碲镉汞红外探测器表面光子晶体结构加工方法及应用技术

本申请公开了一种碲镉汞红外探测器表面光子晶体结构加工方法及应用，包括：在碲镉汞芯片的表面涂覆预设厚度的光刻胶；利用光刻设备对所述碲镉汞芯片需要去除的碲锌镉衬底的部分区域进行曝光、显影，以裸露出该部分区域；将裸露出的碲锌镉衬底部分去除；去除光刻胶；重新在碲镉汞芯片的表面涂覆指定厚度的光刻胶；利用掩膜曝光显影将光子晶体的图形从掩膜版转移至红外探测器芯片表面；使用碲锌镉腐蚀液对碲锌镉衬底进行腐蚀，以去除指定厚度的碲锌镉衬底，并执行干法刻蚀光子晶体图形。本申请的方法实现利用光子晶体结构替代原有的增透膜结构，在探测器整个光谱响应范围内实现高效的增透作用，大幅提升碲镉汞红外探测器性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
碲镉汞红外探测器表面光子晶体结构加工方法及应用


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种碲镉汞红外探测器表面光子晶体结构加工方法及应用。

技术介绍

[0002]红外焦平面探测技术具有光谱响应波段宽、可获得更多地面目标信息、能昼夜工作等显著优点，广泛应用于农牧业、森林资源的调查、开发和管理、气象预报、地热分布、地震、火山活动，太空天文探测等领域。碲镉汞红外探测器是红外探测技术的代表产品之一，并且是新一代红外探测器的重要发展方向。为了降低入射光信号在碲镉汞红外探测器表面的反射，提升探测器的信号收集能力，一般会在其表面制备增透膜层。但是传统增透膜层仅能在与其厚度相对应的某一波长附近很小范围内实现增透作用，因此在碲镉汞红外探测器光谱响应范围的整体增透效果不佳。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种碲镉汞红外探测器表面光子晶体结构加工方法及应用，将光子晶体结构高通过高设计吻合度的加工方法制备在碲镉汞红外探测器表面，替代原有的增透膜结构，在探测器整个光谱响应范围内实现高效的增透作用，大幅提升碲镉汞红外探测器性能。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碲镉汞红外探测器表面光子晶体结构加工方法，其特征在于，包括：在碲镉汞芯片的表面涂覆预设厚度的光刻胶；利用光刻设备对所述碲镉汞芯片需要去除的碲锌镉衬底的部分区域进行曝光、显影，以裸露出该部分区域；将裸露出的碲锌镉衬底部分去除；去除光刻胶；重新在碲镉汞芯片的表面涂覆指定厚度的光刻胶；利用掩膜曝光显影将光子晶体的图形从掩膜版转移至红外探测器芯片表面；使用碲锌镉腐蚀液对碲锌镉衬底进行腐蚀，以去除指定厚度的碲锌镉衬底，并执行干法刻蚀光子晶体图形。2.如权利要求1所述的碲镉汞红外探测器表面光子晶体结构加工方法，其特征在于，在碲镉汞芯片的表面涂覆的光刻胶的厚度与碲锌镉衬底预留厚度相当。3.如权利要求1所述的碲镉汞红外探测器表面光子晶体结构加工方法，其特征在于，将裸露出...

【专利技术属性】
技术研发人员：张轶，喻松林，刘世光，于艳，李春领，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：