晶圆键合的欧姆接触电极退火方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆键合的欧姆接触电极退火方法，包括：将III

【技术实现步骤摘要】
晶圆键合的欧姆接触电极退火方法


[0001]本专利技术涉及半导体工艺领域，特别涉及一种晶圆键合的欧姆接触电极退火方法。

技术介绍

[0002]随着单结Si太阳能电池的效率接近理论极限。Si基III
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V族多结太阳能电池被认为是进一步提高Si太阳能电池效率的有效解决方法。由于III
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V族化合物与Si之间晶格常数不同的原因，导致了使用外延工艺在Si衬底生长III
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V族化合物在生长界面处形成位错等缺陷。晶圆键合技术不需要考虑材料之间的晶格失配，是实现III
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V族化合物与Si结合的有效方法。但是由于III
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V族化合物与Si之间热膨胀系数的不同，实现低温(键合温度低于500℃)晶片键合是III
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V族化合物与Si结合的关键。
[0003]研究发现，当键合温度升高时(>300℃)，由于GaAs与Si之间存在的热膨胀系数差异，GaAs/Si键合晶片的电阻率会随温度的升高而增加。近年来，一种表面活性键合的方法成为了制备III本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆键合的欧姆接触电极退火方法，包括：将III
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V族外延片的待键合面与Si晶圆的待键合面对齐贴合形成预键合晶片；在第一预设温度下，对所述预键合晶片施加第一预设压力并保持第一预设时间段形成键合晶片；在所述III
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V族外延片的外表面上形成第一金属电极，在所述Si晶圆的外表面上形成第二金属电极，以形成预退火键合晶片；在第二预设温度下，对所述预退火键合晶片施加第二预设压力并保持第二预设时间段以进行退火，形成具有欧姆接触电极的键合晶片。2.根据权利要求1所述的退火方法，在所述将III
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V族外延片的待键合面与Si晶圆的待键合面完全对齐形成预键合晶片之前，所述退火方法还包括：对所述III
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V族外延片进行清洗；对所述Si晶圆进行清洗；将清洗后的III
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V族外延片及Si晶圆的抛光面作为待键合面，对所述清洗后的III
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V族外延片及Si晶圆的待键合面进行表面活化处理。3.根据权利要求1所述的退火方法，所述在第一预设温度下，对所述预键合晶片施加第一预设压力并保持第一预设时间段形成键合晶片包括：所述在第一预设温度下，使用键合机对所述预键合晶片施加所述第一预设压力，其中，所述第一预设压力为500～3000mbar，所述第一预设温度为200～300℃；保持第一预设时间段以形成所述键合晶片，其中，所述第一预设时间段为1～3小时。4.根据权利要求1所述的退火方法，所述在所述III
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V族外延片的外表面上形成第一金属电极包括：在所述III
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V族外延片的外表面上形成第一Ni层，所述第一Ni层的厚度为20～30nm；在所述第一Ni层上形成第一Au层，所述第一Au层厚度为80～100nm；在所述第一Au层上形成Ge层，所述Ge层厚度为10～20nm；在所述Ge层上形成第二Ni层，所述第二Ni层厚度为100～120nm；在所述第二Ni层上形成第二Au层，所述第二Au层厚度为40～60nm，得到多层的所述第一金属电极。5.根据权利要求1所述的退火方法，所述在所述Si晶圆的外表面上形成第二金属电极包括：在所述Si晶圆的外表面上形成Ti层，所述Ti层厚度为30～80nm；在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓东，赵永强，刘雯，包怡迪，陈啸岭，杨富华，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：