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中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术
中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利
单芯片硅集成三轴高频宽高冲击加速度计及其制作方法技术
本发明提供一种单芯片硅集成三轴高频宽高冲击加速度计及其制作方法。通过使用一对质量块、第一直拉直压梁、第二直拉直压梁、第一连接板及第二连接板的组合作为Z轴微机械敏感结构单元,将垂直表面Z轴加速度引起的结构形变转化为易于检测的表面内直拉直压...
一种量子干涉器件结构及其制备方法技术
本发明提供一种量子干涉器件结构及其制备方法,该结构包括:第一超导层;位于所述第一超导层之上的第一介电层;位于所述第一介电层之上的石墨烯或二维半导体薄膜层;位于所述石墨烯或二维半导体薄膜层之上的第二介电层;位于所述第二介电层之上的第二超导...
一种用于磁场屏蔽的半导体器件及其制作方法技术
本发明提供一种用于磁场屏蔽的半导体器件及其制作方法,包括:衬底;位于衬底上表面的第一超导层;位于第一超导层表面的第一介电层;位于第一介电层表面、由二维半导体薄膜层形成的霍尔结构;位于霍尔结构表面的第二介电层;位于第二介电层表面的第二超导...
一种具有保持力测试功能的相变存储器制造技术
本发明提供一种具有保持力测试功能的相变存储器,包括:对行地址信号进行译码以开启存储阵列相应字线的行译码器单元;对列地址信号进行译码的列译码器单元;输出测试电压/电流信号的电压源/电流源单元;开启存储阵列中相应位线,并将测试电压/电流信号...
一种新型量子霍尔器件及其制备方法技术
本发明提供一种新型量子霍尔器件及其制备方法,包括:1)提供一衬底,在所述衬底表面形成第一超导薄膜层;2)在所述第一超导薄膜层表面覆盖第一介电薄膜层;3)然后在所述第一介电薄膜层表面形成具有预设图形的石墨烯层或半导体薄膜层;4)在所述步骤...
基于移动终端的人脸识别方法及系统技术方案
本发明涉及一种基于移动终端的人脸识别方法,包括以下步骤:通过移动终端采集图像,利用人脸检测算法获悉是否出现人脸图像,并进行人脸图像的分割提取以及预处理;对预处理后的人脸图像进行归一化,分别提取待注册人员和待识别人员的EULBP特征,并保...
高速大量程的超导量子干涉器磁传感器及探测方法技术
本发明提供一种高速大量程的超导量子干涉器磁传感器及探测方法,包括产生环路输出电压的磁通锁定电路;检测环路输出电压的电压检测电路;根据环路输出电压调节偏置电压的可控偏置电压电路;以及对磁通量子的计数的计数器电路。基于磁通锁定电路输出与被测...
一种对医用钛材料表面进行改性的方法技术
本发明提供一种医用钛材料表面改性的方法以及具有表面改性的医用钛材料,所述方法为于医用钛材料的表面制备石墨烯薄膜。本发明在医用钛材料的表面制备一层石墨烯薄膜,相比于未改性医用钛材料,表面生长石墨烯薄膜能够明显提高医用钛材料表面的细胞相容性...
微机械磁场传感器及其应用制造技术
本发明提供一种微机械磁场传感器及其应用,所述微机械磁场传感器至少包括:谐振振子和依次形成于所述谐振振子表面上的绝缘层及至少一层金属线圈。本发明采用S型折叠梁实现弹性梁和锚点的连接,保证了谐振振子谐振时是沿垂直于谐振振子的方向移动,相比于...
一种应变量子点的制备方法及应变量子点技术
本发明提供一种应变量子点的制备方法及应变量子点。所述制备方法包括以下步骤:在标的材料上形成光刻胶,在所述光刻胶上形成多个注入窗口,进行H+离子或He离子注入,去除所述光刻胶,进行退火处理,使所述标的材料中的H+离子或He离子聚集成H2或...
柔性自发电式加速度传感器制造技术
本发明提供一种柔性自发电式加速度传感器,包括:一个质量块和由多种材料结合形成的功能薄膜。可以加入衬底结构起到保护作用。所述功能薄膜固定于所述质量块,所述功能薄膜包括依次层叠设置的第一电极层、第一摩擦层、第二摩擦层和第二电极层;所述第二摩...
一种基于RS/LDPC编码技术的太赫兹通信系统技术方案
本实用新型提供一种基于RS/LDPC编码技术的太赫兹通信系统,包括发送端以接收端;所述发送端用于根据通信传输协议,发送包含编码数据包的完整的数据帧,所述编码数据包经过RS/LDPC编码方式编码,由数据位和校验位组成;所述接收端用于接收所...
一种二维锡烯材料的制备方法技术
本发明提供一种二维锡烯材料的制备方法,包括以下步骤:1)在单晶衬底上外延生长单层或多原子层的α‑Sn晶体薄膜,其中,所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜通过sp3化学键相连;2)采用原子和/或离子和/或电子进行轰击,在所述单晶衬底与α‑Sn晶...
一种用于制造支撑衬底上的单晶材料薄层结构的方法技术
本发明提供一种用于制造支撑衬底上的单晶材料薄层结构的方法,包括:提供单晶衬底,以所述单晶衬底的一表面为注入面,在所述单晶衬底内进行第一类型离子及第二类型离子的共注入,以在所述单晶衬底的预设深度形成缺陷层;提供支撑衬底,使所述单晶衬底的注...
一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件制造技术
本实用新型提供一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件,所述器件包括:半绝缘GaAs衬底;位于该衬底上表面的GaAs缓冲层;位于该缓冲层表面的n型重掺杂下接触层;位于该下接触层表面的有源区;位于有源区表面的n型重掺杂上接触层;位于n型重掺...
一种自适应的触发器加固电路制造技术
本实用新型提供一种自适应的触发器加固电路,包括反相器链,包括多级级联的反相器;锁存器,连接于每级反相器输出端,用于锁存反相器输出逻辑状态;控制模块,用于控制某个时刻所有锁存器,使每个锁存器保持相对应的反相器输出逻辑状态;计算模块,用于计...
一种集成吸收波导的太赫兹量子级联激光器制造技术
本实用新型提供一种集成吸收波导的太赫兹量子级联激光器,包括:半绝缘GaAs衬底;位于所述半绝缘GaAs衬底上表面的GaAs缓冲层;位于所述GaAs缓冲层表面的n型重掺杂下接触层;位于所述n型重掺杂下接触层表面的有源区;位于所述有源区表面...
一种相变存储器读出电路及方法技术
本发明提供一种相变存储器读出电路及方法,包括存储数据的目标相变存储单元阵列;非晶态参考相变存储单元列;晶态参考相变存储单元列;以及灵敏放大器。初始阶段,将非晶态参考相变存储单元置为非晶态,将晶态参考相变存储单元列置为晶态;选中一个目标相...
行列互联的异构多核心类脑芯片及其使用方法技术
本发明提供一种行列互联的异构多核心类脑芯片及其使用方法,所述类脑芯片中,连线模拟神经元网格中的突触,其中横向连线代表神经元的树突,纵向连线代表神经元的轴突;信号处理核心代表神经元细胞体的功能,其位于行列连线的对角线交叉位置,根据输入信号...
一种用于VOCs检测的传感系统及检测方法技术方案
本发明提供一种用于VOCs检测的传感系统及检测方法,所述传感系统包括:进样池,所述进样池上部设有进样口;检测池,所述检测池包括样品室、传感器室以及隔离所述样品室和传感器室的防水透气薄膜;固定于所述传感器室内的质量敏感型微传感器;位于所述...
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