一种原料的选择方法，其为用于获得磨粒的原料的选择方法，所述原料包含铈，根据通过正电子湮没法测定的正电子寿命的平均值来选择所述原料。一种原料，其用于获得磨粒，所述原料包含铈，通过正电子湮没法测定的正电子寿命的平均值为285～360ps。一...

一种研磨液，其含有磨粒、添加剂及水，所述添加剂含有(A1)重均分子量350～2800的聚甘油、及(B)具有键合有羟烷基的2个以上的氮原子的化合物。一种研磨液，其含有磨粒、添加剂及水，所述添加剂含有(A2)羟基值800～1000mgKOH...

提供一种热固化性树脂组合物，其为含有高介电常数材料的热固化性树脂组合物，在制造其固化物时，能够抑制释气的产生、耐热性的降低和剥离强度的降低。另外，还提供使用该热固化性树脂组合物而得到的预浸料、树脂膜、层叠板、印刷布线板、天线装置、天线模...

一种原料的选择方法，其为用于获得磨粒的原料的选择方法，其中，所述原料包含铈，根据对所述原料进行热重分析而获得的热重曲线的微分曲线中的峰顶温度来选择所述原料。一种原料，其为用于获得磨粒的原料，其中，所述原料包含铈，对所述原料进行热重分析而...

本发明公开了一种含有热固性树脂成分及弹性体的膜状黏合剂。在升温速度10℃/分钟及测定温度范围30～300℃的条件下实施差示扫描热量测定而获得的膜状黏合剂的DSC曲线中，在该DSC曲线中观测到的放热峰的起始温度为165℃以下，峰值温度为1...

一种树脂组合物，其含有(A)热固性树脂和(B)数均分子量大于或等于1,000的苊聚合物。

半导体装置的制造方法包括：准备第1半导体基板的工序；准备第2半导体基板的工序；将第2半导体基板单片化，获取多个半导体芯片的工序；及将第1半导体基板及半导体芯片加热及加压，使第1有机绝缘膜与半导体芯片的绝缘膜部分相互接合，并且使第1电极与...

一种锂离子二次电池用负极材料，其包含石墨粒子，且满足如下条件：对于所述石墨粒子，将在拉曼分光测定中得到的拉曼分光光谱中的在1580cm‑1～1620cm‑1的范围的最大峰的强度Ig与在1300cm‑1～1400cm‑1的范围的最大峰的强...

下述式所示的含氟醚化合物。R1‑O‑R2‑CH2‑R3‑CH2‑R4‑O‑R5(R3为全氟聚醚链。R2和R4为具有1个以上极性基的2价连结基。R1和R5为式(2)、式(3)或氢原子。R1和R5之中的至少一者为式(2)或式(3)。在式(2...

一种磨粒的选择方法，其中，所述磨粒包含铈，根据微晶直径来选择所述磨粒。一种磨粒，其包含铈，微晶直径为30nm以上。一种研磨液，其含有所述磨粒和水。一种多液式研磨液，其具备：第1液，含有所述磨粒和水；以及第2液，含有所述磨粒及水以外的成分...

下述式所示的含氟醚化合物。R<supgt;1</supgt;‑CH<subgt;2</subgt;‑R<supgt;2</supgt;[‑CH<subgt;2</subgt;‑R<s...

下述式所示的含氟醚化合物。R<supgt;1</supgt;‑CH<subgt;2</subgt;‑R<supgt;2a</supgt;‑CH<subgt;2</subgt;‑R<s...

冷却结构体，其具备：设置有制冷剂的流入口及流出口而成的外包材料；和内芯材料，其配置于前述外包材料的内部。前述内芯材料包含树脂而构成，在前述外包材料的内部具备在前述冷却结构体的厚度方向上对前述内芯材料进行增强的增强部件。

提供能够显现出基板(层叠板)的尺寸稳定性的预浸料。此外，提供使用该预浸料得到的层叠板、印刷线路板以及半导体封装体。具体而言，提供预浸料等，所述预浸料具有含有热固性树脂(A)及无机填充材料(B)的热固性树脂组合物或其半固化物和一个纤维基材...

本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其具备：树脂膜形成工序，在半导体晶圆上形成包含通过与水反应而低分子化的树脂的树脂膜；带有树脂膜片的半导体芯片制作工序，通过将形成有所述树脂膜的所述半导体晶圆用切割刀片进行切割而制作单片化的带有树脂膜片...

图案的检查方法包括：坐标测定工序，测定对象基板中的图案的轮廓的坐标，所述对象基板为形成有作为抗蚀剂图案及导体图案中的任一者的图案的用于装载半导体元件的半导体封装基板及印刷线路板中的任一者；及检查工序，根据所述坐标来检查所述图案。对象基板...

本发明涉及带树脂的金属箔、使用了该带树脂的金属箔的印刷线路板的制造方法和半导体封装体的制造方法，上述带树脂的金属箔具有金属箔、以及设于该金属箔的一侧表面的含有树脂组合物的树脂层，上述树脂组合物含有：(A)热固性树脂；(B)25℃下为液状...

本发明公开了一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具备：第1层叠体制作工序，制作依次具备半导体晶圆、包含通过照射光而低分子化的树脂的树脂层及基材层的第1层叠体；第2层叠体制作工序，对第1层叠体的半导体晶圆进行背面磨削而制作第2...

本发明公开了一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具备：树脂膜形成工序，在半导体晶圆上形成包含通过照射光而低分子化的树脂的树脂膜；带有树脂膜片的半导体芯片制作工序，通过将形成有树脂膜的半导体晶圆用切割刀片进行切割而制作单片化的...

本发明提供一种高频特性优异、且能够表现出与导体的高粘接性和高耐热性的树脂组合物等。具体而言，上述树脂组合物含有(A)热固性树脂和(B)热塑性树脂，上述(B)热塑性树脂包含(B1)嵌段共聚物，所述(B1)嵌段共聚物具有嵌段(b1)和嵌段(...