本发明提供一种Ga2O3基异质集成pn结的制备方法，其包括将n型Ga2O3晶片和p型半导体晶片的至少一种作为待剥离材料，自待剥离材料的抛光面进行离子注入，形成缺陷层；将n型Ga2O3晶片与p型半导体晶片的抛光面键合；退火处理并沿缺陷层剥...

本发明提供了一种图像编码方法及图像处理方法、终端及计算机存储介质。其中，所述图像编码方法包括：基于所述下采样模块，提取原始图像的空间特征，和基于所述频率特征模块，提取所述原始图像的频率特征；融合所述空间特征和所述频率特征，以获取所述原始...

本申请涉及谐振器制备领域，提供了一种声波谐振器的制备方法及其结构、滤波器，包括获取支撑衬底，在支撑衬底上制备第一电极层，该第一电极层的材料为碳化硅，对第一电极层进行区域化处理，使得第一电极层被划分为导电区域和绝缘区域，在第一电极层上制备...

本发明提供了一种全耗尽SOI衬底上MOSFET的电容模型提取方法，包括如下步骤：将MOSFET源极、漏极短接并提供交流电压小信号，在背栅提供直流偏置，直流偏置使沟道区处在积累和反型状态，并在上述两状态下分别测量MOSFET在栅极的交流电...

本发明涉及一种解调电路和电容耦合数字隔离器，解调电路包括：多级放大器，用于放大输入信号以产生两个不同幅值的差分信号；第一包络检测器，用于对所述两个不同幅值的差分信号中的幅值较小的一个差分信号进行解调，得到第一波形信号；第二包络检测器，用...

本发明提供一种集成化精液分析系统及方法，包括：微流控芯片，微流控芯片包括：三个样品入口，各样品入口分别连接反应区的输入口，各样品入口分别用于通入免疫磁珠、拉曼探针和精液样品至反应区内进行混合及免疫反应得到免疫复合物；综合操作区，综合操作...

本发明涉及一种高密度相变存储器的制备方法，通过三步刻蚀工艺将相变材料图形化，并将表面的残留聚合物去除或是通过在刻蚀后沉积填充材料再抛光，将表面的残留聚合物去除。本发明有利于改善相变材料刻蚀形貌以及提升产品良品率，具有良好的市场应用前景。...

本发明涉及一种基于无线传感网的节点调度方法，包括以下步骤：感知到入侵目标的节点自组织成簇，并基于节点的剩余能量、节点间的距离、节点到Sink节点的距离、以及目标相对于节点的运动趋势选出簇头节点；簇内其他节点根据自身的剩余能量、预期能耗和...

本发明涉及气体传感器领域，本发明公开了一种多通道气体传感器及其制备方法，该多通道气体传感器包括基底、衬底层、加热电阻层、隔离介质层和叉指电极层；衬底层设置在基底上；加热电阻层设置在衬底层上；加热电阻层包括第一数量的加热电阻阵列；每个加热...

本发明提供一种用于跨温区微波信号传输的铁基超导传输线及制备方法，采用BaKFeAs铁基超导带制备微带线或带状线，提供了一种具有跨温区互联功能的低温超导柔性传输线，能够实现mK温区至18K温区的互联，传输信号支持数十GHz；能够制备数十c...

本发明提供一种单芯片复合传感器结构及其制备方法，所述单芯片复合传感器结构包括：单晶硅衬底、单晶硅衬底上的绝缘层及集成在所述单晶硅衬底同一面上的角速度传感器、加速度传感器及压力传感器；其中，所述单晶硅衬底上插设有多个绝缘锚点，所述角速度传...

本发明涉及一种量子级联激光器调制带宽测试系统和方法，其中，测试系统包括探测用量子级联激光器、第一T型偏置器、第二T型偏置器、射频源和频谱分析仪；所述待测量子级联激光器与所述探测用量子级联激光器实现光耦合，使得所述待测量子级联激光器的本征...

本发明涉及一种混合集成单光子LED器件的制备方法，包括步骤：S1依次在第一衬底上生长缓冲层、牺牲层和P

本发明涉及一种基于深度强化学习的星地融合网络多节点计算资源分配方法，包括：从星地融合网络中的各服务点中确定本地服务节点和协作服务节点，从本地服务节点中获取任务的执行状态信息、各服务节点的计算资源信息以及各服务节点间的无线传输信息；构建以...

本发明提供了一种自加热效应建模与参数提取方法，包括如下步骤：设计自加热效应测量结构；对器件栅极电阻进行交流阻抗测试；对器件功率进行动态扫描，同时测量器件的栅极电阻变化情况；绘制温度

本发明涉及一种并列式双通道红外气体传感器，包括从上至下依次层叠的反光罩、支撑板、基座和ASIC芯片；反光罩上设有反射腔和若干透气孔；支撑板上设置有第一通孔和第二通孔，其内分别嵌设有第一滤光片和两第二滤光片；基座的顶面设有红外光源和两红外...

本发明提供一种超导磁通存储结构、数据读写表征方法及存储器，至少包括：磁通存储模块及磁通读出模块，所述磁通存储模块包括第一超导环路及第一超导线圈，第一超导环路包括第一约瑟夫森结，第一约瑟夫森结与第一超导线圈相耦合；磁通读出模块包括第二超导...

本发明涉及一种应用于光学相控阵的基于交错刻蚀的多层结构波导光栅天线及其制备方法，由下至上包括衬底(1)、波导区和顶部氧化层(5)；所述波导区由下至上包括第一波导层(2)、隔离层(3)和第二波导层(4)；其中，所述第二波导层(4)具有交错...

本发明提供一种基于氮化硅阳极键合的(111)硅转移工艺，其中，通过低应力氮化硅层，可实现高质量的阳极键合，同时保护键合结构不受后续释放工艺的腐蚀，形成稳定键合结构；通过闭合释放沟槽及腐蚀保护层，可形成厚度精确可控、不受晶向限制且可完全释...

本发明涉及一种聚烯烃改性的电池高镍正极材料及其制备方法，所述材料包括高镍三元材料、高镍三元材料表面包覆的多孔聚烯烃包覆层。本发明提供的锂离子电池高镍材料改性方法工艺简单，易于操作，在高镍材料热失控前及时关闭正极离子通路，进而有效切断电流...