本发明涉及一种能量可调谐的量子纠缠光源器件及其制备方法，所述器件由下到上依次包括：衬底、压电材料、电极，其中衬底上表面的中央设有沟道；所述压电材料上表面的中央设置正方形区域，并且以该正方形区域为中心，四周布置有四块梯形的电极；所述正方形...

本发明涉及一种基于深度学习算法的太赫兹图像超分辨方法，包括：通过太赫兹成像设备得到原始太赫兹图像数据；将所述原始太赫兹图像数据送入太赫兹图像超分辨模型中，得到超分后的太赫兹图片；其中，所述太赫兹图像超分辨模型通过以下方式得到：获取超分重...

本发明提供一种基于均一型残差网络的空间位置关系检测方法，包括：使用均一型残差网络从图像的深度信息中提取深度信息特征；其中，均一型残差网络在下采样时输入和输出通道数不变；从物体标签、物体边界框提取第一类空间位置特征，从RGB图像中提取第二...

本发明涉及一种卫星通信系统的用户分组方法，包括：步骤S1，获取待分组用户及其属性；步骤S2，将每个用户划分为一个独立的用户组，并存储至用户组集合；步骤S3，计算集合中任意两个用户组之间的距离；步骤S4，提取出距离最小的两个用户组；步骤S...

本发明涉及一种基于用户组的卫星通信系统星间切换方法，包括：步骤S1，获取待切换的用户组和可提供服务的卫星，并获取待切换的用户组所需的总资源和卫星的最大可用资源；步骤S2，构建用户组星间切换的调度模型，并对用户组星间切换的调度模型中的参数...

本发明涉及一种能够控制铌酸锂波导侧壁倾角的刻蚀方法，包括：提供预先制备的LNOI片作为衬底；在LNOI片的表面沉积SiO2层，作为刻蚀波导层的SiO2硬掩模；在SiO2层的表面旋涂双层电子束胶，并在LNOI片上限定出波导图案；在双层电子...

本发明涉及一种单层倾斜结构液滴存储腔的微流控芯片及其制备方法，所述芯片包括：结构片、基底片，其中基底片表面设有固化塑性胶，结构片覆盖在固化塑性胶上方并形成倾斜结构液滴存储腔。本发明针对不同尺寸的液滴，简单更换不同厚度的垫片即可适配，兼容...

本发明涉及一种用于分布式神经网络的边缘网络通信路径选择方法，包括：步骤(1)：获取边缘网络结构信息，其中，所述边缘网络结构信息包括云设备和若干边缘设备；步骤(2)：通过基于前向更新准则的蚁群算法从所述边缘网络结构信息中找出最优通信路径；...

本发明涉及生化检测元件领域，本发明公开了一种生化检测芯片及其制备方法，该生化检测芯片，其包括基底层和设置在基底层上的颗粒阵列；颗粒阵列由多个金属纳米颗粒按预设排布规则排布构成；多个金属纳米颗粒具有相同的形状；多个金属纳米颗粒的直径均为预...

本发明提供一种含有双极性压电结构的PMUT器件及其制备方法，所述制备方法至少包括：1)提供具有空腔的衬底，在所述衬底表面形成底电极层；2)在所述底电极层表面形成压电层，所述压电层包括依次形成于所述底电极层表面的第一极性压电层和第二极性压...

本发明涉及一种基于压电衬底的多模式谐振器和多通带滤波器，其中，多模式谐振器包括：衬底层；单晶压电层，位于所述衬底层上；图案化电极组件，位于所述单晶压电层上；图案化介质膜，位于所述单晶压电层和/或图案化电极组件上，用于实现单个谐振模式到多...

本发明涉及一种OTS选通器件硅等效电路，包括状态控制模块和选通模块，所述状态控制模块用于根据所述OTS选通器件硅等效电路当前状态，将所述OTS选通器件硅等效电路的正极和负极之间的电压差和外部输入的OTS阈值电压或保持电压进行比较，并根据...

本发明涉及一种广义旁瓣抵消器及语音增强方法，其中，广义旁瓣抵消器包括：固定波束形成部分，用于对阵列信号进行时延估计以及时延补偿，并通过加权求和的方式获得初步降噪后的语音信号；阻塞矩阵部分，用于过滤掉所述时延补偿后的阵列信号中的期望信号，...

本发明提供一种含有双极性压电结构的PMUT器件的制备方法，包括1)提供第一衬底，在衬底表面形成底电极层；2)形成压电层，包括依次形成的第一极性压电层和第二极性压电层；3)依次沉积第一钝化层和顶电极层，并图形化所述顶电极层；4)形成第一通...

本发明涉及一种混合集成量子光源LED器件的制备方法，包括步骤：S1在第一衬底上生长缓冲层、牺牲层和P

本发明涉及一种半导体薄膜的转移印刷方法，包括步骤：S1获得具有第一图案的半导体薄膜；S2：在柔性材料表面加工出第二光刻胶；S3：将第二光刻胶与半导体薄膜对准并接触，然后加热并施压，使得第二光刻胶与半导体薄膜表面充分接触；S4：停止加热，...

本发明提供一种基于免疫亲和的阻抗生物传感器及其制备方法以及应用，所述制备方法包括：基于无线无源传感器利用巯基丙酸或壳聚糖进行表面修饰，或者基于三电极传感器利用硝酸纤维膜进行表面修饰，然后在所述表面结合可捕获肿瘤蛋白标志物的探针，即可制备...

本实用新型提供一种具有高深宽比的全硅微色谱柱，分别在第一硅衬底及第二硅衬底中形成对应的微沟道及微流控端口，而后通过硅硅键合工艺形成具有闭合微沟道及闭合微流控端口的复合硅基底，从而形成仅具有一种硅材质的全硅微色谱柱，有利于获得均匀的固定相...

本发明涉及一种气体传感器的制备方法，包括提供衬底；在衬底上制备至少一个由石墨烯缓冲层和有机柔性绝缘材料缓冲层组成的组合缓冲层；在最顶端的有机柔性绝缘材料缓冲层上制备敏感材料层，敏感材料层为石墨烯传感层；在敏感材料层上形成源极和漏极；进行...

本发明涉及一种基于桥型电磁线圈的集总型折叠迈克尔逊电光调制器，包括光波导部分和电极部分，所述光波导部分包括：多模干涉耦合器、生长在第一平板区上的第一波导、生长在第二平板区上的第二波导；其中，第一波导和第二波导均至少有一个折弯并形成U型区...