本发明提供一种窄带吸收超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；高反膜，位于所述衬底表面；超导纳米线，位于所述高反膜表面；多层薄膜滤波器，位于所述高反膜的表面，且所述多层薄膜滤波器的底层薄膜层包覆所述超导纳米线。本发明的窄带吸收超导纳米线单光...

本发明提供一种N型重掺杂恒温控制振荡器及其恒温控制方法，包括：谐振结构、锚点、加热梁及温度传感器；谐振结构包括N型重掺杂纵向振动梁及第一电极；N型重掺杂纵向振动梁及第一电极均沿单晶硅<100>晶向族方向分布；锚点位于谐振结构...

本发明提供一种抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；高反膜，位于所述衬底表面；超导纳米线，位于所述高反膜表面；介质层，位于所述高反膜表面，且包覆所述超导纳米线。本发明的抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器在高反膜上加工制...

本发明提供一种石墨烯气凝胶的制备方法，包括以下步骤：S1：在溶剂中加入石墨烯及胺基聚合物，并分散，得到石墨烯分散液；S2：冷冻干燥所述石墨烯分散液，得到石墨烯气凝胶。本发明的石墨烯气凝胶制备方法以含胺基的聚合物作为石墨烯分散剂和结构交联...

本发明提供一种基于光学元件的信息隐藏与重现的方法，所述方法至少包括：首先提供一基底，在所述基底表面制作包含待隐藏与重现的信息的光学元件，即光学元件为信息载体；然后在所述光学元件表面覆盖一层与所述基底折射率匹配的覆盖层，实现信息的隐藏；接...

本发明公开了一种毫米波图像自动目标识别方法，包括以下步骤：(1)获取待目标识别的毫米波图像的子图块；(2)基于经训练的卷积神经网络获取所述子图块包含目标的概率值；(3)基于所述概率值获取待目标识别的毫米波图像的概率累计图；(4)基于所述...

本发明涉及一种串行通信方法，主设备和从设备之间只有一根数据信号线，主设备发出探测信号，从设备回复确认信号，主设备在收到确认信号后，优先决定是否获得总线所有权向所述从设备发送数据；当主设备没有获取总线所有权时，从设备获得总线所有权向主设备...

本发明提供一种微孔径MEMS声阵列传感器及其使用方法，包括依次连接的MEMS声阵列、声信号预处理器、微控制器和微处理器，所述MEMS声阵列包括多个呈中心对称均匀分布的MEMS传声器；所述声信号预处理器包括多路与所述MEMS传声器一一对应...

本发明提供一种小型化多业务无线移动自组网网络系统，其中，物理层包括DSSS模块和OFDM模块，OFDM模块提供OFDM协议来传输速率要求较高的业务数据信息，DSSS模块提供DSSS协议来传输各节点的网络维护和控制信息、以及速率要求较低的...

本发明涉及一种砷化镓基双异质结双极晶体管结构及制备方法。其特征在于所述的结构依次由半绝缘单抛的GaAs衬底、缓冲层、集电区、高掺集电区、隔离层、基区、隔离层、发射区、盖层、渐变盖层和盖层组成。本发明的创新点在于为了解决铍(Be)作为基区...

本发明提供一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法，所述图形化绝缘体上硅衬底材料包括：底层硅；绝缘层，结合于所述底层硅表面，且于对应于制备晶体管沟道的位置形成有凹槽，所述凹槽与底层硅之间保留有部分的绝缘层；顶层硅，结合于所述绝缘层表面。...

本发明提供一种超导电路结构及其制备方法，包括：1）提供衬底，在衬底表面对应于后续要形成约瑟夫森结的位置形成应力图案结构，应力图案结构的尺寸大于约瑟夫森结的尺寸；2）在衬底表面依次形成第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层的三层薄...

本发明提供一种GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法，其特征在于利用Ga原子束流的变化使GaAs生长过程中交替出现富Ga和富As的表面，并记录表面再构变化的时间，最终通过求解表面富余原子总量的表达式，得到As原子在生长...

本发明提供一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法，该CMOS器件结构包括：绝缘体岛上硅衬底，所述绝缘体岛上硅衬底包括底层硅、绝缘层以及顶层硅，且所述绝缘层对应于制备晶体管沟道的位置具有贯穿所述顶层硅及底层硅之间的凹槽；CM...

本发明提供一种集成无源元件转接板及其制备方法，包括：1）提供硅基板；2）在硅基板的第一表面形成若干个第一盲孔及第二盲孔，第一盲孔的深度小于第二盲孔的深度；3）在硅基板的第一表面、第一盲孔表面及第二盲孔表面形成绝缘保护层；4）在第一盲孔及...

本发明提供一种太赫兹二维成像系统及成像方法，所述成像系统包括太赫兹量子级联激光器模块、载物台模块、光路传输模块、数据采集模块、数据处理与图像还原模块。本发明所述成像系统采用对称型立体光路实现反射信号的接收，成像光斑小，成像信号收集效率高...

本发明提供一种包含部分限定型相变材料结构的相变存储单元及制作方法，包括：1）提供衬底，在衬底内形成至少一个下电极；2）在下电极的上表面形成加热电极，在加热电极之间的衬底表面形成第一绝缘材料层；3）采用回刻工艺刻蚀去除部分加热电极及第一绝...

本发明涉及一种偏移正交多载波基带系统，包括子载波调制器、多载波综合滤波器组、同步器、多载波分析滤波器组和子载波解调器；所述子载波调制器用于完成子载波调制；所述多载波综合滤波器组用于对调制后的子载波实现时频聚焦滤波成形；所述同步器用于估计...

本发明提供一种n型硅片热处理方法，所述热处理方法至少包括：提供待处理的n型硅片，将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中，升温至一定值，往所述热处理炉中通入氧气，并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂，以在所述n型硅片表面...

本发明提供一种存储阵列、存储对象逻辑关系的存储芯片及方法，存储阵列包括：第一引出线和第二引出线，不同编号的第一引出线和第二引出线之间分别连接一存储单元，相同编号的第一引出线和第二引出线之间分别连接一可控开关。存储芯片包括：接口模块；产生...