本实用新型提供一种太赫兹激光的偏振调制调解装置，包括：驱动电源、太赫兹量子级联激光器、第一离轴抛物面镜、线偏振激光调制器、第二离轴抛物面镜、太赫兹量子阱探测器、电流放大器及示波器。采用太赫兹激光的量子级联激光器作为理想的线偏振激光源，并...

本实用新型公开了一种锂离子电池的原位测试装置及组装支架，所述装置包括依次设置的出光口封装盖、第一薄膜、电极片、隔膜、锂片、锂片支撑底座、内部加压部件、电极连接板、第一密封圈、承载台、电极引线、第二密封圈、第二薄膜和入光口封装盖。本实用新...

本发明提供一种模拟单粒子脉冲长尾效应的建模方法，包括：高能粒子射入处于关态的MOS管的沟道区，电离出的大量的电子空穴对在电场的作用下形成瞬态电流脉冲，分析电子空穴对在体漏形成的反偏PN结空间电荷区的漂移过程，建立初步的节点电压恒定不变的...

本发明涉及一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法，探测器以稀铋多量子阱作为吸收层，其中势阱层为p型稀铋III-V族材料，势垒层为不掺杂的不含铋III-V族材料。制备方法包括依次在衬底上生长p型高掺杂不含铋III-V族缓...

本发明提供一种去除石墨烯上光刻胶的方法，包括：提供表面具有石墨烯的衬底；在所述石墨烯上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上涂覆光刻胶，并进行需要光刻胶的后续工艺处理；利用丙酮浸泡去除部分所述光刻胶；利用氢氟酸浸泡去除所述氮化硅层及剩余的光刻胶...

本发明提供一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一包括底层硅、埋氧层及顶层硅的SOI衬底，于所述顶层硅表面形成绝缘层；2）于对应于制备晶体管沟道的位置形成刻蚀窗口；3）刻蚀所述绝缘层，形成贯穿至所述顶层硅的...

本发明涉及一种基于非共价修饰的石墨烯场效应管的肿瘤标志物检测传感器及其制备方法，包括二氧化硅衬底、石墨烯沟道以及反应腔。制备方法包括金属电极的制作、石墨烯的湿法转移、石墨烯沟道及其保护的绝缘层的制作以及石墨烯表面通过非共价修饰方式修饰。...

本发明提供一种适于接触式光刻机的分区域曝光装置，包括：第一滑槽导轨组、第二滑槽导轨组、第一挡板及第二挡板；所述第一滑槽导轨组包括一对平行间隔分布的第一滑槽导轨；所述第二滑槽导轨组包括一对平行间隔排布的第二滑槽导轨。本发明的装置结构简单，...

本发明提供一种掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法，其中，所述掺杂石墨烯的制备方法至少包括：提供一铜衬底，在所述铜衬底上形成镍薄膜层；在所述镍薄膜层上选择一特定区域，在所述特定区域分别注入N型掺杂元素和P型掺杂元素，以分别形成富N型掺...

本发明提供一种高偏振消光比超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；高反膜，位于所述衬底表面；超导纳米线，位于所述高反膜的表面；介质层，位于所述高反膜的表面，且包覆所述超导纳米线；光栅结构，位于所述介质层的表面。本发明的高偏振消光比超导纳米线...

本发明提供一种通信射频前端模块及通信方法，包括：切换传输链路的天线开关；隔离输入、输出信号，支持多频段信号传输的双工器；将发射机的输出信号传输到双工器的功率放大器；将输入信号传输到接收机的低噪声放大器。通过调节阻抗平衡网络，将通信射频前...

本发明提供一种三轴微机械磁场传感器，包括两个呈正交排列的第一谐振结构组件及第二谐振结构组件。本发明的三轴微机械磁场传感器不需要磁性材料，不存在磁滞和磁饱和现象，制作工艺与标准CMOS工艺兼容，可实现大批量，低成本生产；第一谐振结构及第二...

本发明提供一种SQUID信号放大模块、放大方法及磁传感器，包括：藉由第n级SQUID电路对被测磁通输入信号进行检测，并输出相应的电流或电压信号；藉由依次串联于反相放大反馈电路与第n级SQUID电路之间的各级SQUID转换电路，将所述电流...

本发明涉及一种基于分形理论的目标检测背景估计方法，包括以下步骤：获取包含待检测目标的图像序列；得到每个坐标点像素在整个图像序列中的亮度值数组；计算每个坐标点像素的分形特征值；分类得到背景、前景及干扰像素点；针对像素类型逐点进行相应背景估...

本发明提供一种脉冲波形测试电路，包括：用于收集单粒子轰击产生单粒子瞬态脉冲的脉冲收集模块；与所述脉冲收集模块相连，用于检测所述单粒子瞬态脉冲在不同电压值时的脉冲宽度，并产生多个相应的脉冲信号的脉冲宽度检测模块；与所述脉冲宽度检测模块相连...

本发明提供一种基于SOI工艺的电池管理芯片电路，所述电池管理芯片电路包括高压多路选通器MUX、电压基准电路、Sigma-delta ADC（包括模拟调制器以及数字滤波器）、SPI通讯电路、以及功能控制电路与电压值寄存器。所述电池管理芯片...

本发明提供一种全张量心磁图仪探头及其制造方法，包括全张量探头支架、检测层SQUID磁强计和参考层SQUID磁强计；所述全张量探头支架包括检测层支架、参考层支架及中间连接杆，所述检测层支架设置在所述中间连接杆的底端，所述参考层支架设置在所...

本发明提供一种脉冲波形测试方法，包括：收集单粒子轰击信息，并产生单粒子瞬态脉冲；检测所述单粒子瞬态脉冲在不同电压值时的脉冲宽度，并产生相应宽度的脉冲信号；根据不同电压值时产生的相应宽度的脉冲信号标定当前电压值时所述单粒子瞬态脉冲的脉冲宽...

本发明提供一种三维堆叠相变存储阵列器件及其制备方法，所述三维堆叠相变存储阵列器件中，无结型晶体管的栅极采用控制栅极的阶梯式引出方式，形成SSL控制端，WL、BL和SSL的交界点处有一个相变存储单元，实现对每一个存储位点的读、写、擦操作。...

本发明提供一种基于深硅刻蚀工艺的超导纳米线单光子探测器及制备方法，包括：SOI基片，由下至上依次包括背衬底、埋氧层及顶层硅；第一抗反射层，位于顶层硅的表面；第二抗反射层，位于背衬底的表面；深槽，贯穿第二抗反射层、背衬底及埋氧层；光学腔体...