本公开提供一种硅锗探测器及其制备方法，涉及半导体器件领域，包括：硅沉底，依次叠设于硅沉底上的二氧化硅层以及硅波导；硅波导上形成有N型掺杂区、锗本征区以及P型掺杂区；其中，锗本征区设置于N型掺杂区以及P型掺杂区之间；N型重掺杂区，设置于N...

本发明提供了一种多通道稀疏数据的预处理装置及方法，涉及集成电路与信息通信领域，该预处理装置包括：输入处理模块，包括有效数据缓存器和有效数据绝对地址获取器，有效数据缓存器用于提取原始稀疏数据中的有效数据；有效数据绝对地址获取器用于获取接收...

本公开提供了一种太赫兹源产生系统及产生方法，包括：激光源，包括第一激光器和第二激光器，第一激光器用于提供频率为f0且波长为λ0的第一光载波，第二激光器用于提供频率为f1且波长为λ1的第二光载波；倍频模块，设于第二激光器的输出光路上，用于...

本发明涉及光电子器件技术领域，尤其涉及一种硅基表面高阶光栅激光器及其制备方法，该激光器包括：衬底、设置在衬底之上的倒脊型波导结构、设置在波导结构上层的绝缘层、填充在波导结构和绝缘层之间填充层；其中，波导结构的上表面和填充层的上表面刻蚀有...

本发明提供一种垂直腔面发射激光器，包括：二维亚波长光栅，所述二维亚波长光栅包括：光栅层，所述光栅层包括：多个柱状的光栅凸起，所述光栅凸起在第一方向和第二方向上具有不同的光栅宽度，所述第一方向和第二方向为光栅凸起的排列方向；光栅间隙，所述...

本发明提供一种半导体激光器及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决焊接材料的浪费导致生产成本增加等问题，半导体激光器包括：热沉，热沉的表面形成有金属镀层；主体芯片，主体芯片的底部或主体芯片的底部和顶部设有焊接金属层，焊接金属层与金属镀...

本公开提供了一种调控P型GaAs自旋轨道耦合的方法，包括：在衬底上沿[001]晶向生长P型GaAs材料；沿[110]晶向切割得到条形P型GaAs样品；将条形P型GaAs样品的两端固定，在其中间任意一点施加沿[001]晶向的应力，使其在该...

本公开提供一种氮化镓基激光器，包括：N型电极(1)，所述N型电极(1)上形成有依次叠设的衬底(2)、缓冲层(3)、N型铝镓氮下限制层(4)、N型铝镓氮下波导层(5)、有源区(6)、P型铝镓氮上波导层(7)、P型电子阻挡层(8)、P型铝镓...

本公开提供了一种InGaN/GaN量子阱结构及其制备方法和应用。该InGaN/GaN量子阱结构的制备方法包括：生长GaN垒层；在GaN垒层上生长一个或多个周期的InGaN量子阱层/GaN垒层的交替结构；其中，在一个或多个周期的InGaN...

本公开提供了一种高速光电探测器的外延结构，所述高速光电探测器的外延结构包括：在半绝缘衬底上依次生长的缓冲层、下阴极接触层、刻蚀阻挡层、上阴极接触层、饱和漂移层、崖层、过冲漂移层、下过渡层、本征耗尽吸收层、重掺梯度非耗尽吸收层、上过渡层、...

本发明提供一种实现softmax函数计算的硬件系统及方法，涉及神经网络的硬件加速领域。本发明对softmax函数计算进行优化，通过稀疏化的方式只选择输出有效位值进行指数计算和存储以降低计算冗余和存储需求，并且采用动态移位更新最大值的方式...

本公开提供一种氮化铝外延结构及其制备方法，制备方法包括：对衬底进行图形化，以在所述衬底表面形成预设大小的孔洞；沿垂直于所述衬底表面的方向生长氮化铝以形成成核层，其中，所述孔洞上没有覆盖所述氮化铝；在所述成核层上沿所述孔洞的空缺区域侧向外...

本发明提供了一种半导体锁模激光器及其制备方法，涉及光电子技术领域，用于解决现有技术中因自相位调制和色散效应导致飞秒脉冲难以实现输出的问题，从而避免使用外部脉冲压缩技术，进而降低了生产成本。该半导体锁模激光器包括：反射镜区、增益区和饱和吸...

本公开提供一种电吸收调制激光器及其制备方法，涉及半导体光电子集成器件领域，其包括：衬底；有源层，形成在衬底上，有源层的表面分为依次相邻的第一区域、第二区域和第三区域；相移光栅，形成与有源层的第二区域上；其中，第一区域的有源层构成第一调制...

本公开提供一种变形镜的设计方法，包括：根据目标行程要求，确定变形镜的镜面和促动器的结构参数范围；构建变形镜仿真模型，获得各个促动器的影响函数；通过将各个促动器的影响函数代入高精度电压迭代算法，反复优化各个促动器的控制电压，获得初始拟合面...

一种气体浓度检测装置，包括：光声机构，包括：光声池，内部充有校准气体；激光发射模块，适用于发出标定激光信号，标定激光信号为被第一调制信号调制的激光信号；微音器，适用于将第一声压信号转换为第一电流信号；光电探测器，适用于对透过光声池的标定...

本公开提供了一种遥感目标检测方法、装置、电子设备及存储介质，可以应用于图像处理技术领域。该方法包括：利用卷积神经网络的不同特征提取支路对目标遥感图像进行特征提取，得到多个特征图；对多个特征图分别进行通道转换，得到与多个特征图分别对应的转...

本公开提供一种电吸收调制激光器及其制备方法，包括：衬底；有源层，形成在衬底上，有源层的表面分为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域；其中，第一区域的有源层构成第一调制器，第二区域的有源层构成第二调制器，第三区域的有源层构成第一激光器，...

本公开提供了一种频谱测量方法、频谱测量系统及电子设备。频谱测量方法包括：获取线性啁啾信号，并将线性啁啾信号分为两路正交的第一线性啁啾信号和第二线性啁啾信号；获取待检测信号，依据待检测信号、第一线性啁啾信号和第二线性啁啾信号，得到测量复啁...

本发明提供了一种测量系统及其测量方法，涉及光电子测量技术领域，用以避免因激光器的线宽影响测量精度的问题，从而提高了测量精度。该测量系统包括：锁模激光器单元、传输发射单元和探测处理单元；锁模激光器单元被配置为：产生第一激光并向传输发射单元...