本实用新型提供一种适于接触式光刻机的分区域曝光装置，包括：第一滑槽导轨组、第二滑槽导轨组、第一挡板及第二挡板；所述第一滑槽导轨组包括一对平行间隔分布的第一滑槽导轨；所述第二滑槽导轨组包括一对平行间隔排布的第二滑槽导轨。本实用新型的装置结...

本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，该P型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，位于所述衬底结构上的n个阈值可调结构；所述阈值可调结构至少包含两个PMOS管和两个二极管，两个PMOS管共用体区，所述体区为P型重掺...

本发明提供一种基于室温标定的梯度计等效误差面积校正方法及系统，包括步骤S1、绕制梯度线圈；步骤S2、对梯度线圈进行室温标定，获取等效误差面积；步骤S3、根据梯度线圈室温标定的结果，调整可调线圈的面积和/或方向，重复步骤S2‑S3，直至梯...

本发明提供一种电感屏蔽环包括：平面螺旋电感及屏蔽环；所述平面螺旋电感位于所述屏蔽环中心位置，所述屏蔽环为不连续的金属块组成的环状，所述金属块通过通孔与扩散区连接。本发明提供了一种电感屏蔽环，用于解决现有技术中平面螺旋电感屏蔽环版图占用面...

本发明涉及一种基于微球和微柱阵列芯片的乳滴数字PCR定量方法，包括：(1)制备微柱阵列芯片；(2)抽取表面修饰链霉亲和素的聚苯乙烯微球，稀释后分步加入到目标磁珠的悬浊液中孵育，富集微球磁珠复合物，重悬；(3)取步骤(2)中的微球磁珠复合...

本发明提供一种太赫兹光路校准器、汇聚及平行光路校准装置，所述太赫兹光路校准器包括：太赫兹光路管、可见光光路管、太赫兹分色片及耦合光导出光路模块。本发明仅采用普通发散性光源即可完成对太赫兹光束的标识，大幅降低设备费用；有效的降低了太赫兹光...

本发明涉及一种分子束外延中标定衬底表面实际温度的方法，包括：(1)测试衬底解析时的热偶温度T1；(2)衬底解析后降温，观察确认表面再构发生变化后，关闭用于保护衬底的束源，升温，观察并记录衬底表面再构恢复时的热偶温度T2；(3)衬底降至室...

本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，包括衬底结构，PMOS器件及PN结器件；PN结器件的N区与PMOS器件的体接触区连接，PN结器件的P区与PMOS器件的栅连接。在N型本征区中进行两次P型重掺杂分别形成PMO...

本发明提供一种直读式磁通调制读出电路及方法，包括：SQUID器件；对SQUID器件输出信号放大的前置放大器；滤除直流量和低频噪声的高通滤波器；调制解调信号发生器；对高通滤波器的输出信号解调的解调器；积分并产生响应电压信号的积分器；将响应...

本发明涉及一种用于无线通信节点的超低功耗欠采样接收机，其中，射频匹配网络用于实现射频前端和天线之间的阻抗匹配；伪差分低噪声放大器用于实现保证高增益和低噪声，同时将射频匹配网络的单端输入信号转为差分输出信号；欠采样混频器用于将射频差分信号...

本发明提供一种集成吸收波导的太赫兹量子级联激光器及其制作方法，包括：半绝缘GaAs衬底；位于所述半绝缘GaAs衬底上表面的GaAs缓冲层；位于所述GaAs缓冲层表面的n型重掺杂下接触层；位于所述n型重掺杂下接触层表面的有源区；位于所述有...

本发明提供一种用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶，用于对低温杜瓦单元进行电磁屏蔽处理，包括：无磁桶型衬底；无磁帽型衬底，结合于所述无磁桶型衬底上，在所述无磁桶型衬底和无磁帽型衬底的结合处设置有凹凸锁，通过凹凸锁将无磁桶型衬底和无磁帽型衬底密封围成...

本发明涉及一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法，其特征在于所述的复合衬底以锑化物为中间层、上、下表面分别形成压应变AlSb/Si和张应变GaAs/GaSb的界面失配位错阵列IMF，使应变在两个界面处得到释放，解决了GaAs与Si之间晶格失配...

本发明提供一种高压模拟集成开关电路，包括并联的第一、第二模拟子开关，所述第一模拟子开关包括第一n型DMOS管、第二n型DMOS管及第一驱动电路，所述第一n型DMOS管的源极连接第二n型DMOS管的源极，漏极连接电路输入端，栅极连接第一驱...

本发明提出了一种机器人通用关节及机器人手臂，通过每个关节上统一搭载的第一接口端子和第二接口端子，即可实现机器人通用关节之间的串行和/或并行连接，方便地组合出多自由度的机器人系统；通过力传输轴和电气信号的同一旋转轴且同步旋转的设计，使用者...

本发明提供一种台阶区域覆盖有超导覆盖层的超导电路结构及其制备方法，包括：1）提供衬底，在衬底表面依次形成第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层的三层薄膜结构；2）分别刻蚀第二超导材料层、第一绝缘材料层及第一超导材料层以形成下电极...

本实用新型提供一种太赫兹量子级联激光器模式调制的装置，所述装置至少包括：微波发生器、耦合器、T型偏置器、太赫兹量子级联激光器、频谱仪以及红外光谱仪；所述微波发生器依次通过所述耦合器、T型偏置器与所述太赫兹量子级联激光器的输入端相连；所述...

本发明提供一种用于射频与CMOS电路共集成的绝缘体上硅衬底及制备方法，所述绝缘体上硅衬底，包括：底层硅；绝缘层，结合于所述底层硅表面，所述绝缘层的下部于对应于制备射频器件的位置具有直至所述底层硅的凹槽，且所述凹槽内的底层硅中具有与不同射...

本发明提供一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法，所述相变存储器至少包括：相变存储单元阵列；写擦驱动模块，与所述相变存储单元阵列相连，用于产生和输出写操作和擦操作电流信号；操作次数比较器，与所述写擦驱动模块相连，用于监控所述相变存储单...

本发明提供一种基于绝缘体上硅衬底的射频电感元件及其制备方法，所述制备方法包括：1）制备绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括依次层叠的底层硅、绝缘层及顶层硅，所述绝缘层的下部于对应于制备射频电感元件的位置具有至少直至所述底层硅的凹槽；2...