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中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术
中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利
一种基于超导量子干涉仪的总场测量方法及装置制造方法及图纸
本发明提供一种基于超导量子干涉仪的总场测量方法及装置,所述方法包括:对高灵敏度三轴SQUID磁强计进行非正交度、灵敏度和零点偏移的标定;通过高灵敏度三轴SQUID磁强计对待测环境中的磁场分量进行测量,并在磁场分量值大于预设阈值时对相应高...
一种二维材料层及制备方法技术
本发明提供一种二维材料层及制备方法,包括步骤:提供一衬底,于衬底上表面形成二维材料层;采用导电型针尖扫描所述二维材料层的上表面,所述导电型针尖具有激发电压。本发明的二维材料层及制备方法能很大程度降低界面的摩擦,从而延长器件的寿命,减少功...
磁性随机存储器的磁隧道结器件制造技术
本发明提供一种磁性随机存储器的磁隧道结器件,包括自下而上依次堆叠的参考层、隧穿介电层和记忆层,所述记忆层采用物理气相沉积法制作,其包括铁磁材料,以及通过沉积层插入方式和/或共溅射方式来掺入该铁磁材料的非磁材料。本发明的磁性随机存储器,其...
一种集成结构的制备方法以及由此得到的铜互连线与介质层集成结构技术
本发明涉及一种集成结构的制备方法,包括以下步骤:S1,在半导体衬底上,经过单大马士革工艺首先形成包括第一铜互连线和第一介质层的单镶嵌式复合层;S2,通过等离子刻蚀去除部分第一介质层,露出第一铜互连线的顶部,第一铜互连线之间的第一介质层下...
一种集成结构的制备方法以及由此得到的铜互连线与介质材料集成结构技术
本发明提供一种集成结构的制备方法,包括:S1,在半导体衬底上,沉积一层高分子聚合物,在高分子聚合物的表面形成一层光刻板;S2,通过等离子刻蚀高分子聚合物形成聚合物沟槽,去除光刻板;S3,在聚合物沟槽的壁面覆盖一层金属阻挡层;S4,在聚合...
一种超导航磁气压稳压装置及气压稳压方法制造方法及图纸
本发明提供一种超导航磁气压稳压装置及方法,所述装置包括:设于容器杜瓦出气管道上的气压检测模块,用于检测容器杜瓦内的气压;电连接于气压检测模块的控制模块,用于比较检测气压值和预设气压值,并根据比较结果分别输出第一、第二、第三控制信号;设于...
超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法技术
本发明提供一种超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法,所述DCDC转换电路包括:双路输出模块,电连接于所述双路输出模块的高压上电复位模块,电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的功率管衬底电平选择模块,电连接于所述高...
C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料、相变存储器单元及其制备方法技术
本发明提供一种C掺杂Sc‑Sb‑Te相变存储材料、相变存储器单元及其制备方法,所述Sc‑Sb‑Te相变存储材料为Sc‑Sb2Te3相变存储材料,所述C掺杂Sc‑Sb‑Te相变存储材料中,C的原子百分比为1%~40%。本发明通过对Sc‑S...
弓网状态的检测方法技术
本发明提供一种弓网状态的检测方法,通过获取接触线与受电弓之相交区域的原始图像,经由直线提取算法获得接触线的直线特征,进而根据所述直线特征,以动态权重直线聚类的方式拟合出接触线的虚拟二维模型,并对虚拟二维模型进行立体匹配,获得视差信息,而...
双成像系统技术方案
本发明提供一种双成像系统,包括:镜头组件、半反半透镜、可见光图像传感器及红外图像传感器;其中,镜头组件用于采集待成像物的入射光线;半反半透镜位于镜头组件远离入射方向的一端,用于将镜头组件采集的入射光线进行反射和透射,以将入射光线分离为反...
一种超导瞬变电磁信号的测量装置及方法制造方法及图纸
本发明提供一种超导瞬变电磁信号的测量装置及方法,所述测量装置包括:TEM发射机、电连接于所述TEM发射机的TEM发射线圈、设于所述TEM发射线圈内的TEM接收机、设于所述TEM发射线圈外且与所述TEM接收机之间具有预设间距的三轴超导磁强...
具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法技术
本发明提供一种具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法,制备方法包括:提供一衬底;于衬底上表面形成氢钝化层和位于氢钝化层上表面的石墨烯层;将一探针置于石墨烯层上,并给探针施加一预设电压,以激发探针对应位置的部分氢钝化层转换成氢气,氢气使得...
具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法技术
本发明提供一种具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法,制备方法包括:提供一衬底;对衬底进行处理,以于衬底的表面形成一离子膜层;提供一石墨烯层,并转移石墨烯层至离子膜层的表面;将一探针置于石墨烯层上,并给探针施加一预设电压,以激发探针对应...
一种相变材料、相变存储单元及其制备方法技术
本发明提供一种相变材料、相变存储单元及其制备方法,其中,相变材料包括钽元素、锑元素及碲元素,相变材料的化学式为TaxSbyTez,其中,x、y、z均指元素的原子百分比,且1≤x≤25,0.5≤y:z≤3,x+y+z=100。本发明的Ta...
一种使用加权互补码的通信方法技术
本发明涉及一种使用加权互补码的通信方法,包括下列步骤:将K个用户中的用户k的信号复制成M份,其中M为分支数目,k=1,2,…,K;针对K个用户提供互补码
高灵敏度加速度传感器结构的制备方法技术
本发明提供一种高灵敏度加速度传感器结构的制备方法,包括:提供衬底;于衬底正面进行硼离子注入;于衬底的正面及背面依次形成第一氧化硅层及低应力氮化硅层;于衬底的正面形成释放窗口;形成深槽;形成内部刻蚀缓冲腔体;于释放窗口的侧壁、内部刻蚀缓冲...
微传感器及其制备方法技术
本发明提供一种微传感器及其制备方法,微传感器包括:衬底,衬底的上表面形成有凹槽;热匀散结构层,悬置于凹槽的上方;支撑梁,位于凹槽的上方,且位于热匀散结构层与凹槽的侧壁之间;支撑梁一端与热匀散结构层相连接,另一端与衬底相连接;主体支撑层,...
一种超导数字电路设计方法技术
本发明提供一种超导数字电路设计方法,包括:基于超导数字电路的设计需求进行系统架构设计和功能设计后生成电路设计网表;对所述电路设计网表中任一数据通路上的所有单元电路的所有端口均进行磁通存储能力检测,并在端口具有磁通存储能力时,于该端口处增...
提高单光子探测器的光子数分辨率能力的系统及方法技术方案
本发明提供一种提高单光子探测器的光子数分辨率能力的系统及方法,包括:若干个单光子探测器;若干个读出电路,各读出电路的输入端与各单光子探测器的输出端一一对应连接;若干个电平转换电路,各电平转换电路的输入端与各读出电路的输出端一一对应连接;...
非晶硅/晶体硅异质结太阳电池制造技术
本实用新型提供一种非晶硅/晶体硅异质结太阳电池,包括非晶硅/晶体硅异质结结构,其上表面和下表面分别包括中心区及包围中心区的边缘区;透明导电氧化物薄膜覆盖中心区,且至少显露非晶硅/晶体硅异质结结构的上表面和下表面中的一面的边缘区;金属电极...
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