本发明提供一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构，所述结构至少包括：相变基体材料层和形成在所述相变基体材料层中心区域的掺杂层。通过使中心区域的掺杂层结晶温度升高，来抑制非晶态的中心区域在小电流干扰下结晶，从而提高相变存储器的数据保...

本发明提供一种N型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，包括衬底结构，NMOS器件及PN结器件；PN结器件的P区与NMOS器件的体区连接，PN结器件的N区与NMOS器件的栅连接。在P型本征区中进行N型重掺杂分别形成NMOS器件的...

本发明提供一种单粒子瞬态脉冲电流源的建模方法，首先建立单粒子瞬态脉冲电流源模型，然后利用脉冲波形测试电路对反相器电路的单粒子脉冲进行测试，获得单粒子瞬态脉冲不同电压值下的脉冲宽度，最后利用仿真器对反相器进行仿真模拟，将仿真结果与实际测试...

本发明提供一种太赫兹量子级联激光器的封装装置及方法，所述装置包括铜镀金热沉及安装于所述铜镀金热沉上的太赫兹量子级联激光器、微带线、绝缘子及同轴连接器；其中：所述太赫兹量子级联激光器包括上电极及下电极，所述下电极与所述铜镀金热沉连接，所述...

本发明涉及一种检测甲基苯丙胺或/和氯胺酮的荧光探针和检测方法，其特征在于探针为由芳甲基醇结构构成的可以发出荧光的物质，配置该探针的溶液，将溶液涂到基底表面，挥发除去溶剂即得传感薄膜。直接将待测甲基苯丙胺或氯胺酮溶液滴到传感薄膜表面，对比...

本发明提供一种SOI单端口SRAM单元及其制作方法，所述单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三、第四NMOS晶体管组成。本发明的SRA...

本发明提供一种绝缘体岛上硅衬底材料及其制备方法，所述绝缘体岛上硅衬底材料，包括：底层硅；绝缘层，结合于所述底层硅表面，且于对应于制备晶体管沟道的位置具有直至所述底层硅的凹槽；顶层硅，结合于所述绝缘层表面。本发明通过在对应于制备晶体管沟道...

本发明涉及一种InGaAsBi高迁移率材料制备方法及结构。其特征在于采用气态源分子束外延(GSMBE)制备材料。在半绝缘InP(100)衬底上外延生长InGaAsBi材料结构。本发明的创新点在于利用GSMBE在材料生长方面的优势，减少I...

本发明提供一种太赫兹量子级联激光器模式调制的装置及方法，所述装置至少包括：微波发生器、耦合器、T型偏置器、太赫兹量子级联激光器、频谱仪以及红外光谱仪；所述微波发生器依次通过所述耦合器、T型偏置器与所述太赫兹量子级联激光器的输入端相连；所...

本发明公开了一种光伏自供能、遥控车位地锁管理系统及其实施方法，其特征在于所述的管理系统由供能单元、电控单元、储能单元和机械翻转机构组成；其中供能单元由晶体硅太阳电池串联组成；电控单元包括中央控制单元，充放电单元，无线收发单元，电机控制单...

本发明提供一种超导量子干涉器件的封装结构，包括：封装槽，底部和侧壁形成有低通滤波层；底板，固定于所述封装槽底部的低通滤波层表面，且制备有器件引出电极；超导量子干涉器件，固定于底板上，并实现电性连接；盖板，密封覆盖于封装槽上形成容置空间，...

本发明涉及一种空间三维多参数分布测试系统及其实施方法，所述的额系统包括无线遥控的无人机，电控单元，减震单元和地面接收单元。通过所述系统的遥控器遥控无人机升降并实现自动数据采集和传输功能。主要特点：1、可时、空、物理多参数实时数据采集与传...

本发明提供一种SOI双端口SRAM单元及其制作方法，所述单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三、第四、第五及第六NMOS晶体管组成。本...

本发明涉及一种偏移正交多载波系统的导频设计和信道估计方法，包括以下步骤：采用最优的导频序列进行偏移正交多载波系统的导频设计；前向单次二维滤波的方法对接收端进行信道估计。本发明能够降低算法复杂度，提高系统可实现性。

本发明涉及一种基于纳米金探针结合基因芯片可视化检测microRNA的生物传感器，所述生物传感器包括：固定在基因芯片上的靶标miRNA特异性捕获探针、miRNA特异性报告探针和纳米金探针以及信号增强液。本发明对临床样本的检测具有良好适用性...

本发明涉及一种石墨烯三维微电极阵列芯片、方法及其应用。其特征在于所述的利用负性光刻胶制作微柱阵列，在微柱阵列上覆盖单层石墨烯薄膜制作出微电极阵列；所述的微电极芯片包括透明的石墨烯三维电极阵列区域和外围金电极引线引脚两部分。微电极位点为三...

本发明涉及一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构，在InP衬底上采用周期性InxGa1-xAs多量子阱耦合超晶格结构，每个超晶格周期包含有一个量子阱层和一个势垒层，采用厚度为a的InxGa1-xAs、0.53<x≤1作为...

本发明提供一种氮化铌薄膜的制备方法、SQUID器件及其制备方法，包括：在衬底上采用磁控溅射方式依次外延生长第一氮化铌材料层、第一绝缘材料层、第二氮化铌材料层的三层薄膜结构；通过刻蚀形成底电极图形；形成约瑟夫森结；沉积第二绝缘材料层；制备...

本发明提供一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成石墨烯薄膜；2)在所述石墨烯薄膜表面沉积一层金属层；3)进行快速退火，使所述半导体衬底表层的一部分原子...

本发明提供一种二硫化钼场效应管的制作方法。包括：首先提供一包括已经掺杂的硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成金属电极填埋窗口；然后在顶绝缘层和金属电极填埋窗口上方沉积金属薄膜；接着利用减薄的方法将顶绝缘层上方金属薄膜去除，得到金...