集成器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种集成器件，包括：衬底；依次排列在衬底同一表面的调制区、前光栅区、激光器增益区、后光栅区；调制区包括至少2个子调制器区，其中调制区的带隙波长比激光器增益区的带隙波长短，至少2个子调制器区的带隙波长不同；前光栅区、激光器增益区、后光栅区构成宽可调谐激光器，用于发射宽可调谐波长的激光；至少2个子调制器区用于根据激光的激射波长选择切换或者共用至少2个子调制器区以调制激光的强度。本发明专利技术另一方面提供了上述集成器件的制备方法。制备方法。制备方法。

【技术实现步骤摘要】
集成器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体光电子集成器件领域，特别涉及一种集成器件及其制备方式。

技术介绍

[0002]随着互联网的快速发展和人们对于网络带宽越来越高的要求，光通信的解决方案往两个方向发展，宽波长范围和高调制速率，如何把两者结合起来并实现宽波长可调谐与高调制速率性能的集成器件是当前面临的一大难题，电吸收调制器通常针对单波长的吸收效果明显，对宽调谐波长的吸收能力不足。

技术实现思路

[0003](一)要解决的技术问题
[0004]有鉴于此，本专利技术提供了一种集成器件及其制备方式，主要在宽可调谐激光器与电吸收调制器的集成，以解决或部分解决上述问题。
[0005](二)技术方案
[0006]本专利技术一方面提供了一种集成器件，包括：衬底；依次排列在衬底同一表面的调制区、前光栅区、激光器增益区、后光栅区；调制区包括至少2个子调制器区，其中调制区的带隙波长比激光器增益区的带隙波长短，至少2个子调制器区的带隙波长不同；前光栅区、激光器增益区、后光栅区构成宽可调谐激光器，用于发射宽可调谐波本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成器件，其特征在于，包括：衬底(10)；依次排列在所述衬底(10)同一表面的调制区(01)、前光栅区(02)、激光器增益区(03)、后光栅区(04)；所述调制区(01)包括至少2个子调制器区，其中所述调制区(01)的带隙波长比所述激光器增益区(03)的带隙波长短，所述至少2个子调制器区的带隙波长不同；所述前光栅区(02)、激光器增益区(03)、后光栅区(04)构成宽可调谐激光器，用于发射宽可调谐波长的激光；所述至少2个子调制器区用于根据所述激光的激射波长选择切换或者共用所述至少2个子调制器区以调制所述激光的强度。2.根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述调制区(01)的带隙波长比所述激光器增益区(03)的带隙波长短30～100nm。3.根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述调制区(01)包括第一子调制器区(05)和第二子调制器区(06)；所述第一子调制器区(05)的带隙波长比所述激光器增益区(03)的带隙波长短30～50nm；所述第二子调制器区(06)的带隙波长比所述激光器增益区(03)的带隙波长短50～100nm。4.根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述前光栅区(02)的带隙波长所述激光器增益区(03)的带隙波长短90～200nm；所述后光栅区(04)的带隙波长所述激光器增益区的带隙波长短90～200nm。5.根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述调制区(01)及激光器增益区(03)的材料为InGaAsP或InGaAlAs量子阱材料；所述前光栅区(02)及后光栅区(04)的材料为InGaAsP或InGaAlAs体材料。6.根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述调制区(01)及激光器增益区(03)从衬底(10)往上的结构依次为下波导层、有源层、上波导层。7.根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述集成器件还包括：包层(21)，形成于所述调制区(01)、前光栅区(02)、激光器增益区(03)、后光栅区(04)上；电接触层(22)，形成于所述包层(21)上；P电极(24)，形成于所述电接触层...

【专利技术属性】
技术研发人员：周代兵，梁松，赵玲娟，王圩，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：