本公开提供了一种半导体激光器，所述半导体激光器包括在同一衬底上并排配置的有源区、增益调控区、相位区、光栅区和隔离区，其中，所述增益调控区采用与所述有源区相同的结构和材料，用于与所述有源区产生光电相互耦合作用，以改变所述半导体激光器的增益...

本公开提供了一种光电子器件阵列封装结构，包括：电光调制器阵列芯片，多组行波电极在电光调制器阵列芯片上平行设置，行波电极的微波信号输入端和微波信号终端均为直线结构；多组传输线，与行波电极一一对应，为直线结构，沿行波电极的延伸方向设置于行波...

一种低频分布式纤传感系统，包括：光源模块，用于产生连续相干光信号；第一强度调制器，用于将连续相干光信号光调制为第一单脉冲光信号；迈克尔逊干涉仪，包括：干涉单元，用于根据第一单脉冲光信号产生第二单脉冲光信号和第三单脉冲信号、以及将二单脉冲...

本公开提供一种用于主被动复合探测的红外光学系统，涉及光电探测领域，其包括壳体；红外成像机构，包括红外框架和红外镜组，所述红外框架设置于所述壳体内，所述红外镜组设于所述红外框架内形成红外通道，所述红外镜组用于对目标对象进行被动成像；激光探...

本发明公开了一种多单管半导体激光合束装置，包括：高度依序升高的阶梯热沉；该阶梯热沉的各个台阶面上设置有：半导体激光器，每两个以面对面的排布方式焊接在该阶梯热沉上；快轴准直透镜，设置于半导体激光器前方；慢轴准直透镜，设置于快轴准直透镜前方...

本发明提供了一种应变绝缘层上锗结构，包括：依次叠加的衬底、第一应变绝缘层和锗薄膜层；其中，第一应变绝缘层适用于对锗薄膜层底部产生应变，以调控锗薄膜层的禁带宽度，吸收系数及迁移率。本发明还提供一种应变锗基器件。通过应变绝缘层全包裹结构可以...

本发明提供了一种基于混合高斯模型的目标检测方法、装置及设备，可以应用于计算机视觉领域及数字图像处理领域。该基于混合高斯模型的目标检测方法包括：对包括待检测目标的目标图像进行处理，得到与待检测目标相关的第一密度图，其中，第一密度图符合混合...

本发明提供一种化学气相沉积设备，包括：备样室、操作室、反应室以及取样室。其中，备样室适用于提供放置装载有衬底晶圆片的托盘的空间；操作室，包括：机械手以及陷气阱，机械手适用于抓取备样室中的托盘并输运至对应的反应室；陷气阱适用于排空进入操作...

本公开提供一种神经网络的无训练量化方法，包括：获取网络层的初始目标参数；减小初始目标参数的位宽，得到量化目标参数；确定初始目标参数的权重；确定量化目标参数与初始目标参数的量化误差；根据初始目标参数的权重，最小化量化误差，得到量化阈值；根...

本发明提供一种动态激光散斑投影装置，包括激光发射器、旋转衍射模块、镜头及载物板；其中：激光发射器，用于发射激光光束；载物板，用于连接激光发射器、旋转衍射模块及镜头；激光发射器、旋转衍射模块及镜头依次设置在激光光束的光路方向；旋转衍射模块...

本公开提供了一种光刻方法，用于对光刻对象的背面进行光刻，其特征在于，所述方法包括：S1，将所述光刻对象的正面粘合于透明垫片的第一面，其中，该透明垫片的尺寸大于所述光刻对象的尺寸；S2，对所述透明垫片的第二面进行光刻，以形成一参考标识，该...

本发明提供一种人体尺寸测量方法、装置和电子设备。上述人体尺寸测量方法包括：根据人体尺寸标准，基于深度摄像头获得符合人体尺寸标准的关键特征点集合；基于人体对称规则对所述关键特征点集合进行第一类异常点修正，获得第一关键特征点集合；基于所述第...

本发明公开了一种氮化物薄膜结构，包括：石英衬底(1)；二硫化钨缓冲层(2)，与石英衬底(1)通过范德华力相互结合；氮化物薄膜层(3)，设置于二硫化钨缓冲层(2)上；以及器件结构层(4)，设置于氮化物薄膜层(3)上。采用与氮化物材料晶格十...

本发明公开了一种基于表面等离激元的硅基半导体激光器，包括衬底、增益层、限制隔离层、电隔离层、上电极层和下电极层。衬底的顶部设置有凹槽；增益层包括自下而上依次层叠的下包层、有源层、上包层和接触层。下包层设置于凹槽内，适用于光限制以及电子注...

本发明提供了一种碳化硅外延设备，包括：备样室、多个中转室、反应室以及取样室。其中，备样室适用于提供放置装载有衬底晶圆片的托盘的空间；多个中转室，分别设置于备样室与第一生长室之间、第一生长室和第二生长室之间以及第二生长室与取样室之间，适用...

本发明公开了一种紫外激光器外延片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该制备方法包括：在非掺杂基础层上制备非掺杂过渡层，其中，非掺杂基础层包括非掺杂GaN基础层或非掺杂AlN基础层；在非掺杂过渡层上制备第一AlGaN限制层；在第一AlG...

本发明提供了一种微腔光频梳结构，包括：增益芯片，适用于提供宽谱光源；光耦合器，适用于将增益芯片提供的宽谱光源进行模斑变换；微环谐振腔，适用于对光耦合器输出的光信号发生共振；移相器，适用于调节光信号在光耦合器与反射元件之间的等效光程；反射...

本公开提供了一种半导体激光器，所述半导体激光器包括在衬底表面依次生长的缓冲层、下限制层、下波导层、有源区、上波导层、上限制层、帽层、顶部电极，和形成于衬底背面的底部电极，所述上限制层、帽层和顶部电极形成脊条，所述脊条上设置有模式调控阵列...

本发明提供了一种双光栅半导体激光器的制作方法，包括：在衬底的上表面依次生长第一量子阱材料层、第一光栅材料层、间隔层以及第二光栅材料层，构成激光器的大致轮廓，并将激光器划分为分布反射镜区和分布反馈区；去除分布反馈区的第二光栅材料层；分别在...

本发明涉及半导体光电子器件领域，具体涉及一种钙钛矿发光二极管及其制备方法，该钙钛矿发光二极管包括：衬底；透明导电电极，设置于衬底上；有机空穴传输层，设置在透明导电电极上，并覆盖透明导电电极的部分区域，使透明导电电极的另一部分区域露出；二...