中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5962项专利

  • 本发明提供一种单光子雪崩二极管的结构,包括:依次在衬底上叠设的N型掺杂InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP组分渐变层、N型掺杂InP电荷层以及InP层;像素阵列,设置在InP层,包括有多个像素;P高掺结构,设置在InP层中的...
  • 本发明提供了一种基于卤化物钙钛矿纳米晶的射线图像传感器及其制备方法,涉及射线探测器技术领域。该基于卤化物钙钛矿纳米晶的射线图像传感器包括:衬底;阳极氧化铝模板,设于衬底上,阳极氧化铝模板上分布有纳米孔洞,纳米孔洞内填充有钙钛矿纳米晶材料...
  • 本技术公开了一种微型发光二极管,该微型发光二极管包括:衬底;缓冲层,形成在衬底上;n型层,形成在缓冲层上;有源层,有源层在n型层上形成第二台面;p型层,p型层在有源层上形成第一台面;n型电极和p型电极,n型电极形成在n型层上,p型电极形...
  • 本发明提出一种电荷泵检测电路、芯片和电子设备,所述电荷泵检测电路包括电流输入电路、电流镜复制电路、电压采样电路和比较电路;电流输入电路用于提供输入的参考电流;电流镜复制电路的第一端与电流输入电路连接,用于按比例缩放参考电流,并将缩放后的...
  • 本公开实施例提供了一种等光程半导体激光合束结构和多单管光谱合束结构,等光程半导体激光合束结构包括:至少一个激光芯片(10),按照预设角度相对于光纤(40)对称设置,其光斑沿快轴方向排列,与光纤(40)之间的光程相等;快轴聚焦镜(20)和...
  • 本公开提供了一种光纤捆绑合束装置,包括:激光模块,包括多个激光单元,用于产生多个激光光束;透镜模块,包括单个透镜(20),或者,包括第一柱面镜(50)和第二柱面镜(60),设于多个激光光束的光路上,用于聚焦多个激光光束;光纤束,包括多根...
  • 本发明提供一种基于PEDOT:PSS界面的柔性透明神经电极及其制备方法,可以应用于神经科学领域。其特征在于以PEDOT:PSS(聚(3,4‑乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸)作为记录和传输神经电信号的功能材料,使用薄层绝缘聚合物作为PEDO...
  • 本发明提供一种基于神经网络结构的伊辛模型基态搜索方法,包括:基于伊辛模型,根据多质子‑弹簧系统稳态分析方法,建立能量转移的弹簧振动模型,其中伊辛模型包括多个自旋,多个自旋相互之间存在耦合关系;基于弹簧振动模型求解哈密顿方程,并预设迭代公...
  • 本发明提供了一种硅‑锆钛酸铅异质光电融合单片集成系统,涉及光电集成技术领域,包括:硅‑锆钛酸铅晶圆和光电集成系统链路,硅‑锆钛酸铅晶圆包括的硅衬底、二氧化硅埋氧层、硅薄膜层和二氧化硅包埋层从下至上依次生长,锆钛酸铅薄膜层平行于硅薄膜层并...
  • 本公开提供了一种阶梯型场效应晶体管器件及其制备方法,其中阶梯型场效应晶体管器件包括:半导体基片;有源区,设置于基片中,有源区包括:屏蔽层、传输层、导电层、阶梯型掺杂区,其中,屏蔽层包括第一屏蔽部和第二屏蔽部,第一屏蔽部和第二屏蔽部呈阶梯...
  • 本发明提供了一种飞秒激光直写波导耦合的单片集成光发射芯片,涉及光器件集成技术领域,包括:硅衬底、二氧化硅埋氧层和二氧化硅包埋层从下至上依次生长;硅波导层,设于二氧化硅埋氧层上,位于二氧化硅包埋层内部;二氧化硅包埋层包括第一区域、第二区域...
  • 本公开提供一种硅基量子模拟器及其制备方法,硅基量子模拟器包括:依次叠加的硅衬底、衬底绝缘层和工作部;其中,工作部包括第一工作部和第二工作部;第一工作部包括沿第一方向顺序连接的源区硅电导台面、硅纳米线周期网络结构、漏区硅电导台面,以及覆盖...
  • 本申请提供了一种半导体结构及其制备方法,该制备方法包括提供第一基底,然后在于第一基底上形成掩膜层,该掩膜层包括多个显露出第一基底的凹槽,最后再于第一表面同步沉积锗原子和锡原子,获得锗锡合金。通过将位于掩膜层内的凹槽设置为的深宽比不低于2...
  • 本公开提供一种耦合器结构优化方法,涉及集成光电子器件设计领域,其包括:确定耦合器耦合区中每个波导对应边线的多个离散的初始控制点;将每个波导边线上对应的多个初始控制点进行拟合,形成初始边线;采用第一相关运算,分别对多个初始控制点进行优化,...
  • 本申请提供了一种激光扫描装置和激光雷达,该激光扫描装置包括激光源和透镜组,激光源用于发射扫描光线,透镜组则设置在扫描光线的发射路径上,用于调整扫描光线的出射方向,并使扫描光线平行出射。本申请通过在激光源的发射路径上设置透镜组,使激光源发...
  • 本公开提供一种测量光子集成芯片和光电探测器的相对频率响应的方法,包括:响应于由外部施加在调制器的第一调制臂的扫频信号,对加载在第一调制臂上的第一射频信号进行扫频输出,得到多个由第一调制臂调制输出的第一光载波;响应于由外部施加在调制器的第...
  • 本发明提供了一种2×2多模光开关路由单元,包括:输入多模光波导,用于输入待处理的多模光信号;多模耦合分束结构,用于执行耦合分束;多模波导弯曲结构,用于对多模光信号的路径弯曲;多模移相器,用于控制或改变多模光信号的相位;输出多模光波导,用...
  • 本公开提出了一种紫外LED芯片及其制备方法,包括衬底、氮化铝缓冲层、氮化铝层、氮化铝镓层和电极层。氮化铝层包括金属极性面氮化铝层和氮极性面氮化铝层。氮化铝镓层包括金属极性面氮化铝镓层和氮极性面氮化铝镓层,金属极性面氮化铝镓层与金属极性面...
  • 本公开提供一种芯片封装支架,涉及芯片封装领域,其包括:底座,所述底座的上表面开设有至少一个容纳槽,所述容纳槽用于容纳所述PCB板底部的焊点;所述底座上开设有至少一个定位孔,所述PCB板上开设有与所述定位孔相对应的穿孔;定位螺栓,所述定位...
  • 本公开提供了一种基于外注入信号的脉冲激光放大系统及方法,可以应用于低重频纳秒脉冲光纤激光技术领域。该系统包括:外注入信号装置和脉冲激光器。外注入信号装置包括:第一泵浦源,被配置为产生第一泵浦光;谐振腔,被配置为吸收第一泵浦光,基于粒子数...