中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术

中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利

  • 本发明公开了用于重金属离子检测的石墨烯丝网印刷电极及方法,包括在一个基体上采用石墨烯粉体材料作为印刷浆料、通过丝网印刷技术制备并单独进行化学修饰处理的工作电极,该工作电极上具有一个采用光固绝缘浆印制紫外光固化的电极规范层;还包括在另一个...
  • 本发明提供一种胎儿心磁检测探头、系统及方法,包括:第一三轴磁强计、第二三轴磁强计、核心梯度计,第一三轴磁强计对核心梯度计所处的环境磁场进行检测,并驱动磁补偿线圈对环境磁场进行抑制;第二三轴磁强计对抑制后的环境磁场进行检测;核心梯度计在抑...
  • 本发明提供了一种基于低温超导SQUID的航空磁测量装置,包括数据采集器、供电单元、无磁辅助系统支架、法拉第笼、读出电路和姿态测量模块、低温超导SQUID传感器单元、无磁杜瓦固定桶、吸振材料、无磁装置底撑板和吸振部件;所述无磁辅助系统支架...
  • 本发明提供一种压阻式加速度传感器及其制作方法,该传感器的改进点在于敏感结构部分,敏感结构中的质量块左右两侧对称设有相互独立的各四个敏感梁,每个敏感梁上设一个力敏电阻;四个敏感梁的两侧各设一个用于支撑质量块的支撑梁,将力敏电阻制作在独立的...
  • 本发明涉及一种偏移正交多载波系统的脉冲成形滤波器,包括相位旋转网络、M点复信号变换网络和多相滤波网络结构,所述相位旋转网络对复信号的实部和虚部设置初始相位;所述M点复信号变换网络对旋转后输出的M点并行复信号进行傅里叶逆变换;所述多相滤波...
  • 本发明提供一种金属蒸气辅助快速生长少层石墨烯的制备方法,包括:首先制备铜镍合金衬底;然后提供一金属片,将所述铜镍合金衬底和金属片进行清洗后置于化学气相沉积腔室内,其中,所述金属片位于所述铜镍合金衬底表面上方预设距离处;最后往所述化学气相...
  • 本发明提供一种心磁图电流源的辅助定位方法、系统、及设备,心磁图电流源的辅助定位方法包括:利用不同频率的交变电流同时驱动多个吸附固定于人体胸腔区域上的磁偶极子以产生不同频率点的空间磁场;探测人体胸腔区域的空间磁场信号;获取不同频率点的空间...
  • 用于免疫微球单一分布的微流体芯片、方法及其应用
    本发明涉及一种用于免疫微球单一分布的微流体芯片、方法及其应用,其特征在于所述的微流芯片是由平行排列的样品池组成,每个样品池是由20000个直径10μm的微孔组成,每个微孔分布一个免疫微球,每个样品池相互独立,互不影响;样品池的数量根据实...
  • 本发明提供一种基于FPGA的微机电混合ΣΔM加速度计闭环检测电路系统,包括:微机械加速度计、差分电荷放大器组件、高通滤波器、多位模数转换器、FPGA及工作时序控制反馈开关;差分电荷放大器组件的输入端与微机械加速度计相连接;高通滤波器的输...
  • 本发明涉及一种主动捕获低空小型无人飞行器的系统及方法,其中无人机平台用于实现低空飞行,并搭载有所述双目视觉图像采集单元和弹射捕捉单元;所述双目视觉图像采集单元用于对监测空间拍摄双目视频图像信息;所述多信息采集单元用于获取所述无人机平台的...
  • 本发明提供一种轻载降频模式控制系统,包括:过零检测电路,用于基于开关节点的谐振现象来判定电感电流的死区时间;输出负载电流计算电路,用于根据电感电流在一个开关周期内充磁时间和退磁时间的相对变化来衡量负载的变化,提供与负载电流相关联的负载检...
  • 本发明涉及一种用于核磁共振成像的低噪声放大器,其特征在于包括两级共栅结构和一级共源结构,以满足核磁共振系统需要低输入阻抗和低噪声的要求,前两级采用共栅结构,后一级采用共源结构,工作时前端的共栅结构能够在保持噪声的情况下降低输入阻抗,而两...
  • 本发明公开了一种用于重金属离子检测的碳纳米线微阵列电极制备方法,其特征在于所述的方法基于MEMS工艺的负性光刻胶碳化工艺,基于因几何结构限制引起负性光刻胶刻蚀速率分布不同的现象,通过控制显影时间来控制亚微米级光刻胶丝线阵列的形成,然后置...
  • 一种太赫兹室内通信信道的建模方法
    本发明提供一种太赫兹室内通信信道的建模方法,能够用来准确地预测太赫兹波室内的传播特性和功率分布,其包括步骤:设置室内建模的仿真场景及其相关参数,包括房间尺寸、室内物品摆设位置和尺寸、墙面及各物体表面材料参数、太赫兹波频率等;确定太赫兹波...
  • 本发明提供一种薄膜太阳能电池吸收层碱金属掺入方法,所述掺入方法至少包括:提供待处理的薄膜太阳能电池吸收层,配置含有碱金属离子的溶液,采用非真空镀膜的方法将所述碱金属离子溶液沉积于所述吸收层表面,并将所述吸收层放置于热处理炉中,往所述热处...
  • 本发明提供一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件及其制作方法,所述器件包括:半绝缘GaAs衬底;位于该衬底上表面的GaAs缓冲层;位于该缓冲层表面的n型重掺杂下接触层;位于该下接触层表面的有源区;位于有源区表面的n型重掺杂上接触层;位于...
  • 本发明提供一种基于表面等离子体的硅基光源,所述硅基光源包括基底及形成于所述基底上的Ω阵列微纳结构;所述Ω阵列微纳结构包括至少两个Ω微纳结构单元;其中,所述Ω微纳结构单元包括:发光部;环绕包裹所述发光部部分表面的波导部,且所述波导部未覆盖...
  • 本发明涉及一种边发射半导体激光器腔面的再生方法,包括:(1)采用高选择比腐蚀剂对失效的边发射半导体激光器进行选择性腐蚀,在激光器两端损坏的谐振腔腔面处形成悬臂结构;(2)采用压针对上述悬臂结构外侧靠近激光器腔面处施加外力,使得损坏的腔面...
  • 本发明提供一种超导量子干涉器磁梯度计及高度平衡的磁场探测方法,包括:对称分布、面积相等、绕向相反的磁通耦合面及SQUID耦合线圈;对称分布的SQUID器件;反馈线圈;读出电路;以及对输出信号进行相减实现差模信号检测的减法电路。基于梯度线...
  • 本发明涉及一种基于单帧数据的实时图像增强方法,包括以下步骤:获取单帧低照度图像数据;计算低照度图像数据的像素均值及各阶矩值;判断图像数据是否过暗;对图像的每个像素点进行掩膜增强处理;使用经过掩膜增强后的像素值代替原像素值,得到增强后的图...