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本发明提供了一种集成器件，包括：衬底；依次排列在衬底同一表面的调制区、前光栅区、激光器增益区、后光栅区；调制区包括至少2个子调制器区，其中调制区的带隙波长比激光器增益区的带隙波长短，至少2个子调制器区的带隙波长不同；前光栅区、激光器增益区、...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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