膜状黏合剂、切割晶粒接合一体型膜、以及半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种含有热固性树脂成分及弹性体的膜状黏合剂。在升温速度10℃/分钟及测定温度范围30～300℃的条件下实施差示扫描热量测定而获得的膜状黏合剂的DSC曲线中，在该DSC曲线中观测到的放热峰的起始温度为165℃以下，峰值温度为185℃以下，且发热量为90J/g以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种膜状黏合剂(adhesive)、切割晶粒接合(dicing/die-bonding)一体型膜、以及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

1、近年来，将半导体芯片层叠为多级而成的堆叠式(stacked)mcp(multi chippackage：多芯片封装)正在普及，作为移动电话、便携式音频设备用存储器半导体封装件等而搭载。并且，伴随移动电话等的多功能化，也推进半导体封装件的高速化、高密度化、高集成化等。

2、作为半导体装置的制造方法，通常使用在半导体晶圆的背面贴附具备黏合剂层及压敏胶黏剂(pressure-sensitive adhesive)层的切割晶粒接合一体型膜，之后，切割半导体晶圆、黏合剂层及压敏胶黏剂层的一部分而使其单片化的方式(半导体晶圆背面贴附方式)。例如，在专利文献1、2中公开了用于这种方式中的黏合剂层的膜状黏合剂。

3、以往技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：国际公开第2013/133275号

6、专利文献2：国际公开第2020/013250号

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【技术保护点】

1.一种膜状黏合剂，其含有热固性树脂成分及弹性体，其中，

2.根据权利要求1所述的膜状黏合剂，其可以进一步含有无机填料，其中，

3.根据权利要求1或2所述的膜状黏合剂，其中，

4.根据权利要求3所述的膜状黏合剂，其中，

5.根据权利要求1或2所述的膜状黏合剂，其中，

6.根据权利要求1或2所述的膜状黏合剂，其中，

7.根据权利要求1或2所述的膜状黏合剂，其用于层叠多个半导体芯片而成的半导体装置的制造工艺。

8.根据权利要求7所述的膜状黏合剂，其中，

9.一种切割晶粒接合一体型膜，其依次具备基材...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种膜状黏合剂，其含有热固性树脂成分及弹性体，其中，

2.根据权利要求1所述的膜状黏合剂，其可以进一步含有无机填料，其中，

3.根据权利要求1或2所述的膜状黏合剂，其中，

4.根据权利要求3所述的膜状黏合剂，其中，

5.根据权利要求1或2所述的膜状黏合剂，其中，

6.根据权利要求1或2所述的膜状黏合剂，其中，

7.根据权利要求1或2所述的膜状黏合剂，其用于层叠多个半导体芯片而成的半导体装置的制造工艺。

8.根据权利要求7所述的膜状黏合剂，其中，

9.一种切割晶粒接合一体型膜，其依次具备基材层、压敏胶黏剂层及由权利要求1或2所述的膜状黏合剂形成的黏合剂层...

【专利技术属性】
技术研发人员：黑田孝博，丹羽孝明，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：