一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构及设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构及设备，所述喷嘴片结构包括：喷嘴片面板；贯穿所述面板上表面及下表面的通孔；与所述通孔连通的液态金属引流槽；所述引流槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿所述面板下表面；至少两条设于所述面板边缘且两端分别与所述引流槽、所述面板侧面连通的通气槽；所述通气槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿所述面板下表面。本实用新型专利技术的喷嘴片结构可以针对不同结构和形状的微腔进行不同种类金属单质或金属合金的有效、快速填充，且喷嘴通孔位置不需要与填充片上待填充的微腔位置一一对应，从而大大提高了喷嘴片结构的普适性。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于微制造加工
，涉及一种微腔金属填充技术，特别是涉及一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构及设备。
技术介绍
在微制造加工领域，特别是MEMS领域，需要涉及到对基片上的微腔进行金属填充。这些基片可以是硅片，玻璃片或者陶瓷片等。这些微腔可以是不同的形状。可以是穿透基片的也可以是盲孔形的。对微腔的金属填充又被称为微腔的金属化。例如在通孔互连应用中，就需要对阵列的通孔进行金属填充以实现通孔的导电能力。又例如在刻蚀的螺线形槽中填充金属可以制造出埋置式的螺线式电感。电互接是用来实现将芯片间以及芯片与基板之间的电信号的传输的方式，是封装的核心组成部分。现有的封装技术中，电连接主要通过金线键合(wire-bonding)和倒装焊(flip-chip)。wire-bonding通过将细小的金线(约25微米粗)两端分别键合在需要进行电互连的电极上实现。Flip-chip又被称为controlled collapse chip connection(C4)，该方法通过在电极上直接制作凸点，通常是锡球，然后通过锡球回流的方式实现与基板上对应电极的连接。随着电子器件的发展，上述两种电连接形式特别是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构，其特征在于，所述喷嘴片结构包括：喷嘴片面板；所述面板包括上表面和下表面；贯穿所述面板上表面及下表面的通孔；与所述通孔连通的液态金属引流槽；所述引流槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿所述面板下表面；至少两条设于所述面板边缘且两端分别与所述引流槽、所述面板侧面连通的通气槽；所述通气槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿所述面板下表面。

【技术特征摘要】
1.一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构，其特征在于，所述喷嘴片结构包括：喷嘴片面板；所述面板包括上表面和下表面；贯穿所述面板上表面及下表面的通孔；与所述通孔连通的液态金属引流槽；所述引流槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿所述面板下表面；至少两条设于所述面板边缘且两端分别与所述引流槽、所述面板侧面连通的通气槽；所述通气槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿所述面板下表面。2.根据权利要求1所述的用于微腔金属填充的喷嘴片结构，其特征在于：所述引流槽为线型引流槽，包括：与所述通孔连通的线型主槽；至少两条两端分别与所线型述主槽、所述通气槽连通的线型喷嘴槽。3.根据权利要求2所述的用于微腔金属填充的喷嘴片结构，其特征在于：所述线型主槽两侧均垂直连通有至少两条所述线型喷嘴槽。4.根据权利要求2所述的用于微腔金属填充的喷嘴片结构，其特征在于：所述线型喷嘴槽的宽度大于所述通气槽的宽度。5.根据权利要求2所述的用于微腔金属填充的喷嘴片结构，其特征在于：所述线型喷嘴槽的深度范围是1-1000微米，宽度范围是1-1000微米。6.根据权利要求1所述的用于微腔金属填充的喷嘴片结构，其特征在于：所述引流槽为面型引流槽，包括与所述通孔连通的面型槽；所述面型槽侧面与所述通气槽连通。7.根据权利要求6所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾杰斌，刘冰杰，李昕欣，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：新型
国别省市：上海;31