中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5962项专利

  • 一种红外探测器的制备方法、红外探测器,该制备方法包括:在衬底上依次生长缓冲层、N型掺杂接触层、吸收层、P型掺杂接触层和P型盖层,得到第一器件;对第一器件的叠层结构的两端进行刻蚀以在刻蚀后的N型掺杂接触层上形成沿第一方向突出的台面结构,得...
  • 本发明提供一种灵活可重构的光电参量振荡伊辛机,包括激光器,用于产生光载波信号;电光转换单元,用于将脉冲电信号加载到光载波信号上以得到光脉冲信号;光电转换单元,用于获取光脉冲信号并将光脉冲信号转换为第一电信号和第二电信号;电学可编程器件,...
  • 本发明提供一种可重构且双向增强的法诺谐振器,包括:第一传输波导、一分二耦合器、内嵌马赫增德尔干涉仪的上下话路微环谐振器、第二传输波导、第三传输波导及波导上热电极,波导上热电极布置在第三传输波导上方;第一传输波导、第二传输波导、第三传输波...
  • 一种半导体激光器光纤耦合装置包括:准直模块,适用于对半导体激光器发出的初始激光进行准直,得到准直激光;光束整形模块,包括:第一整形组件,适用于将准直激光分成宽度相同的n段子激光,n≥2,并使得n段子激光中的至少n‑1段子激光在高度上发生...
  • 本发明公开了一种具有隔热层的红外热辐射探测器及其制备方法,该具有隔热层的红外热辐射探测器包括:硅基氧化硅衬底;纳米金颗粒层,纳米金颗粒层采用聚甲基丙烯酸甲酯粘附在硅基氧化硅衬底上;隔热层,采用二氧化硅气凝胶制成,隔热层形成在纳米金颗粒层...
  • 本公开提供了一种硅基高密度集成纳米线网络红外探测器的制备方法,包括:在单晶硅衬底上生长SiO<subgt;x</subgt;非晶薄膜或Si<subgt;x</subgt;N<subgt;y</subg...
  • 一种半导体点缺陷的测量系统、测量方法,该测量系统,包括:荧光产生装置,适用于发射探测激光,并将探测激光聚焦至半导体样品表面上的目标区域,激发半导体点缺陷产生目标荧光;单光子成像装置,适用于对激光目标区域内的点缺陷进行荧光成像;点缺陷检测...
  • 本公开涉及半导体技术领域,尤其涉及一种基于波前传感技术的晶锭改质效果检测方法及装置。其中,该方法包括:采用目标激光对改质前的晶锭进行扫描,得到第一波前信息,其中,目标激光中包括目标波前;采用目标激光对改质后的晶锭进行扫描,得到第二波前信...
  • 本发明提供一种金刚石制备方法,包括:构建第一金刚石结构模型;基于第一性原理对第一金刚石结构进行优化,得到第二金刚石结构;使第二金刚石结构在预设生长条件下吸附预处理后的原子基团;其中,生长条件包括生长温度和反应压强;计算吸附过程中氢原子、...
  • 本发明提供一种植入式全柔性神经电极及其制备方法,植入式全柔性神经电极包括:柔性基层、多个神经探针组和多根金属导线,柔性基层包括第一柔性层,第一柔性层构造有多个间隔布设的支撑层,相邻两个支撑层通过第二柔性层连接;多个神经探针组与多个支撑层...
  • 一种基于光电混合振荡的随机数生成装置,包括:光脉冲信号产生模块,用于产生光脉冲信号;第二调制器件,用于将反馈信号调制到光脉冲信号上,产生第二光脉冲信号;微波频率源,用于产生微波本振信号;信号反馈模块,用于将第二光脉冲信号转化为第二电脉冲...
  • 本公开提供了一种关于直方图的峰值处理电路,可以应用于峰值处理技术领域。该关于直方图的峰值处理电路包括:计数器单元,配置为根据与直方图数据中的N个分区时间各自对应的预设分区距离测量数据,得到N个分区统计数据,其中,N为大于1的整数;数字比...
  • 本公开提供一种发射极与纳米管相连的纳米真空晶体管及制备方法,纳米真空晶体管包括:收集极,绝缘层,纳米管,发射极和栅极;收集极、纳米管和发射极设置在绝缘层的第一表面,纳米管的一端与发射极连接,另一端与收集极相对且间隔预设距离;栅极设置于绝...
  • 本发明提供了一种热光移相器及其制造方法、光芯片,可以应用于光芯片技术领域。该热光移相器包括:衬底;埋氧层,所述埋氧层设置于所述衬底上;包层,设置于所述埋氧层上;牺牲层,设置于所述衬底上,且一部分位于所述埋氧层中,另一部分位于所述包层中,...
  • 本申请提出一种基于级联神经网络和目标时空连续性的细粒度识别方法,其中,方法包括获取时间连续的多帧待识别图像;利用目标检测算法对各待识别图像进行目标检测,以得到所有感兴趣目标的位置分布;基于目标时空连续性,利用目标跟踪算法对感兴趣目标进行...
  • 本发明提供一种实时红外图像预处理的方法,该方法包括:获取待处理的实时图像数据,利用基于神经网络的非均匀性校正算法对实时图像数据进行去噪,得到初始图像数据;对初始图像数据进行自适应增益控制,得到中间图像数据;利用非锐化遮膜算法对中间图像数...
  • 本发明提供了一种碳化硅外延生长方法,应用于半导体技术领域,该方法包括:S1,在该碳化硅外延反应室中加入碳源和硅源,在预设反应条件下生成碳化硅晶体;S2,在该碳化硅外延反应室中加入混合气体,该混合气体包括活性气体和惰性气体;S3,在该碳化...
  • 本公开提供一种差分放大器的修调校准方法,包括:操作S1:通过修调第一运算放大器A1来修调差分放大器的失调电压;操作S2:通过修调第一电阻R<subgt;1</subgt;和/或第二电阻R2的阻值来校准第一运算放大器的反相端增...
  • 本公开提供一种基于氧化镓的紫外偏振光电器件制备方法,包括:在β‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;衬底上制备同质的β‑Ga<subgt;2</subgt;O<...
  • 本申请提出一种光电混合集成微波源,该微波源包括第一模块和第二模块。其中,第一模块包括依次连接的激光器、电光调制器、高Q谐振器和光电转换器,第二模块包括依次连接的信号调整单元和移相器,且光电转换器的输出端与信号调整单元的输入端连接,移相器...