本发明提供一种压电薄膜换能电路。包括：压电薄膜换能器，转换电路拓扑，振动能量转换组件。其中，压电薄膜换能器将振动能转换为交流电能，通过换能电路拓扑及振动能量转换组件将交流电能转换为直流电能。本发明的压电薄膜换能电路用于给负载供电，同时切...

本发明提供一种基于异质集成的氧化镓cascade结构及制备方法，通过异质集成的方法将无法实现P型掺杂的氧化镓半导体材料与增强型器件相集成制备cascade结构，并且cascade结构是制备在兼具有高散热能力的衬底上，基于此可制备增强型级...

本发明涉及一种荧光薄膜传感器的制备方法，包括：获取基底；通过制膜方法在基底上生长金属氧化物薄膜；通过旋涂、提拉或蒸馏的方法在所述金属氧化物薄膜上制备荧光传感薄膜，得到荧光薄膜传感器。本发明与未经处理的传感器相比，能够显著增强薄膜基荧光气...

本发明提供一种约瑟夫森结及超导电子器件的制备方法，通过制备具有不同厚度的第一超导层及第二超导层，在进行约瑟夫森结的预定义后，可对第二超导层进行第一次过刻形成第一超导条带线，并直接进行绝缘保护层的生长和剥离，而后制备第三超导层，并进行第二...

本发明提供一种基于传感阵列测脉搏波横向位置变化的紧脉特征识别方法，传感器阵列包括至少4个压力传感器，各压力传感器沿第一方向排列，所述第一方向与桡动脉的延伸方向呈夹角设置，中医紧脉特征识别方法包括：获得各压力传感器在同一时刻的脉搏压力值；...

本发明提供一种基于多维纳米敏感材料的细胞胞吐研究芯片及其应用，所述细胞胞吐研究芯片包括对电极、参比电极以及工作电极，所述工作电极上涂覆有多维纳米敏感材料，所述多维纳米敏感材料由一维ZnO纳米线、二维还原氧化石墨烯纳米片和多孔的沸石咪唑啉骨架

本发明提供了一种存算一体化单元，包括6T的SRAM存储单元以及4T的运算结构，所述运算结构在位线正向信号侧包括串接的正向数据传输晶体管和正向逻辑运算晶体管，正向数据传输晶体管的源/漏连接位线正向信号，栅极连接运算使能信号，正向逻辑运算晶...

本发明涉及一种不同微腔下加热阵列芯片，包括：衬底；若干加热模块，按照预设规则布置在所述衬底上；连接端子，与所述加热模块一一对应，并与对应的加热模块连接，用于连接不同的电压输出控制器；散热槽，刻蚀在所述衬底上，并布置在每个所述加热模块的周...

本发明涉及一种应用于电力物联网系统的移动性接入方法，包括：以扫频将移动传感器随机接入汇聚节点；判断所述移动传感器的运动状态，并在所述移动传感器远离所述汇聚节点时，判断所述移动传感器的RSSI值是否达到离线门限；在所述移动传感器的RSSI...

本实用新型涉及一种低温测试装置，包括样品盒、测试杆和转接盒，所述测试杆的两端分别与所述样品盒和所述转接盒可拆卸连接，所述测试杆内部中空且与所述样品盒和所述转接盒的内部连通，所述测试杆内设置有柔性传输线缆，所述柔性传输线缆集成有多个传输通...

本发明涉及一种亚波长光栅辅助的绝热功率分配器，包括依次设置的输入转换区、锥形交错区和输出转换区；输入转换区用于将进入输入波导的光送入锥形交错区；输出转换区用于将经过锥形交错区的光送入输出波导；锥形交错区包括第一亚波长光栅波导、第二亚波长...

本发明涉及一种基于光放大器和硅光微腔的激光器，包括：衬底；反射型半导体光学放大器，置于所述衬底上，并在光输入侧镀有抗反射膜，在所述光输入侧的对侧镀有高反射膜；基于亚微米SOI平台的光学微腔，置于所述衬底上，并与所述反射型半导体光学放大器...

本发明提供一种用于检测肿瘤细胞外泌体的探针对、微流控芯片磁学检测系统及其用途,所述捕获探针包括DNA四面体纳米结构、生物素修饰的连接链、链霉亲和素和修饰有生物素的CD9抗体；所述DNA四面体纳米结构的其中一个支链能够与所述连接链杂交，所...

本发明提供一种硅光芯片与平面波导阵列的封装结构及其制备方法，该封装结构包括：硅光芯片，包括多条并排设置的第一光波导；平面波导阵列包括多条并排设置的第二光波导，且多条第一光波导与多条第二光波导一一对应对接耦合；对接耦合结构，包括刻蚀硅光芯...

本发明提供一种铌酸锂器件的制备方法及其结构，该制备方法首先将完整的单元区域及不完整的单元区域定义出来，然后在对铌酸锂薄膜进行刻蚀时，基于该完整的单元区域及不完整的单元区域单独对其下方的铌酸锂薄膜进行刻蚀，这样对于每一个单元区域下方的铌酸...

本发明涉及一种电力物联网领域多传感器模组无线远程并行升级方法，包括以下步骤：边缘平台主动下发传感器模组远程升级指令给接入节点，接入节点将传感器模组远程升级指令转发给汇聚节点；汇聚节点通知本地调度进入升级模式，向通信模组下发传感器模组版本...

本发明提供一种超导磁通量子存储单元结构及其制备方法，超导磁通量子存储单元结构中的约瑟夫森结采用垂直结构的超导体(S)

本发明提供一种谐振式压力传感器及其制造方法，至少包括单晶硅片、腔体及通气孔、多晶硅敏感薄膜和扭转梁、摆动板、硅岛及H型谐振梁。采用多晶硅薄膜作为感压薄膜，厚度均匀可控至3μm以下，能够提高传感器的敏感度和性能的一致性；硅岛集中薄膜应力，...

本发明涉及一种三维相变存储器高可靠写电路，包括：位线数据感知模块，用于确定选中位线上的数据状态；行列地址感知模块，用于根据选中单元的行地址和列地址确定选中单元所属的块地址；查找表模块，用于将所述选中位线上的数据状态以及选中单元所属的块地...

本发明公开了一种基于雷达信号的基于循环神经网络的雷达识别方法装置、存储介质和终端，其中方法包括向雷达发送人体姿态识别信号；获取所述雷达接收到的时域回波数据，并基于所述时域回波数据通过三维傅里叶变换获取初始频域图像数据；将所述初始频域图像...