本申请提供一种磁性存储器件的制造方法，通过在第一绝缘层上表面形成第二绝缘层，在第二绝缘层远离第一绝缘层的表面开设第一开孔，在第一开孔内自下而上形成自由层、氧化层及固定层，形成的自由层、氧化层及固定层均为单层膜结构，且自由层的材料同时具有...

本发明涉及一种阻抗流式检测芯片及其制备方法和应用，包括流体动力聚焦区域和电极检测区域。流体动力聚焦区域控制细胞位置，电极检测区域检测阻抗变化。鞘流液通过一个进样孔引入，平均分为两束，在交汇口处通过两侧对中间样品流的挤压实现横向聚焦，通过...

本申请提供了一种存储器、数据销毁方法和电子设备。所述存储器中有多个存储单元，每个存储单元是由两个电极和开关层构成。开关层是由Te、Se等单质、硫系化合物等材料中的至少一种组成。两个电极叠加在开关层上，让两个电极分别与开关层之间呈现出肖特...

本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种高频声波谐振器及其制备方法。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；其中，支撑衬底的声速不低于5000米/秒；高频声波谐振器的目标模式是由纵向电场激励产生的准体波模式；...

本申请涉及微电子器件领域，尤其涉及一种器件的制备方法及结构。方法包括：对第一碳化硅衬底进行离子注入，得到第一待键合结构；对第二碳化硅衬底进行修整处理；将第一待键合结构和第二碳化硅衬底进行键合，得到第一键合结构；基于第一键合结构进行碳化硅...

一种进程管理方法和电子设备。在该方法中，能在系统运行过程中实时将易失性内存中的进程数据迁移到非易失性内存。实施本申请提供的技术方案，在系统休眠时不需要打包备份内存中的数据，在系统唤醒或重启时也不需要解析重构数据，能快速休眠和唤醒系统。且...

本发明提供一种聚酰亚胺薄膜被动滤光器件及其制备方法，该制备方法包括：提供半导体基底，并于半导体基底的正面依次形成介质层及聚酰亚胺薄膜层；于聚酰亚胺薄膜层上形成阻挡层；于阻挡层上形成第一图形化的光刻胶层，得到薄膜外轮廓的光刻图形；基于第一...

本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种氮化镓电流孔径垂直型电子器件的制备方法。通过在氮化镓单晶衬底中形成缺陷层，以及在氮化镓单晶衬底的存在预设间隔距离的两个预设区域分别制备一个电流阻挡结构；电流阻挡结构的材料包括介质材料和超宽禁带材...

本发明涉及一种基于声光耦合的非互易性波导器件及制备方法和应用，所述波导器件包括：衬底、SiC

本发明涉及一种半导体开关器件工作结温监测系统、监测方法及过温保护方法。所述监测系统包括控制单元、驱动单元、电压检测单元和模数转换单元；其中，驱动单元与半导体开关器件的栅极连接；电压检测单元的第一采集端口、第二采集端口分别与半导体开关器件...

本发明公开一种TMDC材料的近常压生长方法以及一种用于TMDC材料近常压生长的MBE装置。在MBE装置中进行TMDC材料的近常压生长，包括步骤：S1：通入氛围气体，实现腔体内近常压下可调的气体氛围；S2：使用光纤耦合激光加热器加热目标衬...

本发明涉及一种基于深度学习的弓网几何参数车载实时检测方法及装置，方法包括：获取列车运行过程中的双目监控图像；将所述双目监控图像输入至训练好的关键区域识别模型，得到接触线与碳滑板的关键接触区域；将所述关键接触区域的中心作为计算关键点，基于...

本申请涉及芯片设计及制作技术领域，提供了一种细胞球培养器官芯片及其制备方法，芯片包括第一芯片结构和第二芯片结构；第一芯片结构设置在第二芯片结构的上方；第一芯片结构设置有进药口、浓度分散结构和第一流道阵列；进药口与浓度分散结构的一端连接，...

本发明提供一种微柱

本发明涉及一种微环型声光调制器及制备方法，所述调制器包括：衬底、异质集成薄膜，其中异质集成薄膜包括键合的SiC薄膜与LN压电薄膜；所述异质集成薄膜与衬底键合；所述声光调制器还设有光波导结构和声学组件。本发明利用两种便利的绝缘体上薄膜制备...

本发明涉及一种自干涉光学微谐振腔及其调控方法，其中，自干涉光学微谐振腔包括，微腔结构，由首尾相连的波导构成；总线波导，与所述微腔结构耦合2n+1次构成2n+1个耦合器，相邻两个耦合器在所述微腔结构所在波导上的光程与相邻两个耦合器在所述总...

本申请公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，该方法通过在第一碳化硅衬底上同质外延一外延层；在外延层中形成的外延缺陷层制作掺杂阱区，并与第二碳化硅衬底进行键合；第一碳化硅衬底的衬底质量高于第二碳化硅衬底的衬底质量；沿外延缺陷层剥离包...

本申请公开了一种双极型功率器件及其制备方法，该方法通过在高质量的碳化硅单晶衬底上的外延层与其中的剥离层之间制作嵌有掺杂子区的阱区，并与低质量的中间碳化硅衬底进行一次键合；沿剥离层剥离包含碳化硅单晶衬底在内的部分器件结构并对剥离表面进行后...

本发明涉及一种基于金属介质光栅的硅基增强光吸收器件及其应用，包括金属薄膜、介质光栅和金属光栅组成的金属介质光栅强吸收结构。本发明的器件结构具有如下优势：(1)亚波长光栅的局域光频率极其接近表面的等离子激元的共振频率；(2)光栅阵列的优化...

本发明提供一种硅纳米线传感器的阈值电压标定及定量测试方法，利用硅纳米线传感器表面探针修饰前、后阈值电压的变化量，对目标物的阈值电压响应进行归一化处理，确定目标物响应标准曲线，来获取目标物的阈值电压响应所对应的目标物的浓度；本发明在阈值电...