本发明提供一种超导磁传感器探测线圈及探测器，包括：平行设置的超导共模线圈和超导差模线圈，所述超导共模线圈和所述超导差模线圈相互耦合且覆盖的区域重合；所述超导共模线圈产生与环境磁场方向相反的抵消磁场，抑制环境磁场，减小环境磁场对被测磁场的...

本发明提供一种超导磁传感器探测线圈及探测器，包括：超导梯度线圈，所述超导梯度线圈为平面线圈，采用平衡的超导绕线结构，包括对称分布的环境磁场平衡区和被测信号感应区，所述环境磁场平衡区和所述被测信号感应区设置有高磁导率材料。基于上述超导磁传...

本发明提供一种基于绝缘体上硅衬底的射频共面波导元件及其制备方法，所述制备方法包括：1）制备绝缘体上硅衬底，包括依次层叠的底层硅、绝缘层及顶层硅，所述绝缘层的下部于对应于制备射频共面波导元件的位置具有至少直至所述底层硅的凹槽；2）定义器件...

本发明提供一种薄膜太阳能电池缓冲层后处理工艺，包括：提供表面形成有吸收层的薄膜太阳能电池，配置反应溶液，采用化学水浴法将所述反应溶液沉积于所述吸收层表面形成缓冲层，之后将所述缓冲层置于水溶液中进行浸泡处理，最后取出，用氮气吹干。本发明缓...

本发明提供一种基于绝缘体上硅衬底的射频电容元件及其制备方法，所述制备方法包括：1）制备绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括依次层叠的底层硅、绝缘层及顶层硅，所述绝缘层的下部于对应于制备射频电容元件的位置具有至少直至所述底层硅的凹槽；2...

本发明涉及一种震动传感器，其特征在于所述的震动传感器是一种震声耦合式震动传感器，将震动波转为声波，再由传声器将声波转变为电信号输出；所述的传感器包括一个密闭空腔，空腔上面连接弹性膜片，该弹性膜片中心位置上连接有配重质量体，配重质量体通过...

本发明提供一种CO2传感材料性能的测试方法，为使用谐振式微悬臂梁作为质量型测试元件，将CO2传感材料负载于谐振式微悬臂梁的敏感区域，在一定温度下通入CO2气体，获得谐振式微悬臂梁的频率随谐振式微悬臂梁上吸附CO2气体量变化的实时测试曲线...

本发明提供一种N型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，包括衬底结构，NMOS器件及PN结器件；PN结器件的P区与NMOS器件的体接触区连接，PN结器件的N区与NMOS器件的栅连接。在P型本征区中进行N型重掺杂分别形成NMOS器...

本发明提供一种N型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，该N型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，位于所述衬底结构上的n个阈值可调结构；所述阈值可调结构至少包含两个NMOS管和两个二极管，两个NMOS管共用体区，所述体区为N型重掺...

本发明提供一种超导二阶梯度线圈及其制造方法，包括梯度线圈支架、接收线圈、中补偿线圈、上补偿线圈和双绞线；所述梯度线圈支架用于由下到上依次横向绕制接收线圈、中补偿线圈和上补偿线圈，以及纵向引出双绞线；接收线圈包括N匝直径为Dp的同向线圈；...

本发明提供一种利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法，包括以下步骤：1）提供氧化物单晶衬底；2）自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入，而后在注入面形成下电极；或在注入面形成下电极，而后自注入面向氧化物单晶衬底内进行离子...

本发明涉及一种用于相控阵/MIMO雷达的相位控制系统，包括基带信号扩频聚合部分、发射端信号解扩滤波部分和辐射端上变频放大发射部分；所述基带信号扩频聚合部分用于对多路数字相位调制信号进行编码，并将编码后的信号聚合为一路信号；所述发射端信号...

本发明提供一种离子注入剥离制备半导体材料厚膜的方法，包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底内进行离子注入，离子注入的能量足以使注入离子到达所述衬底内的预设深度，并在所述预设深度处形成缺陷层；沿所述缺陷层剥离部分所述衬底，以得到厚度足以自支撑...

本发明提供一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池及其制备方法，所述制备方法包括：步骤1），表面具有透明导电层的硅异质结光伏结构；步骤2），于所述透明导电层表面形成金属栅线；步骤3），于所述金属栅线顶部及透明导电层表面覆盖介电减反射薄...

本发明涉及一种定量检测癌胚抗原的免疫层析试纸条及其制备方法，主要包括经过处理的样本垫、包被有检测磁珠的第一结合垫、包被有信号磁珠的第二结合垫、硝酸纤维素膜、底板和吸水纸，硝酸纤维素膜上固定有IgG抗体即质控线和CEA包被抗体即检测线。制...

本发明提供一种超导量子干涉装置，包括：第一探测模块和第二探测模块分别加载偏置电流；偏置电流使得第一探测模块和第二探测模块具有最大磁通电压传输率；磁通变换模块用于感应磁通信号，将磁通信号转换成第一电流，通过与第一探测模块和第二探测模块互感...

本发明提供一种环境噪声抑制方法及设备，所述环境噪声抑制设备包括探测梯度组件，参考梯度组件，超导量子干涉器件三轴磁强计组件，读出电路，所述环境噪声抑制方法包括以下步骤：采集源于所述探测梯度组件的第一梯度输出信号和源于所述参考梯度组件的第二...

本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，所述P型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，PMOS器件及PN结器件；PN结器件的N区与PMOS器件的体区连接，PN结器件的P区与PMOS器件的栅连接。在N型本征区中进行P型...

本发明提供一种锗银复合材料及其在光电器件中的应用，所述锗银复合材料包括本征锗及埋在所述本征锗中的银纳米颗粒。所述锗银复合材料可以通过离子注入法将银离子注入到本征锗中并退火得到。本发明可以利用银纳米颗粒的局域表面等离子体共振增强作用，以及...

本发明提供一种相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法，所述单元的写初始化方法包括如下步骤：S1：采用初始化写脉冲操作相变存储器单元，在所述相变存储器单元中形成非晶区域；所述非晶区域大于相变存储器默认写脉冲产生的非晶区域；S2...