本公开提供了一种光子晶体面发射激光器，从上之下依次包括：表面金属电极层、光子晶体层、N型掺杂波导层、有源区、氧化层、P型掺杂波导层、隧道结和背面金属电极层；光子晶体层的中心区域刻蚀形成二维光子晶体阵列；表面金属电极层覆盖在光子晶体层除了...

本申请提供了一种脉宽可调的多脉冲激光退火系统及其控制方法，该激光退火系统包括激光器组件和调制组件。激光器组件用于输出调制脉冲激光，以对半导体晶体进行退火，调制组件与激光器组件连接，用于向激光器组件输出射频信号，以对激光器组件产生的激光进...

本发明提供降低分布式光纤声传感器噪声的方法，包括：随机生成一组数字序列，作为初始编码序列；用最小二乘法计算初始编码序列对应的初始解码序列；初始编码序列和初始解码序列做互相关后，计算互相关结果的边带抑制比；根据边带抑制比与参考值的大小，对...

本公开提供了一种雪崩光电二极管及其制备方法，雪崩光电二极管包括：衬底层，依次叠设于衬底层的雪崩倍增层、电荷控制层、吸收层和欧姆接触层；衬底层的材质采用高掺杂P型金刚石，雪崩倍增层的材质采用低掺杂P型金刚石，电荷控制层的材质采用高掺杂N型...

本发明提供一种基于半导体激光器的全息光刻装置及全息光刻方法，该装置包括：激光发射组件，包括：激光二极管，用于产生激光光束；准直器，用于将激光光束转换为平行光束；光栅模块，用于基于平行光束产生多个衍射光束，其中一个衍射光束会再次入射至激光...

本公开提供一种脉宽信号处理方法及单元，脉宽信号处理单元包括：VTC电路，用于根据异步脉宽信号和系统时钟，产生脉宽输出信号，脉宽输出信号与异步脉宽信号的脉宽相等，脉宽输出信号的上升沿同步于系统时钟；鉴相器，施加有校准脉宽信号，用于对脉宽输...

本公开提供了一种消除运动失配的图像映射三维重建方法及装置，可以应用于图像匹配及三维重建技术领域。该方法包括：按照预定时间窗口间隔采集第一图像和第二图像；从第一图像获取第一位置特征、第一姿态特征和第一深度特征，从第二图像获取第二位置特征、...

本公开提供一种半导体/超导体异质结纳米线网络的选区外延制备方法，包括：在衬底表面制备图案化台阶结构；基于图案化台阶结构对材料进行选区外延生长，在图案化台阶结构处外延半导体纳米线网络；在半导体纳米线网络上外延超导体，得到半导体/超导体异质...

本公开提供了一种栅压可调谐的范德华异质结光电探测器，包括：衬底；二维范德华异质结，设于衬底上表面，由两种低维半导体材料堆叠而成，两种低维半导体材料为一维半导体材料或二维半导体材料；源极和漏极，设于衬底上表面，且分设于二维范德华异质结两端...

本公开提供了一种全介质双C字形凹槽超表面陷光结构及其制备方法和应用。该全介质双C字形凹槽超表面陷光结构包括：通过刻蚀氮化硅薄膜而形成的双C字形凹槽阵列超表面，用于减小表面光的反射率，增加光在薄膜电池内部的光程，从而增加电池的短路电流密度...

本公开提供的光跳频通信系统，应用于光通信领域，包括：发送端，用于发送信号，基于密钥组对光信号进行调控生成多路跳频序列，将多个数据流序列分别调制在每路跳频序列上，将带有调制信号的跳频序列汇入发射信号形成模块后耦合生成发射信号，将发射信号送...

本公开提供了一种基于二维半导体异质结的日盲紫外探测器及其制备方法，该日盲紫外探测器包括：二维半导体异质结，由两种低维半导体材料堆叠而成；两个电极，设于二维半导体异质结两端，分别接触两种低维半导体材料；其中，两种低维半导体材料的能带结构交...

本发明提供一种具有复合p型GaN结构的氮化镓基激光器及其制备方法，氮化镓基激光器包括：衬底；衬底的一侧依次层叠形成有缓冲层、第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、电子阻挡层、第二限制层、复合p型GaN层和欧姆接触层；P型电极形成于...

本发明提供一种三维封装光电集成芯片，包括：电芯片包括第一电芯单元和第二电芯单元，第一电芯单元和第二电芯单元沿第一方向间隔布设；电路板、光芯片和电芯片沿第二方向间隔布设，第二方向垂直于第一方向；第一电连接件，设置于电芯片和光芯片之间，用于...

本发明提供一种弱光紫外通信系统，应用于光电信息技术领域。该系统包括：信号发送模块，用于将数字脉冲信号转化为第一光脉冲信号后发送至大气信道；信号接收模块，用于接收经大气信道散射后的第二光脉冲信号并将第二光脉冲信号转化为数字电信号；信号生成...

本公开涉及一种高深宽比的纳米压印超透镜结构及其制备方法和应用。该高深宽比的纳米压印超透镜结构包括：支撑基底；形成于该支撑基底上的高深宽比纳米压印胶微纳结构阵列；形成于该高深宽比纳米压印胶微纳结构阵列上的薄膜材料层；其中，该高深宽比纳米压...

本公开提供了一种利用具有厚度选择性的碳膜对SiC器件实现温度与区域可控的激光退火激活方法，包括：利用光刻和高能离子注入技术在SiC晶圆表面形成目标器件的各个离子注入区；清洗SiC晶圆，在SiC晶圆表面旋涂光刻胶，经显影后，完成离子注入区...

本发明提供一种基于石墨烯界面的柔性透明神经电极及其制备方法，可以应用在神经科学领域。该制备方法以石墨烯作为所述柔性透明神经电极的主要功能材料，使用微刻痕技术和氧等离子体处理，实现所述柔性透明神经电极的批量化和高质量制备。其中，微刻痕技术...

本公开提供了一种具有欧姆接触界面钝化层的GaN HEMT器件及其制备方法，该GaN HEMT器件包括：衬底层(1)；缓冲层(2)，生长于衬底层(1)的上表面；异质结结构层(3)，生长于缓冲层(2)的上表面，异质结结构层(3)的上表面的边...

本发明提供一种三维点云的分类方法、装置、电子设备及存储介质，涉及计算机技术领域，方法包括：将待分类的点云数据输入至点云分类模型，得到点云分类模型输出的分类结果；点云分类模型是基于样本点云数据和标签数据进行训练得到的；点云分类模型包括局部...