本公开提供了一种硅基锗锡厚膜的生长方法，包括：在硅衬底上生长锗缓冲层；在锗缓冲层上生长第一锗锡层，当第一锗锡层的厚度超过临界厚度时，锗缓冲层发生弛豫；在第一锗锡层上生长第二锗锡层，第二锗锡层的锡组分随生长厚度的增加逐渐增大；在第二锗锡层...

提供了一种肖特基势垒二极管能量转换器的制备方法，所述方法包括以下步骤：对衬底层进行离子注入，在所述衬底层内部形成损伤层，所述损伤层将所述衬底层间隔为第一衬底层和第二衬底层，所述第一衬底层位于离子注入经过区域；退火处理，使所述损伤层完全石...

提供了一种宽带可调谐低噪声电光频率梳产生装置。所述装置使用中心波长可调谐且线宽为kHz级别的超窄线宽激光器，并将产生的激光传输至偏振控制器中，随后进入偏振调制器及级联的电光调制器，使用正弦射频信号对偏振调制器进行调制，级联的电光调制器采...

本公开提供一种存储板上芯片封装光组件的存储设备，包括：壳体，壳体的内空间被隔板分隔形成多个子空间；安置板，与子空间一一对应，安置板置于子空间内，与子空间配合形成料盒，料盒用于存储存储板上芯片封装光组件；磁扣，磁扣固定连接于安置板；图形码...

本公开提供了一种片上集成放大器，包括：第一多模干涉结构和第二多模干涉结构，分别用于将信号光和泵浦光各分为两束；光开关，分别连接第一多模干涉结构和第二多模干涉结构的一路输出，将一路信号光和一路泵浦光进行位置交换；第一波分复用结构，将第一多...

本公开提供了一种光生载流子场分布的等时瞬态叠加方法及装置，可以应用于硅基光电子技术及光电探测技术领域。该方法包括：对光生载流子在材料本征吸收区的运动时长进行离散化，得到离散切片族；逐个迭代确定离散切片族中每一个离散切片的光生载流子分布信...

本发明提供一种吸收区和耗尽区分离的光电探测器，涉及光电探测领域，可用于解决器件中暗电流过大的问题。该吸收区和耗尽区分离的光电探测器包括：衬底；以及在衬底的上表面依次堆叠的缓冲层、吸收层、第一势垒层和第二势垒层，其中，所述缓冲层、吸收层、...

本发明提供一种基于UNet网络的图像曝光校正方法及装置，属于图像增强技术领域，其中方法包括：获取初始图像；将所述初始图像输入拉普拉斯分解模块，得到所述初始图像对应的拉普拉斯金字塔；所述拉普拉斯金字塔中包括至少一个分解图像；基于曝光校正模...

本发明提供一种光子辅助的微波频率测量系统及方法，系统包括：光源模块，用于提供光载波；第一分束模块，用于将光载波分束为两路；调制模块，用于将馈入的射频微波信号调制到一路光载波上，得到第一调制信号，将射频微波信号引入电学延时后调制到另一路光...

本发明公开了一种低成本高容量钠离子电池正极材料及其制备方法，正极材料的化学通式为P2‑NaxMnyM1‑yO2。本发明的有益效果是：结合了球磨法和高温固相法简单高效制备大量的目标产物，并进一步优化片状结构的紧实程度，减小颗粒间的距离，使...

本公开提供一种III‑V族半导体低维结构的选区分子束外延制备方法，包括：将图形化衬底放置于分子束外延设备中，在图形化衬底上同时生长III‑V族半导体形核层和III族液滴；以III族液滴和III族源炉束流同时作为III‑V族半导体低维结构...

本发明提供一种高精度光子晶体波导的制备方法，应用于光子芯片微加工技术领域。该制备方法包括：对未加工的芯片进行预处理，以在芯片表面形成复合导电层；基于预先计算得到的刻蚀参数，控制聚焦离子束对预处理后的芯片进行刻蚀；对刻蚀后的芯片执行清洗操...

本发明提供了一种即时核酸检测装置及方法，可以应用于分子检测技术领域。该装置包括：反应单元(1)，包括反应腔(101)，反应腔(101)用于储存第一反应试剂；储存单元(2)，与反应单元(1)相连，储存单元(2)包括储液腔(201)和第一密...

本公开提供了一种光子辅助的瞬时微波频率测量系统，可应用于微波光子技术领域。该系统包括：光源、调制模块、第一分束器、光纤模块、第二分束器、第三分束器、色散偏振模块、光电探测模块和信号处理模块；调制模块将待识别频率的射频微波信号调制到光源提...

本公开提供了一种基于激光自混合干涉的集成光学颗粒物测量系统及方法，该集成光学颗粒物测量系统包括：集成光学垂直腔面发射激光器，用于产生探测激光照射细颗粒物，经过细颗粒物反射形成散射光，并探测散射光与探测激光发生干涉形成的自混合干涉信号；数...

本公开提供了一种锁模光纤激光装置及准二维钙钛矿可饱和吸收体的制备方法。该锁模光纤激光装置包括：泵浦源、波分复用器、增益光纤、偏振无关隔离器、输出耦合器、准二维钙钛矿可饱和吸收体及偏振控制器，沿脉冲激光的传输方向，依次连接，且波分复用器的...

本发明提供一种粗波分复用器，包括第一级滤波器和第二级滤波器，第一级滤波器包括第一干涉仪；第二级滤波器包括第二干涉仪和第三干涉仪；干涉仪包括依次连接的分光器、相移波导和合束器；相移波导包括第一相移臂和第二相移臂，第一相移臂包括相对设置的两...

本公开提供了一种氮化镓雪崩探测器的制备方法和氮化镓雪崩探测器，可以应用于半导体技术领域。该制备方法包括：在衬底上依次生长i‑GaN缓冲层、i‑GaN模板层和n‑GaN层；控制TMGa的流量值由第一预设流量值降低到第二预设流量值，在TMG...

本发明公开了一种高频器件封装组件和高频器件，高频器件封装组件包括高频连接器终端、传输线和高频芯片，传输线的第一侧面上设有信号传输电极，高频芯片的第一侧面上设有高频电极，传输线的第一侧面的一部分朝向高频连接器终端并通过倒装焊的方式使信号传...

本公开提供一种前向漫反射式激光外差相干水下航行器探测方法及系统，该方法包括：S1，采集无水下航行器区域的第一流场相位信息；第一流场相位信息由探测激光透过无水下航行器区域经漫反射后返回，再经信号解调输出得到；S2，采集待测水域的第二流场相...