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中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术
中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利
一种低功耗的目标探测值守系统与方法技术方案
本发明涉及一种低功耗的目标探测值守系统和方法,其中系统包括:系统控制单元,用于控制系统的工作模式;模拟端信号处理单元,用于在所述模拟值守工作模式和模拟数字混合值守工作模式时工作,用于完成目标的初步检测;信号调理单元,用于对接收到的传感器...
一种基于相变材料的非对称MMI功率分配器制造技术
本实用新型涉及一种基于相变材料的非对称MMI功率分配器,包括由下至上设置的硅衬底、二氧化硅层和硅波导层,所述硅波导层一侧连接一根条形波导作为输入,另一侧连接若干根条形波导作为输出;所述硅波导层划分为若干纳米像素点型结构,所述纳米像素点型...
一种一体化多靶标核酸检测芯片制造技术
本发明涉及一种一体化多靶标核酸检测芯片。所述芯片上的反应单元由进样孔/核酸提取室(2)、隔离主通道(1)、第一洗涤室(3)、第二洗涤室(4)、洗脱/多靶标扩增检测室(5)组成,所述进样孔/核酸提取室(2)、第一洗涤室(3)、第二洗涤室(...
一种片外光发射器件制造技术
本实用新型涉及一种片外光发射器件,包括:衬底;下包层,位于所述衬底的上表面,且内部埋设有金属镜;波导层,位于所述下包层的上表面,包括波导和M级同心半圆光栅;上包层,位于所述波导层的上表面;所述波导用于引导光进入所述M级同心半圆光栅;所述...
一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法技术
本公开涉及一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法,该方法包括:对N型导电碳化硅衬底进行离子注入;对离子注入后的N型导电碳化硅衬底的表面进行绝缘处理,得到绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底;获取硅衬底;将硅衬底与绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底...
一种基于自监督视觉惯性里程计的相机位姿估计方法技术
本发明涉及一种基于自监督视觉惯性里程计的相机位姿估计方法,包括:获取多帧图像以及每两帧图像之间的IMU数据;将所述多帧图像和IMU数据输入至网络模型中,得到位姿变换信息和深度信息;其中,所述网络模型基于视惯融合里程计网络构建,在所述视惯...
一种罗丹明衍生物荧光探针、制备方法及其应用技术
本发明提供一种罗丹明衍生物荧光探针、制备方法及其应用,其制备方法包括:S1、合成化合物Ⅰ;S2、将化合物Ⅰ溶于甲醇,搅拌并冷却的条件下逐滴加入浓硫酸,回流反应20~25h;去除多余的甲醇,将残留液倒入冰水混合物中并调pH至中性,然后用C...
一种用于真空进样腔的惰性气氛进样装置制造方法及图纸
本实用新型涉及一种用于真空进样腔的惰性气氛进样装置,包括表面设有进气口、排气口、手套连接口、进样门的手套箱及真空进样腔。所述手套箱的背部设有传样口,所述传样口内设有法兰连接件,所述手套箱通过所述法兰连接件与真空进样腔联通,所述法兰连接件...
一种可拓展式645纳米荧光激发芯片制造技术
本发明涉及一种可拓展式645纳米荧光激发芯片,包括多模干涉器(1);所述多模干涉器(1)通过两个宽度渐变波导(102)将一束光一分为二,随后再通过波导(103)连接光栅(2)。本发明通过集成光学组件的级连,实现窄带宽片上荧光激发,实现荧...
用于轻烃分离的微色谱柱及其制备方法技术
本发明提供一种用于轻烃分离的微色谱柱及其制备方法,采用FG及HKUST
一种异质集成体及其制备方法技术
本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种异质集成体及其制备方法,该方法包括:提供第一晶圆和第二晶圆,第一晶圆包括第一面,第二晶圆包括第二面;对第一面和第二面进行激活处理,分别得到第一激活面和第二激活面;向第一激活面和第二激活面提供水蒸气或...
一种三维相变存储器亚阈值数据读出电路及读出方法技术
本发明涉及一种三维相变存储器亚阈值数据读出电路和方法,其中,读出电路包括:灵敏放大器电路,用于比较位线电流和参考位线电流,并输出数据读出电压信号;钳位电压生成电路,用于向所述灵敏放大器电路提供钳位电压,通过所述钳位电压对所述相变存储阵列...
一种移动机器人重定位方法、装置及移动机器人制造方法及图纸
本发明涉及一种移动机器人重定位方法、装置及移动机器人,其中,方法包括:基于视觉传感器采集到的环境图像在先验地图中进行匹配,完成视觉重定位,得到重定位粗位姿;在所述视觉重定位失败时,基于激光传感器采集到的环境点云在先验地图中进行匹配,完成...
一种碳化硅场效应管的制备方法技术
本申请公开了一种碳化硅场效应管的制备方法,所述方法包括提供第一碳化硅衬底,在第一碳化硅衬底上外延碳化硅外延层;将轻离子注入碳化硅外延层,轻离子在碳化硅外延层内形成离子集聚区域,使得碳化硅外延层依次形成碳化硅薄膜层、离子集聚区和碳化硅键合...
一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制备方法技术
本发明涉及半导体器件技术领域,特别涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制备方法。该制备方法包括先对氮化镓单晶衬底的顶面进行氧化处理,以形成氧化镓层,并通过离子注入,以及剥离转移、抛光工艺得到抛光后结构,在抛光后结构的氮化镓层上依次生长氮化...
氧化镓异质集成结构及制备方法技术
本发明提供一种氧化镓异质集成结构及制备方法,通过对异质集成的氧化镓复合结构进行表面刻蚀,以基于NaOH溶液或KOH溶液对材料的各向异性刻蚀,在氧化镓复合结构的表面留下具有凹槽的绒面结构,以增加器件的总体有效散热面积,增强了基于此制备的氧...
基于U-Net的极低场磁共振图像工频伪影抑制方法技术
本发明涉及一种基于U
一种MEMS传感器的制作方法技术
本发明提供一种MEMS传感器的制作方法,包括:在硅片上沉积一层隔离层;利用多晶硅在隔离层上制作得到凸台和腐蚀引线,作为牺牲层;在具有牺牲层的硅片上沉积一层低应力氮化硅,作为结构层和敏感膜片;刻蚀得到腐蚀释放孔;使XeF2气体透过腐蚀释放...
一种MEMS四合一单片集成传感器制造技术
本发明提供一种基于MEMS技术的四合一单片集成传感器及其制作方法。本发明的四合一单片集成传感器在单个硅片上集成了多种传感器的功能,可以同时测量压力、加速度、气体和湿度,可用于复杂场景下的多参数同步检测。该四合一集成传感器采用表面微机械加...
隐藏式多维MEMS微反射镜、阵列、阵列式器件及其制备方法技术
本发明提供一种隐藏式多维MEMS微反射镜、阵列、阵列式器件及其制备方法,通过多层晶圆堆叠以及两次键合工艺,实现了MEMS微镜阵列具备具有高光学质量以及高镜面占空比,还能解决多维运动结构在运动时的一系列工艺问题;还提供一种基于平面驱动电极...
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