【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种基于波前传感技术的晶锭改质效果检测方法及装置。
技术介绍
1、第三代半导体材料，如碳化硅、氮化镓和金刚石，具有复杂的生产工艺、高硬度和高成本的特点，导致晶锭制备成本高昂，成为制约其快速发展的瓶颈之一。激光改质具有很多优势，如无机械应力、无接触、高质量和高精度改质，特别适合处理坚硬的脆性材料。
2、相关技术中，随着第三代半导体产业的发展，激光切割设备和工艺对半导体材料进行激光垂直剥离时更加精密，这种情况下，仍使用传统的晶锭改质效果检测方法进行晶锭改质效果检测时，准确性较低，并且还会导致损伤晶锭等问题。
技术实现思路
1、本公开旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
2、为此，本公开的第一个目的在于提出一种基于波前传感技术的晶锭改质效果检测方法，以提高晶锭改质效果检测的准确性，并减少导致损伤晶锭的情况。
3、本公开的第二个目的在于提出一种基于波前传感技术的晶锭改质效果检测装置。
4、本公开的第三个目的在于提出一种基于波前传感技术的晶锭改质效果检测装置。
5、本公开的第四个目的在于提出一种计算机可读存储介质。
6、本公开的第五个目的在于提出一种计算机程序产品。
7、为达上述目的，本公开第一方面实施例提出了一种基于波前传感技术的晶锭改质效果检测方法，包括：
8、采用目标激光对改质前的晶锭进行扫描，得到第一波前信息，其中，所述目标激光中包括目标波前；>
9、采用所述目标激光对改质后的所述晶锭进行扫描，得到第二波前信息；
10、根据所述第一波前信息和所述第二波前信息，确定改质后的所述晶锭对应的改质结果。
11、可选的，方法还包括：
12、对激光光源进行起偏，得到线偏振光；
13、对线偏振光进行能量分配，得到水平偏振光；
14、通过全息相图，将水平偏振光对应的波前调整为目标波前，得到目标激光。
15、可选的，对线偏振光进行能量分配，包括：
16、采用1/2波片和偏振分束器对线偏振光在平行光路的能量和水平光路的能量进行分配，得到水平偏振光。
17、可选的，激光光源的波长范围为500nm至1100nm，激光光源的脉冲宽度范围为200ns至500fs，激光光源的重复频率范围为500hz至200khz，激光光源的单脉冲能量范围为10nj至10mj，激光光源的出射光斑直径范围为1mm至10mm。
18、可选的，通过全息相图，将水平偏振光对应的波前调整为目标波前，包括：
19、在空间光调制器中加载全息相图，得到全息相图对应的空间光路；
20、根据空间光路将水平偏振光的波前整形为目标波前。
21、可选的，其中，
22、当全息相图为用于产生平顶光的相位图时，目标波前为平顶光；
23、当全息相图为用于产生拉盖尔高斯光束的相位图时，目标波前为拉盖尔高斯光束；
24、当全息相图为用于产生贝塞尔光束的相位图时，目标波前为贝塞尔光束；
25、当全息相图为用于产生平顶光的相位图时，目标波前为平顶光；
26、当全息相图为用于产生贝塞尔高斯光束的锥透镜相位图时，目标波前为贝塞尔高斯光束；
27、当所述全息相图为菲涅尔算法生成的相图时，所述目标波前为加载了成像信息的光束。
28、可选的，采用目标激光对晶锭进行扫描，包括：
29、对目标激光进行准直扩束处理，得到满足光斑大小要求的目标激光；
30、采用满足光斑大小要求的目标激光对晶锭进行扫描。
31、可选的，采用目标激光对晶锭进行扫描，得到波前信息，包括：
32、按照扫描方向以及扫描模式，将目标激光射入并穿过晶锭；
33、控制哈特曼传感器接收目标激光对应的出射光，根据出射光对应的正入射光偏移量计算波前，得到波前信息，其中，波前信息包括第一波前信息和第二波前信息。
34、可选的，根据出射光对应的正入射哈克曼传感器的光偏移量计算波前，得到波前信息，包括：
35、控制哈特曼传感器将出射光转换成多个光点；
36、根据多个光点中任一光点对应的目标激光光点之间的偏移量计算波前，得到波前信息。
37、可选的，扫描模式对应的形状为圆形、椭圆形、环形、矩形、“弓”字型或阿基米德螺旋线。
38、可选的，采用目标激光对晶锭进行扫描，得到波前信息，包括：
39、对晶锭进行改质前，确定晶锭对应的未完全改性区；
40、采用目标激光对晶锭的未完全改性区进行扫描，得到波前信息。
41、可选的，根据第一波前信息和第二波前信息，确定改质后的晶锭对应的改质结果，包括：
42、根据晶锭中任一区域在第一波前信息中对应的第一子波前信息，以及任一区域在第二波前信息中对应的第二子波前信息，确定任一区域对应的波前变化信息；
43、根据波前变化信息，确定改质后的晶锭对应的改质结果，其中，改质结果用于指示改质后的晶锭对应的已完全改性区和未完全改性区。
44、可选的，根据波前变化信息，确定改质后的晶锭对应的改质结果，包括：
45、根据波前变化信息，确定任一区域对应的波前延迟信息；
46、根据波前延迟信息，确定任一区域对应的折射率变化信息；
47、根据折射率变化信息，确定任一区域对应的改质深度；
48、若改质深度满足改质要求，则将任一区域调整为已完全改性区；
49、若改质深度不满足改质要求，则将任一区域调整为未完全改性区。
50、为达上述目的，本公开第二方面实施例提出了一种基于波前传感技术的晶锭改质效果检测装置，包括：
51、控制系统，用于采用目标激光对改质前的晶锭进行扫描，得到第一波前信息，其中，所述目标激光中包括目标波前；
52、所述控制系统，还用于采用所述目标激光对改质后的所述晶锭进行扫描，得到第二波前信息；
53、所述控制系统，还用于根据所述第一波前信息和所述第二波前信息，确定改质后的所述晶锭对应的改质结果。
54、为达上述目的，本公开第三方面实施例提出了一种基于波前传感技术的晶锭改质效果检测装置，包括：处理器，以及与处理器通信连接的存储器；
55、存储器存储计算机执行指令；
56、处理器执行存储器存储的计算机执行指令，以实现前述第一方面中任一项所示的方法。
57、为达上述目的，本公开第四方面实施例提出了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，计算机执行指令被处理器执行时用于实现前述第一方面中任一项所示的方法。
58、为达上述目的，本公开第五方面实施例提出了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基于波前传感技术的晶锭改质效果检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过全息相图，将所述水平偏振光对应的波前调整为所述目标波前，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中，
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用所述目标激光对所述晶锭进行扫描，得到波前信息，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述出射光对应的正入射哈克曼传感器的光偏移量计算波前，得到波前信息，包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用所述目标激光对所述晶锭进行扫描，得到波前信息，包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一波前信息和所述第二波前信息，确定改质后的所述晶锭对应的改质结果，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述根据所述波前变化信息，确定改质后的所述晶锭对应的改质结果，包括：
10.一种基于波前传感
...【技术特征摘要】
1.一种基于波前传感技术的晶锭改质效果检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过全息相图，将所述水平偏振光对应的波前调整为所述目标波前，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中，
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用所述目标激光对所述晶锭进行扫描，得到波前信息，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述出射光对应的正...
【专利技术属性】
技术研发人员：林学春，杜家宝，赵树森，卢晓煜，于海娟，何超建，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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