量子级联激光器及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种量子级联激光器及其制作方法，应用于半导体激光器技术领域，包括：光发射区域，用于发射激光，滤波区域，用于对该激光进行光束整形，并输出整形后的激光，该滤波区域包括第一光子晶体和第二光子晶体，该第一光子晶体和该第二光子晶体的结构相同，且该第一光子晶体和该第二光子晶体之间存在一相移区，在实现大面积面发射的同时，降低远场发散角，优化光束形状，提高发射功率。提高发射功率。提高发射功率。

【技术实现步骤摘要】
量子级联激光器及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体激光器
，尤其涉及一种量子级联激光器及其制作方法。

技术介绍

[0002]激光是20世纪以来继原子能、电子计算机，半导体之后人类的又一大重大专利技术。半导体激光器具有功率高、寿命长，成本低、易集成和电光转换效率高等优点，在军用民用中的许多领域得到了广泛的应用，在激光器行业中占有很重要的地位。量子级联激光器（Quantum Cascade Laser，QCL）是一种优秀的中红外光源。QCL激射波长不受材料自身带隙宽度的约束，可以通过调整有源区多量子阱厚度组合对激射波长进行控制，实现自由设计剪裁。
[0003]面发射量子级联激光器相比边发射器件具备更好的单模特性、更长的寿命以及小的发散角，利于二维面阵集成。但是由于量子级联激光器激射模式的特殊性，不能被直接制作成垂直腔面发射结构，因此通常采用分布反馈光栅或光子晶体来实现垂直发射。为了发展更高性能的阵列，需要具有单模表面发射和低输出发散角的量子级联激光器。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子级联激光器，其特征在于，包括：光发射区域，用于发射激光；滤波区域，用于对所述激光进行光束整形，并输出整形后的激光，所述滤波区域包括第一光子晶体和第二光子晶体，所述第一光子晶体和所述第二光子晶体的结构相同，且所述第一光子晶体和所述第二光子晶体之间存在一相移区。2.根据权利要求1所述的量子级联激光器，其特征在于，所述相移区的宽度为1/2个周期，所述周期为所述第一光子晶体和所述第二光子晶体中介质柱之间的排列周期。3.根据权利要求1所述的量子级联激光器，其特征在于，所述第一光子晶体和所述第二光子晶体均包括按照预定晶格类型方式排列的多个介质柱。4.根据权利要求3所述的量子级联激光器，其特征在于，所述预定晶格类型为正多边形。5.根据权利要求1所述的量子级联激光器，其特征在于，所述激光器还包括自下而上设置的P面金属电极层、绝缘层和P面包覆层；所述P面包覆层被刻蚀形成光子晶体层，所述光子晶体层包括所述滤波区域。6.根据权利要求5所述的量子级联激光器，其特征在于，所述光发射区域包括依次设置在所述P面包覆层上的P面限制层、有源层、N面...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑婉华，廖子源，王宇飞，傅廷，陈静瑄，戴迎秋，刘灵娟，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：