【技术实现步骤摘要】
碲镉汞表面复合钝化层的金属化开口方法及表面钝化结构
[0001]本专利技术涉及红外探测器制备
,具体涉及碲镉汞表面复合钝化层金属化开口方法以及碲镉汞表面钝化结构
技术介绍
[0002]作为当前快速发展的红外技术,在军事、民用和航空等领域发挥着重大作用;其中,碲镉汞材料以其独特的优势在红外探测器的发展中占着举足轻重的地位,碲镉汞红外探测器的电学性能主要受表面钝化影响,电学连通主要由钝化层表面每个像元上的接触孔来实现,碲镉汞制红外探测器的性能不仅与材料本身性质有关,还着重依赖于碲镉汞表面的钝化层,而现有技术中传统的单层硫化锌钝化层由于钝化不到位,常会导致暗电流增大从而影响器件性能,并且现有技术中使用的对钝化层的干法开口会造成开口处碲镉汞发生损伤、反型等问题,并且制造成本高。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于,提供碲镉汞表面复合钝化层的金属化开口方法,解决以上技术问题;
[0004]本专利技术的目的还在于,提供碲镉汞表面钝化结构,解决以上技术问题。
[0005]本专利技术所解决的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.碲镉汞表面复合钝化层的金属化开口方法,其特征在于,包括,步骤S1,通过磁控溅射方式于碲镉汞上生长出碲化镉薄膜层;步骤S2,通过热蒸发方式于所述碲化镉薄膜层上沉积出硫化锌薄膜层,所述碲化镉薄膜层和所述硫化锌薄膜层共同形成复合钝化膜层;步骤S3,于所述复合钝化膜层上涂光刻胶并进行光刻,获得光刻孔;步骤S4,将具备光刻后的所述复合钝化膜层的所述碲镉汞置于腐蚀液中浸泡,所述腐蚀液对所述光刻孔内的所述复合钝化膜层蚀刻出接触孔,获得开口后的所述碲镉汞。2.根据权利要求1所述的碲镉汞表面复合钝化层的金属化开口方法,其特征在于,步骤S3中,所述光刻孔为圆形,直径为2μm
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4μm。3.根据权利要求1所述的碲镉汞表面复合钝化层的金属化开口方法,其特征在于,步骤S4中,所述腐蚀液包括浓度为37%的盐酸、浓度为69%
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70%的硝酸和去离子水,所述盐酸、所述硝酸、所述去离子水的体积比为20:4:3
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10:2:3,所述碲镉汞于所述腐蚀液中浸泡时间为1s
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3s。4.根据权利要求1所述的碲镉汞表面复合钝化层的金属化开口方法,其特征在于,步骤S1中,磁控溅射处理具备预设定的工作频率和工作温度。5.根据权利要求1所述的碲镉汞表面复合钝化层的金属化开口方法,其特征在于,步骤S2中,热蒸发处理具备预设定的工作温度和离子源辅助时间。6.根据权利要求1所述的碲镉汞表面复合钝化层的金属化开口方法,其特征在于,还包括,步骤S5,对开口后的所述碲镉汞进行后处理;包括...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜宇,张国锋,黄先念,谭必松,毛剑宏,
申请(专利权)人:浙江珏芯微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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