本公开提供一种可编程电阻器、带隙基准源及调节方法，可编程电阻器包括：第一电阻；第一开关组，与第一电阻串联，用于连通第一电阻与两个编程端口，以对第一电阻进行阻值编程；第二开关组，与第一电阻串联，用于连通第一电阻与两个采样端口；反相器，用于...

本公开提供一种空穴传输层及其制备方法、太阳能电池及其制备方法，其中，空穴传输层的制备方法包括：S1，将2，2

本公开提供一种线性大摆幅驱动电路，包括结构对称的两个半边电路，每个半边电路包括连接于电源与地之间的多级电路支路，所述多级电路支路包括：输入级支路，电压增益级支路，输出级支路。输入级支路用于接收输入源的差分电压输入信号，并使驱动电路和前级...

本公开提供了一种低射频串扰的阵列集成微波光子系统，包括：多个微波光子模块，每个微波光子模块包括：激光器，为磷化铟基芯片，适用于发射光载波；调制器，为铌酸锂基芯片或硅基芯片，适用于接收光载波并根据外部输入的射频信号对光载波进行调制，得到调...

本公开提供一种忆阻器阵列运算电路，包括：基本存储模块，包括多个基本存储单元，每个基本存储单元包括相互连接的第一忆阻器和第一晶体管；预处理模块，包括多个共栅放大器，共栅放大器与第一晶体管相连接，以及多个共栅放大器的输出电流汇总输出；偏置模...

本公开提供一种光量子受控非门及其实现方法，其包括利用微腔将控制光子复制到电子自旋态；将处于右旋态的光子输入微腔，使右旋态的光子与电子自旋态产生强耦合及纠缠，得到第一纠缠态、第一反射态以及透射态；将反射态输入第一半波片后转为左旋态，左旋态...

本发明公开了一种无机钙钛矿太阳能电池，包括：衬底；电子传输层，设置在衬底上；无机钙钛矿吸光层，设置在电子传输层上，被构造成吸收太阳光并产生成对的电子和空穴，电子经电子传输层传输至衬底；表面重构层，设置在无机钙钛矿吸光层上，表面重构层被构...

本公开提供了一种温度传感器及温度修调校准方法，可以应用于传感技术领域。该方法包括：感温电路，用于根据第三可调参数，确定非线性参数，并根据第一可调参数，确定温度系数；信号调理电路，用于根据第二可调参数，确定零度输出参数；温度传感器，用于根...

本发明公开了一种用于改善半导体激光器Smile效应的封装结构，包括：热沉、半导体激光器芯片、绝缘层、次热沉、负极片。热沉的安装平面上设置有芯片安装区和绝缘区，半导体激光器芯片的P面朝下焊接于热沉的芯片安装区，绝缘层安装于热沉的绝缘区之上...

本发明提供了一种制备铂基高自旋霍尔角材料的方法、合金薄膜及应用，该方法，包括在铂基金属膜的生长过程中，通过添加杂质，使杂质与铂形成具有多晶或单晶结构的合金薄膜；其中，杂质为非铂的金属、金属的碳化物、金属的氮化物或金属的氧化物以及硅或硅的...

本公开提供一种两级Doherty功率放大器，包括：驱动级电路(1)，用于对输入的射频信号进行放大；不等分功率分配器(2)，用于对放大后的射频信号进行不均等的功率分配，得到第一功率信号及第二功率信号；其中，第一功率信号的功率大于第二功率信...

本发明提供了一种窄线宽大功率激光器及其制备方法，其中，激光器包括：衬底；激光器区，形成于所述衬底上，所述激光器区两侧为放大器区和波长稳定区；激光区脊型波导，形成于所述激光器区上；放大器区锥形波导，形成于所述放大器区上；波长稳定区脊型波导...

本公开提供一种单模等离激元纳米激光器及其制备方法，单模等离激元纳米激光器包括光栅衬底以及增益介质；光栅衬底具有一衬底，衬底的上端面上形成有沿横向间隔设置的多个凹槽，每一凹槽内均被填充材料紧密填充，衬底的上端面与填充料的上端面共同形成一生...

本发明提供了一种集成器件，包括：衬底；依次排列在衬底同一表面的调制区、前光栅区、激光器增益区、后光栅区；调制区包括至少2个子调制器区，其中调制区的带隙波长比激光器增益区的带隙波长短，至少2个子调制器区的带隙波长不同；前光栅区、激光器增益...

本公开提供了一种单光子图像传感器像素控制电路系统，可以应用于单光子成像技术领域。该电路系统包括：单光子雪崩二极管、被动淬灭支路、反相器、主动淬灭支路、缓冲器、计数器电路和单稳态电路。入射光子进入单光子雪崩二极管感光区触发雪崩后，单光子雪...

本发明提供了一种量子级联激光器及其制作方法，应用于半导体激光器技术领域，包括：光发射区域，用于发射激光，滤波区域，用于对该激光进行光束整形，并输出整形后的激光，该滤波区域包括第一光子晶体和第二光子晶体，该第一光子晶体和该第二光子晶体的结...

本发明提供了一种太赫兹吸收器的制备方法及太赫兹吸收器，该方法包括：制备金属层；以金属层为基底，在金属层的上表面制备介质层；基于太赫兹吸收器对太赫兹波作用的目标频段，利用梯度优化算法迭代优化得到多个相变材料贴片的目标排列方式；基于多个相变...

本发明提供一种宽调谐窄线宽半导体激光器，其特征在于，包括：光增益模块，用于提供可调谐光波；光耦合模块，用于对所述光波进行耦合；外腔谐振模块，用于对所述耦合后的光波进行调节，得到窄线宽输出光。本发明提供一种宽调谐窄线宽半导体激光器利用微环...

本发明涉及半导体制造及微电子器件领域，具体涉及一种绝缘硅上锗结构衬底的键合方法，包括：在第一晶圆和第二晶圆表面分别生长第一介质层和第二介质层；对第一介质层和第二介质层表面进行等离子体处理，然后用水浸润并吹干；将等离子体处理后的第一介质层...

一种电致发光器件，包括：发光部，包括相对的第一电极层和第二电极层，并被构造成基于施加在第一电极层和第二电极层上的交流信号发光；供电部，包括：第一摩擦层，设置在第二电极层远离第一电极层的一侧；第二摩擦层，设置在第一摩擦层的远离第二电极层的...