本发明提供一种心磁图仪、基于其的补偿优化方法、系统及服务器，所述补偿优化方法包括以下步骤：通过预设补偿方式利用所述补偿层上的补偿磁强计产生的第一磁场信号补偿所述超导量子干涉器件阵列层上每一磁强计产生的第二磁场信号，以形成补偿后的第三磁场...

本发明涉及一种基于非共价修饰的石墨烯蛋白复合薄膜及制备方法，所述复合薄膜包括二氧化硅衬底、单层石墨烯和蛋白薄膜。制备方法包括：将通过化学气相沉积生长的单层石墨烯薄膜转移至二氧化硅衬底的表面，将石墨烯薄膜表面的光刻胶除去后在二氧化硅衬底表...

本发明提供一种用于制作透明导电氧化物（TCO）薄膜的镀膜设备及镀膜方法，其中，所述镀膜设备在同一台真空设备中同时集成有离子镀膜源及溅射镀膜源。本发明结合离子镀膜和溅射镀膜的特点，把两种镀膜有效地融合，针对器件中对TCO薄膜的不同需求，可...

本发明提供一种多孔碳的制备方法，包括以下步骤：在预设温度下热解金属醇盐，获得多孔碳与无机盐或氧化物的混合物；用溶剂洗涤所述混合物，以去除所述混合物中的无机盐或氧化物，并收集得到所述多孔碳。本发明的多孔碳的制备方法工艺条件温和、步骤简单，...

本发明提供一种基于索引树和数据链表的FPGA并行排序方法及系统，包括将待排序记录的特征值和标识值从存储器内依次读出；在数据链表存储区创建标识值节点，并将记录的标识值存储在标识值节点；根据记录的特征值在索引树存储区的索引树上建立特征值节点...

本发明涉及一种自供电无线振动自主报警系统及方法，可以监测外界环境的机械振动，并在振动幅度高于特定预设阈值时自主无线发送报警/提示信号，属于传感器技术和物联网领域。本发明所述的自主报警微系统由振动自感知能量采集器、能量转换与存储单元、控制...

本发明提供一种带有温度控制的离心机转盘温度测试系统，带有温度控制的离心机转盘温度测试系统包括：导电滑环，位于转盘的表面，包括主体、固定接线柱、固定轴及多组引出线；固定接线柱位于主体外围，固定轴位于主体内部，引出线一端经由固定轴内部与固定...

本发明提供一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法，包括如下步骤：S1：提供一锗基石墨烯，所述锗基石墨烯包括Ge衬底及形成于所述Ge衬底上的石墨烯；S2：对所述锗基石墨烯进行离子注入，以在所述石墨烯中产生点缺陷；S3：对所述锗基石墨烯进行退火，以...

本发明提供一种SiGeSn材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底包含SiGe层；向所述SiGe层内注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体；将注入后的所述衬底进行退火处理。本发明的SiGeSn材料及其制备方法相较...

本发明涉及一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器，在半导体雪崩光电探测器的倍增层中包含有若干层量子点层，所述量子点层具有比倍增层更窄的禁带宽度，且与倍增层材料形成I型能带结构。本发明增益系数显著提升、过剩噪声得到抑制，可广泛应用...

本发明提供一种微孔金属填充结构及填充方法，所述方法包括：提供一液态金属槽并在其上水平放置由喷嘴片、填充片及盖片叠加而成的三明治结构；其中，喷嘴片下表面紧贴液态金属的上表面，喷嘴片与填充片之间设有第一间隙，填充片与盖片之间设有第二间隙；所...

本发明提供一种多态相变存储器单元器件及其制备方法，包括：上电极；下电极；相变材料层结构，位于所述上电极与所述下电极之间；所述相变材料层结构包括至少两层具有不同电阻值的相变材料层，各层所述相变材料层之间电学隔离；所述相变材料层的一端与所述...

本发明提供一种光伏独立智能供电系统及供电方法，所述系统包括光伏组件、最大功率点跟踪（MPPT）、蓄电池组、逆变器、多级斩波器、直流桥式电路、控制驱动电路、自上电保持模块以及报警器。光伏列阵通过MPPT输出，由升压斩波电路为直流桥提供稳定...

本发明提供一种基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置，生长方法包括以下步骤：1）提供沉积衬底及磁场生成单元，将所述沉积衬底置于所述磁场生成单元生成的磁场内，且保证所述磁场生成单元生成的磁场与所述沉积衬底的表面相平行；2）将所述沉积衬...

本发明提供一种Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法，Ge‑Sb‑Se相变材料为包括锗、锑、硒三种元素的相变材料，Ge‑Sb‑Se相变材料的化学式为GexSbySez，其中，20≤x≤50，30≤y≤70，5≤z≤25，且...

本发明提供一种认知自组织网络中分布式协作频谱感知方法，涉及无线通信技术中的认知无线电领域，针对认知自组织网络中分布式协作难和全网合作开销大的问题，本发明应用梯度算法的最新进展，实现了在网络感知开销极大减少的条件下，全分布式、稳健的、可靠...

本实用新型提供一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构及设备，所述喷嘴片结构包括：喷嘴片面板；贯穿所述面板上表面及下表面的通孔；与所述通孔连通的液态金属引流槽；所述引流槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿所述面板下表面；...

本发明涉及一种基于石墨烯的表面增强拉曼基底及其制备方法，所述基底为表面覆有多孔结构石墨烯的绝缘衬底，金属颗粒修饰于多孔结构石墨烯表面。制备方法包括：(1)制备表面覆有多孔结构石墨烯的绝缘衬底；(2)将金属颗粒分散覆盖于多孔结构的石墨烯表...

本发明提供一种SiC‑LDMOS功率器件及其制备方法，包括：P‑型衬底；P型外延层；N型外延层；第一沟槽，形成于所述N型外延层之中；绝缘层，填充于所述第一沟槽之内；多个N型多晶硅层，自下而上间隔分布于所述绝缘层中；所述第一沟槽的一侧形成...

本发明提供一种相变存储器读出电路及读出方法，包括：读参考电压生成电路，产生一个可以快速区分读晶态电阻电流和读非晶态电阻电流的读参考电流，并将电流信号转化为电压信号；以及，将读参考电压还原为读参考电流后与相变存储单元中读出的电流相比较的灵...