半导体装置的制造方法制造方法及图纸

半导体装置的制造方法包括：准备第1半导体基板的工序；准备第2半导体基板的工序；将第2半导体基板单片化，获取多个半导体芯片的工序；及将第1半导体基板及半导体芯片加热及加压，使第1有机绝缘膜与半导体芯片的绝缘膜部分相互接合，并且使第1电极与第2电极相互接合的工序。在将第1半导体基板及半导体芯片加热之前，第1电极从第1有机绝缘膜的表面突出的第1突出量及第2电极从第2有机绝缘膜或绝缘膜部分的表面突出的第2突出量中的至少一者为相对于式(1)所示的突出量ΔL在130％以内的突出量。在式(1)中，D为有机绝缘膜的膜厚，ΔT为加热温度的温度差，α1为有机绝缘膜的线膨胀系数，α2为电极的线膨胀系数。[数式1]

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、近年来，为了提高lsi的集成度正在研究三维安装。在非专利文献1中，公开了半导体芯片的三维安装的一例。

2、以往技术文献

3、非专利文献

4、非专利文献1：f.c.chen et al.,“system on integrated chips(soic tm)for3dheterogeneous integration”：用于3d异质集成的系统集成芯片(soic tm),2019ieee69th electronic components and technology conference：第69届电子元件与技术会议(ectc),p.594-599(2019)

技术实现思路

1、专利技术要解决的技术课题

2、进行这种半导体芯片的三维安装的情况下，为了配线的微细化，正在研究使用用于wafer-to-wafer(w2w：晶圆到晶圆)接合的混合接合技术。该情况下，与w2w工艺不同，使用chip-on-wafer(c本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置的制造方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其进一步包括：

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，>

9.根据权利...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置的制造方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其进一步包括：

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：白坂敏明，柴田智章，福住志津，奥田唯史，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：