本发明提供了一种红外光电器件及其制备方法与硅基光电集成芯片，该红外光电器件包括p型衬底；单晶窄带隙材料台面，设置在P型衬底上；介质层，设置在单晶窄带隙材料台面表面且介质层顶部开设有生长窗口，其中，生长窗口用于沉积n型材料；n型材料层，设...

本公开提供一种光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器件研究及光电子材料领域，其包括衬底，依次叠设于衬底上的第一缓冲层，第二缓冲层，第一欧姆接触层，吸收层，电子势垒层以及第二欧姆接触层；其中，第一缓冲层采用In组分渐变的In

本发明提供了一种晶圆键合的欧姆接触电极退火方法，包括：将III

本公开提供一种紫外测距系统及方法，涉及测距设备领域，紫外测距系统包括：现场可编程的门阵列模块，用于产生多路脉冲电信号；信号发送模块，用于将一路脉冲电信号转化为第一光脉冲信号后发送至待测物体；信号接收模块，用于接收经待测物体反射后的第二光...

本公开提供一种基于多模干涉的神经网络装置，包括：至少一个卷积运算模块，用于基于多模干涉耦合器对待识别对象进行卷积运算，得到卷积运算结果；数据转换模块，用于将卷积运算结果转换成一维数据；至少一个全连接运算模块，用于对一维数据进行全连接运算...

本发明提供一种表面覆盖有LiF薄膜的钙钛矿薄膜及其制备方法，涉及光电材料技术领域。该方法包括：步骤S1，制得初始钙钛矿薄膜；步骤S2，使用真空热蒸发法在该初始钙钛矿薄膜表面制备LiF薄膜，得到表面覆盖有LiF薄膜的钙钛矿薄膜。薄膜。薄膜。

本发明提供了一种二氧化硅光波导芯片性能的修正方法及装置，涉及光子集成领域，该方法包括：将图形掩膜版固定在二氧化硅光波导芯片的上方；在图形掩膜版上方施加光照；通过调节光照的参数来改变光波导结构的折射率，对二氧化硅光波导芯片的性能进行修正。...

本公开实施例提供了一种电化学刻蚀装置及其刻蚀方法。其中，该电化学刻蚀装置包括夹具结构、容器结构和电源结构。夹具结构用于在电化学刻蚀过程中夹设目标刻蚀样片，以暴露目标刻蚀样片的刻蚀区域；在电化学刻蚀过程中，夹具结构设置在容器结构中，且刻蚀...

本公开提供一种脆性材料自然裂片装置及其方法，脆性材料裂片装置包括吸附台、激光系统、光束聚焦系统以及三维位移系统，将大能量脉冲激光聚焦在脆性材料内部，当焦点处功率密度达到一定值时，材料被气化形成蒸汽，蒸汽的扩展使得材料实现自然裂片。本公开...

本公开提供一种基于多模干涉的卷积运算装置，包括：激光发生模块，用于产生第一激光；数据输入模块，用于将待处理数据调制到第一激光上；延时模块，用于对调制后的第一激光进行延时和分束，得到N束第二激光；至少一个多模干涉耦合器，用于根据预设卷积矩...

本公开提供一种数据处理装置，包括：激光发生模块，用于产生包括M

本公开提出了一种基于载波抑制的光跳频通信系统，其特征在于，包括：发射机，用于将激光信号进行载波抑制调制，生成频率不同的两个频率信号，基于跳频序列，将两个所述频率信号在两个链路上交替输出，生成两路所述载波信号，将两路用户数据分别调制在两路...

本公开提供一种二维原子晶体及其生长方法，方法包括：在第一衬底上生长固态源薄膜；将第二衬底与第一衬底叠放后置于加热炉中，其中，固态源薄膜位于第一衬底和第二衬底之间；在保护气体气氛下，将加热炉加热至反应温度，保持反应温度时间T后，降至室温，...

发明实施例涉及通信领域，公开了一种信号接收方法、装置、电子设备及存储介质。本发明中，信号接收方法，应用于四阶脉冲幅度调制PAM4信号接收机，包括：接收输入信号，并对输入信号进行补偿均衡；对补偿均衡后的输入信号进行数字信号转换，并对数字信...

本发明提供了一种多中间能带量子点太阳电池，包括：衬底；以及外延层，包括：N型层，设置在衬底上；至少两层量子点吸收层，设置在N型层上，至少两层量子点吸收层中的每层的带隙不同以分别对不同能量的光子进行吸收；P型层，设置在至少两层量子点吸收层...

本申请公开了一种双载流子倍增的雪崩光电探测器，包括倍增层，倍增层为两层，一层倍增层用于空穴的雪崩倍增，另一层倍增层用于电子的雪崩倍增，两层倍增层之间设有两层电荷层和一层光吸收层，光吸收层两侧分别设有一层电荷层，电荷层用于调控倍增层和光吸...

本发明公开了一种改善半导体激光器Smile效应的负极结构，包含芯片焊接区、绝缘区与连接芯片焊接区与绝缘区的齿状结构。所述负极结构用于微通道水冷封装的半导体激光器。所述芯片焊接区预置焊料并在第二次烧结时与半导体激光器芯片焊接。所述绝缘区贴...

本公开提供一种光子晶体激光器，涉及半导体激光器领域，其包括衬底，依次叠设于衬底上的N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型限制层、绝缘层、欧姆接触层以及P面电极层；其中，在沿腔长方向的两面分别设置反射率均为0％的第一膜层和第二膜...

本公开提供了一种超透镜结构及电子设备。其中，该超透镜结构包括第一纳米结构层、第二纳米结构层和第三纳米结构层。第一纳米结构层用于接收入射光束，其中入射光束包括正入射光束和斜入射光束；第二纳米结构层位于第一纳米结构层上，用于接收入射光束，实...

本发明提供一种基于光子晶体面发射半导体激光器的集成光源及硅光芯片，涉及硅基光子学技术领域，包括：激光器阵列结构，包括阵列排布的光子晶体面发射半导体激光器；光子晶体面发射半导体激光器包括：多层结构的外延层和光子晶体，多层结构的外延层位于多...