4-由下述式(3)表示。
18、-[a]a[b]d-o- (2)
19、-o-[c]g[d]j- (3)
20、(在式(2)中，[a]由下述式(4-1)表示，[b]由下述式(4-2)表示。在式(2)中[a]、[b]的排列顺序可以互换。a为0～3的整数，d为0～3的整数，a、d中的至少1个为1以上。式(4-1)中的与x相反侧的末端-ch2-或(4-2)中的与x相反侧的末端-ch2-与式(2)中的-o-结合。)
21、(在式(3)中，[c]由下述式(5-1)表示，[d]由下述式(5-2)表示。在式(3)中[c]、[d]的排列顺序可以互换。g为0～3的整数，j为0～3的整数，g、j中的至少1个为1以上。式(5-1)中的与x相反侧的末端-ch2-或(5-2)中的与x相反侧的末端-ch2-与式(3)中的-o-结合。)
22、
23、(在式(4-1)中，b、c各自为0～4的整数。在式(4-2)中，e、f各自为0～4的整数。在式(5-1)中，h、i各自为0～4的整数。在式(5-2)中，k、l各自为0～4的整数。在式(4-1)、(4-2)、(5-1)、(5-2)中，x为o或nh。式(4-1)、(4-2)、(5-1)、(5-2)中的x之中的1个以上为nh。)
24、[4]根据[1]～[3]中任一项所述的含氟醚化合物，分子中包含的仲胺结构的数目为2以上。
25、[5]根据[1]～[4]中任一项所述的含氟醚化合物，分子中包含的羟基的数目为3以下。
26、[6]根据[1]～[5]中任一项所述的含氟醚化合物，分子中包含的氰基的数目为3以下。
27、[7]根据[1]～[6]中任一项所述的含氟醚化合物，分子中包含的仲胺结构与羟基与氰基的合计数为8以下。
28、[8]根据[1]～[7]中任一项所述的含氟醚化合物，分子中包含的仲胺结构的数目为2以上，羟基的数目为3以下，氰基的数目为3以下，并且仲胺结构与羟基与氰基的合计数为8以下。
29、[9]根据[1]～[8]中任一项所述的含氟醚化合物，上述式(1)中的-r2-o-为下述式(11-1)～(11-12)中的任一者。
30、
31、
32、[10]根据[1]～[9]中任一本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种含氟醚化合物，其特征在于，由下述式(1)表示，
2.根据权利要求1所述的含氟醚化合物，所述R2和R4的极性基为选自仲胺结构、羟基和氰基中的任一者。
3.根据权利要求1所述的含氟醚化合物，在所述式(1)中，-R2-O-由下述式(2)表示，-O-R4-由下述式(3)表示，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的含氟醚化合物，分子中包含的仲胺结构的数目为2以上。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的含氟醚化合物，分子中包含的羟基的数目为3以下。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的含氟醚化合物，分子中包含的氰基的数目为3以下。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的含氟醚化合物，分子中包含的仲胺结构与羟基与氰基的合计数为8以下。
8.根据权利要求1～3中任一项所述的含氟醚化合物，分子中包含的仲胺结构的数目为2以上，羟基的数目为3以下，氰基的数目为3以下，并且仲胺结构与羟基与氰基的合计数为8以下。
9.根据权利要求1～3中任一项所述的含氟醚化合物，所述式(1)中的-R2-O-为下述式(11
10.根据权利要求1～3中任一项所述的含氟醚化合物，所述可以具有取代基的烷基为具有羟基或氰基的烷基。
11.根据权利要求1～3中任一项所述的含氟醚化合物，所述具有双键或三键的烃基为包含芳香族烃的基团、包含芳香族杂环的基团、烯基、和炔基中的任一者。
12.根据权利要求1～3中任一项所述的含氟醚化合物，所述式(1)中的R3为下述式(6)～(10)中的任一者，
13.根据权利要求1所述的含氟醚化合物，所述式(1)所示的化合物为下述式(A)、(J)、(P)、(Q)和(U)所示的化合物中的任一者，
14.根据权利要求1～3中任一项所述的含氟醚化合物，其数均分子量在500～10000的范围内。
15.一种磁记录介质用润滑剂，其特征在于，包含权利要求1～3中任一项所述的含氟醚化合物。
16.一种磁记录介质，其特征在于，是在基板上至少依次设置了磁性层、保护层、和润滑层的磁记录介质，
17.根据权利要求16所述的磁记录介质，所述润滑层的平均膜厚为0.5nm～2.0nm。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种含氟醚化合物，其特征在于，由下述式(1)表示，
2.根据权利要求1所述的含氟醚化合物，所述r2和r4的极性基为选自仲胺结构、羟基和氰基中的任一者。
3.根据权利要求1所述的含氟醚化合物，在所述式(1)中，-r2-o-由下述式(2)表示，-o-r4-由下述式(3)表示，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的含氟醚化合物，分子中包含的仲胺结构的数目为2以上。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的含氟醚化合物，分子中包含的羟基的数目为3以下。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的含氟醚化合物，分子中包含的氰基的数目为3以下。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的含氟醚化合物，分子中包含的仲胺结构与羟基与氰基的合计数为8以下。
8.根据权利要求1～3中任一项所述的含氟醚化合物，分子中包含的仲胺结构的数目为2以上，羟基的数目为3以下，氰基的数目为3以下，并且仲胺结构与羟基与氰基的合计数为8以下。
9.根据权利要求1～3中任一项所述的含氟醚化合物，所述式(1)中的-r2-o-为下述式(11-...
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