【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体,尤其涉及一种基于波前传感技术的晶锭改质效果检测方法及装置。
技术介绍
1、第三代半导体材料,如碳化硅、氮化镓和金刚石,具有复杂的生产工艺、高硬度和高成本的特点,导致晶锭制备成本高昂,成为制约其快速发展的瓶颈之一。激光改质具有很多优势,如无机械应力、无接触、高质量和高精度改质,特别适合处理坚硬的脆性材料。
2、相关技术中,随着第三代半导体产业的发展,激光切割设备和工艺对半导体材料进行激光垂直剥离时更加精密,这种情况下,仍使用传统的晶锭改质效果检测方法进行晶锭改质效果检测时,准确性较低,并且还会导致损伤晶锭等问题。
技术实现思路
1、本公开旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
2、为此,本公开的第一个目的在于提出一种基于波前传感技术的晶锭改质效果检测方法,以提高晶锭改质效果检测的准确性,并减少导致损伤晶锭的情况。
3、本公开的第二个目的在于提出一种基于波前传感技术的晶锭改质效果检测装置。
4、本公开的第三个目的在于
...【技术保护点】
1.一种基于波前传感技术的晶锭改质效果检测方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述通过全息相图,将所述水平偏振光对应的波前调整为所述目标波前,包括:
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,其中,
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,采用所述目标激光对所述晶锭进行扫描,得到波前信息,包括:
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述根据所述出射光对应的正入射哈克曼传感器的光偏移量计算波前,得到波前信息,包括
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【技术特征摘要】
1.一种基于波前传感技术的晶锭改质效果检测方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述通过全息相图,将所述水平偏振光对应的波前调整为所述目标波前,包括:
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,其中,
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,采用所述目标激光对所述晶锭进行扫描,得到波前信息,包括:
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述根据所述出射光对应的正...
【专利技术属性】
技术研发人员:林学春,杜家宝,赵树森,卢晓煜,于海娟,何超建,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:
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