中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术

中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利

  • 本发明涉及一种智能电网厂站侧的满足无线多业务通信QoS的方法,包括以下步骤:建立智能电网厂站侧通信平台;构建多元业务终端接入的微功率无线通信方案;所述微功率无线通信方案为采用Wi
  • 本发明涉及一种叠层SOI器件结构及制备方法。该器件结构自上而下依次包括:顶层硅层、隔离层A、配置层、隔离层B、衬底硅层,所述器件结构还包括顶硅层有源区、位于所述顶硅层有源区外端的浅沟槽隔离区、位于所述配置层外端的有源区、依次贯穿所述浅沟...
  • 本发明涉及一种传感器输出延时标定装置和方法,其中,标定装置中的同步信号发生装置用于产生同步输出的第一信号和第二信号;所述信号预处理模块用于对所述第一信号和所述第二信号进行幅值处理;协议解析模块用于解析第一信号经待测传感器输出的数字信号,...
  • 本发明涉及一种堆叠式增强型GaNHEMT器件及其制备方法,所述器件采用背栅SOILDMOS与D
  • 本发明涉及一种低损耗硅光芯片的端面耦合结构,包括硅衬底,所述硅衬底上设有激光器安装区,所述激光器安装区的一侧且在硅衬底上设置有埋氧层,所述埋氧层上设置有浅刻蚀区,所述埋氧层和浅刻蚀区形成的截面刻蚀有斜切端面,所述斜切端面用于减小反射损耗...
  • 本发明提供一种脉冲产生电路,包括:环形振荡器模块及计数模块;其中,环形振荡器模块用于在输入信号的作用下产生脉冲序列输出,并在终止信号的作用下停止脉冲序列输出;计数模块连接环形振荡器模块的输出端,用于对脉冲序列的个数进行计数,并在计数值达...
  • 本发明涉及一种基于拓扑感知的三维手势姿态估计方法,包括以下步骤:获取三维手势姿态的单张深度图;将所述单张深度图输入至三维手势姿态估计网络,得到手势姿态的三维关节点坐标信息;其中,所述三维手势姿态估计网络包括:特征提取模块,用于提取所述单...
  • 本发明提供一种含碳双掺杂氮化铝压电薄膜、制备方法及应用,通过第一性原理计算,从原子间结合能入手,设计出采用C元素、X元素双掺杂的AlN压电薄膜,不需对设备进行复杂改装,提出了一种高效简单的技术手段;通过磁控溅射技术制备了含碳双掺杂氮化铝...
  • 本发明提供一种氮化铝压电薄膜、制备方法及应用,通过第一性原理计算,从原子间结合能入手,设计出采用B元素、X元素双掺杂的AlN压电薄膜,不需对设备进行复杂改装,提出了一种高效简单的技术手段;通过磁控溅射技术制备了氮化铝压电薄膜,其中,采用...
  • 本发明涉及一种P型高阻及超高阻直拉单晶硅衬底的制备方法,本发明控制硅片中的氧含量与电阻率匹配,实现完成器件制造后硅衬底导电类型不发生转变,且具有高的电阻率;可定氧含量改变掺杂量或定电阻率改变氧含量或两者同时改变,灵活操作,大大提高高阻硅...
  • 本发明涉及一种数据同步电路及多路流水线数据同步系统,其中,数据同步电路包括:数据传递模块组和传递控制模块,所述数据传递模块组包括M个级联的数据传递模块,其中M≥1;所述数据传递模块用于将输入数据延迟1个时钟周期后输出;所述传递控制模块用...
  • 本申请涉及器件制备技术领域,提供了一种多传输零点的板波滤波器及信号处理电路,多传输零点的板波滤波器包括依次级联的并联谐振器和串联谐振器,并联谐振器和串联谐振器中存在至少两个谐振器的板波模式的面内传输方向不同,串联谐振器的反谐振点与并联谐...
  • 本发明提供一种绝缘体上硅的制备方法,在p型掺杂单晶硅外延衬底上形成自下而上叠置的本征硅第一腐蚀停止层、锗硅合金第二腐蚀停止层及硅器件层,经氧化、键合、加固及研磨处理后,进行选择性腐蚀,通过p+/本征硅的选择性腐蚀,将位于锗硅合金第二腐蚀...
  • 本发明提供一种基于穿墙雷达的目标姿态识别方法、设备及介质,其中,所述方法包括:采集各目标姿态对应的回波信号,并获取各目标姿态对应回波信号的特征集合;采集待识别姿态对应的回波信号,并获取所述待识别姿态对应回波信号的图像特征;基于各目标姿态...
  • 本发明涉及一种配电物联网环境模拟构建系统,包括低压配电网模拟运行子系统和通信组网模拟运行子系统,所述低压配电网模拟运行子系统用于搭建待模拟配电物联网环境中的各个设备的电气连接;所述通信组网模拟运行子系统用于搭建待模拟配电物联网环境中的各...
  • 本发明涉及一种实时图像序列的几何校正装置,其中,流水线实时计算模块用于根据标定的相机参数实时计算输出图像像素点的位置坐标相对于输入图像像素点的位置坐标;输入缓存单元用于缓存输入图像数据;输入缓存管理模块用于根据输入图像像素点的位置坐标的...
  • 本发明涉及一种相变存储器单元结构、相变存储器阵列及驱动方法,其中,相变存储器单元结构包括第一相变器件、第二相变器件、第一选通器件、第二选通器件和第三选通器件;第一相变器件的第一端连接第一位线,第二相变器件的第一端连接第二位线;第一相变器...
  • 本申请公开一种声表面波谐振器仿真方法及系统,包括获取待仿真的声表面波谐振器的横向切片模型,确定横向切片模型中的镜像部分和非镜像部分;从镜像部分和非镜像部分各自提取预设层网格,得到镜像单元和非镜像单元;对于非镜像单元,利用有限单元法对非镜...
  • 本发明提供一种液态低温介质输送装置、方法及超导器件工作系统,至少包括:增压部、输送部、控制部及屏蔽罩;输送部包括存储杜瓦及输送管;输送管的一端插入存储杜瓦中,另一端插入到工作杜瓦中;存储杜瓦内灌注有液态低温介质;工作杜瓦设置于屏蔽罩内,...
  • 本发明提供一种蚀刻测量图形结构及钻蚀量的测量方法,所述蚀刻测量图形结构用于测量晶圆蚀刻量,所述蚀刻测量图形结构包括以线性阵列排布的测量图形;各所述测量图形之间的间距依次构成等差数列。本发明的钻蚀量的测量方法中,通过设置蚀刻测量图形结构,...